[發(fā)明專利]1.5T SONOS閃存器件的接觸孔連接方法

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• 申請?zhí)枺?/td>: 202010620711.4
• 申請日: 2020-07-01
• 公開（公告）號: CN111883478A
• 公開（公告）日: 2020-11-03
• 發(fā)明（設計）人: 王寧;張可鋼
• 申請（專利權(quán)）人: 上海華虹宏力半導體制造有限公司
• 主分類號: H01L21/768
• 分類號: H01L21/768;H01L27/11521;H01L27/11568
• 代理公司: 上海浦一知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 31211
• 代理人: 焦健

1.一種1.5T SONOS閃存器件的接觸孔連接方法，在半導體基板上規(guī)劃出多個有源區(qū)，所述的有源區(qū)呈多個互相平行的條形；所述條形的各個有源區(qū)其長度、寬度均相同；

在所述的多個有源區(qū)上方，還具有多個互相平行且與有源區(qū)垂直的多晶硅線，所述多晶硅線與其下方的半導體基板之間還分別形成有多個接觸孔，所述多個接觸孔避開有源區(qū)，位于有源區(qū)之間的區(qū)域；

其特征在于：所述接觸孔的尺寸大于多晶硅線的寬度，所述的多個平行多晶硅線在接觸孔區(qū)域其寬度變大，以滿足接觸孔的落孔尺寸要求；

每間隔一定數(shù)量的節(jié)點，在有源區(qū)之間設置一個多晶硅線的接觸孔的集中接觸區(qū)，通過將相鄰的多晶硅線的接觸孔區(qū)域進行互補型局部放大，彼此錯開，以節(jié)省接觸孔區(qū)所占用的面積。

2.如權(quán)利要求1所述的1.5T SONOS閃存器件的接觸孔連接方法，其特征在于：所述的半導體基板為硅襯底。

3.如權(quán)利要求1所述的1.5T SONOS閃存器件的接觸孔連接方法，其特征在于：所述的多個有源區(qū)，每個有源區(qū)形成一個1.5T SONOS閃存器件的存儲單元；其上方的多晶硅線，形成相關(guān)子單元的柵極，包括選擇管柵極、存儲管柵極，以及共用的共源多晶硅線，同時所述的多晶硅線也作為連接各子單元柵極的導線。

4.如權(quán)利要求1所述的1.5T SONOS閃存器件的接觸孔連接方法，其特征在于：所述的多晶硅線，或者是金屬線；所述多晶硅線上方還能制作有金屬硅化物以降低電阻。

5.如權(quán)利要求1所述的1.5T SONOS閃存器件的接觸孔連接方法，其特征在于：所述的多晶硅線，在集中接觸區(qū)，設定一根多晶硅線的接觸孔區(qū)，與這根多晶硅線相鄰的另一根多晶硅線的接觸孔區(qū)錯開前述接觸孔區(qū)，形成互相嚙合的拼圖形貌，這樣能保證各自有效的接觸孔區(qū)尺寸，同時降低集中接觸區(qū)的整體版圖占用面積。

6.如權(quán)利要求1所述的1.5T SONOS閃存器件的接觸孔連接方法，其特征在于：所述的有源區(qū)中，其器件為對稱排布，包含有選擇管及存儲管，選擇管和存儲管相對共源多晶硅線的對稱一側(cè)也具有選擇管和存儲管；其中，所述選擇管和對稱管的位置能夠互換。

7.如權(quán)利要求1所述的1.5T SONOS閃存器件的接觸孔連接方法，其特征在于：所述的條形有源區(qū)兩端還具有接觸孔，引出存儲單元的位線。

8.如權(quán)利要求1所述的1.5T SONOS閃存器件的接觸孔連接方法，其特征在于：在所述的集中接觸區(qū)中的任一根或多根多晶硅線上，還能設置兩個或兩個以上的接觸孔，以滿足后道金屬線跨層連接的工藝需求。