[發明專利]改善鋁線中銅析出缺陷的方法

在審

• 申請號: 202010620698.2
• 申請日: 2020-07-01
• 公開（公告）號: CN111883456A
• 公開（公告）日: 2020-11-03
• 發明（設計）人: 劉俊
• 申請（專利權）人: 上海華虹宏力半導體制造有限公司
• 主分類號: H01L21/67
• 分類號: H01L21/67
• 代理公司: 上海浦一知識產權代理有限公司 31211
• 代理人: 焦健

1.一種改善鋁線中銅析出缺陷的方法，其特征在于：當在對晶圓進行加工，機臺設備由于異常而出現報警停止運轉時，立即升起晶圓承臺上的舉升頂針，使晶圓脫離高溫的晶圓承臺，避免晶圓承臺熱傳導使晶圓處于長期高溫而導致銅從鋁中析出。

2.如權利要求1所述的改善鋁線中銅析出缺陷的方法，其特征在于：所述的機臺設備是鋁淀積之后所使用到的設備，指包含金屬濺射設備、金屬刻蝕設備、干法去膠設備、化學氣相沉積設備。

3.如權利要求1所述的改善鋁線中銅析出缺陷的方法，其特征在于：所述晶圓承臺為晶圓加工過程中放置晶圓的工作臺；所述晶圓承臺的的舉升頂針，在機臺設備正常運作時，收縮到晶圓承臺內部，使晶圓緊貼于晶圓承臺表面。

4.如權利要求1所述的改善鋁線中銅析出缺陷的方法，其特征在于：所述晶圓上包含有鋁線或者是鋁薄膜，即完成鋁淀積之后的晶圓；所述的鋁線或鋁薄膜摻有0.5％質量比的銅。

5.如權利要求2所述的改善鋁線中銅析出缺陷的方法，其特征在于：所述的機臺設備在處于報警時會立即停止運轉。

6.如權利要求5所述的改善鋁線中銅析出缺陷的方法，其特征在于：所述的機臺設備報警是指硅片背面氣壓、氣壓、MFC流量、RF射頻功率、RF反射波參數異常時機臺設備報警。

7.如權利要求1所述的改善鋁線中銅析出缺陷的方法，其特征在于：所述的機臺內部溫度達到200攝氏度以上。