[發(fā)明專利]一種光學(xué)薄膜沉積在線膜厚監(jiān)控系統(tǒng)及方法在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 202010620578.2 | 申請(qǐng)日: | 2020-06-30 |
| 公開(公告)號(hào): | CN113862629A | 公開(公告)日: | 2021-12-31 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 劉書琴 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 劉書琴 |
| 主分類號(hào): | C23C14/54 | 分類號(hào): | C23C14/54;C23C16/52 |
| 代理公司: | 深圳國海智峰知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 44489 | 代理人: | 劉軍鋒 |
| 地址: | 518103 廣東省深*** | 國省代碼: | 廣東;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 光學(xué)薄膜 沉積 在線 監(jiān)控 系統(tǒng) 方法 | ||
本發(fā)明涉及光學(xué)薄膜制備技術(shù)領(lǐng)域,尤其涉及一種光學(xué)薄膜沉積在線膜厚監(jiān)控系統(tǒng)及方法。該系統(tǒng)包括真空室、工件盤、夾具孔、光源、光譜采集儀、信號(hào)傳輸系統(tǒng)、上位機(jī),工件盤置于真空室內(nèi),光譜采集儀置于真空室外部;夾具孔設(shè)置在工件盤上,工件盤旋轉(zhuǎn)過程中,夾具孔所在圓環(huán)與光源和光譜采集儀構(gòu)成的光路相交;夾具孔包括與工件盤的旋轉(zhuǎn)軸等距設(shè)置的第一通孔和第二通孔;第一通孔或第二通孔上放置監(jiān)控片;光譜采集儀和上位機(jī)通過信號(hào)傳輸系統(tǒng)通信連接。本發(fā)明利用光源、光譜采集儀、夾具孔等構(gòu)成光路,對(duì)沉積在工件盤上的薄膜的透過率或反射率光譜進(jìn)行實(shí)時(shí)采集,通過上位機(jī)計(jì)算實(shí)時(shí)獲知薄膜厚度,實(shí)現(xiàn)了對(duì)光學(xué)薄膜厚度的在線直接監(jiān)控。
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及光學(xué)薄膜制備技術(shù)領(lǐng)域,尤其涉及一種光學(xué)薄膜沉積在線膜厚監(jiān)控系統(tǒng)及方法。
背景技術(shù)
光學(xué)薄膜泛指在光學(xué)器件或光電子元器件表面用物理化學(xué)等方法沉積的,利用光的干涉現(xiàn)象以改變其光學(xué)特性來產(chǎn)生增透、反射、分光、分色、帶通或截止等光學(xué)現(xiàn)象的各類膜系。光學(xué)薄膜的制備是一個(gè)復(fù)雜的過程,制備過程中包括環(huán)境真空條件、蒸發(fā)速率、基板溫度等工藝因素都會(huì)對(duì)薄膜的結(jié)構(gòu)和性能產(chǎn)生影響,其中影響最大的往往是薄膜的厚度均勻性。因此在薄膜制備設(shè)備中,往往都配有膜厚監(jiān)控系統(tǒng)。
現(xiàn)階段用于光學(xué)薄膜厚度在線監(jiān)控的技術(shù)是晶振監(jiān)控。晶振監(jiān)控的工作機(jī)理是基于晶振片的固有頻率與其質(zhì)量的近似線性相關(guān)性,如下式所示。
其中,f為晶振片的振動(dòng)頻率,ρM和ρQ分別為膜料與晶振片的密度,d為膜料厚度,N是與石英晶體的幾何尺寸和切割類型相關(guān)的頻率常數(shù)。當(dāng)膜層質(zhì)量遠(yuǎn)小于晶振片的質(zhì)量時(shí),石英晶體頻率的變化Δf與沉積薄膜厚度ΔdM呈近似線性關(guān)系。
通過測量固有頻率的變化,對(duì)橫截面積、薄膜密度等常數(shù)的數(shù)學(xué)處理,可實(shí)現(xiàn)對(duì)沉積在晶振片上薄膜的質(zhì)量監(jiān)測,即可間接實(shí)現(xiàn)對(duì)薄膜厚度的在線監(jiān)控。然而針對(duì)現(xiàn)有晶振監(jiān)控技術(shù),存在下述兩方面的缺點(diǎn):
一方面,該監(jiān)控技術(shù)對(duì)薄膜厚度的監(jiān)控涉及對(duì)薄膜密度等中間常數(shù)的數(shù)學(xué)轉(zhuǎn)換,屬于間接測量。確切薄膜密度實(shí)際上難以獲知,實(shí)踐中的普遍處理方式是采用橢偏儀等離線方式測量薄膜厚度,與晶振監(jiān)控所測的薄膜厚度進(jìn)行對(duì)比,從而得到真實(shí)的薄膜密度。因間接測量涉及到較多中間步驟,因此晶振監(jiān)控技術(shù)容易引入系統(tǒng)性誤差,造成厚度測量不精確,導(dǎo)致產(chǎn)品不合格。
另一方面,離子源輔助沉積是當(dāng)前薄膜行業(yè)普遍采用的工藝。晶振監(jiān)控技術(shù)卻難以應(yīng)用于該場合,其原因在于晶振片表面的金屬電極非常容易被離子束破壞,導(dǎo)致測量誤差極大甚至無法測量。因此,晶振監(jiān)控技術(shù)只適合于無離子源輔助的場合,勢(shì)必導(dǎo)致薄膜疏松等質(zhì)量問題,是當(dāng)今薄膜行業(yè)亟需解決的問題。
此外,晶振監(jiān)控因涉及到較多中間步驟,導(dǎo)致光學(xué)薄膜器件生產(chǎn)成本較高;而且晶振片價(jià)格昂貴,使用壽命較短,也增加了光學(xué)薄膜器件的生產(chǎn)成本。
發(fā)明內(nèi)容
針對(duì)以上技術(shù)問題,本發(fā)明提供一種光學(xué)薄膜沉積在線膜厚監(jiān)控系統(tǒng),對(duì)沉積在基片上薄膜的透過率或反射率光譜進(jìn)行實(shí)時(shí)采集,通過計(jì)算實(shí)時(shí)獲知薄膜厚度。
本發(fā)明采用以下技術(shù)方案:
一種光學(xué)薄膜沉積在線膜厚監(jiān)控系統(tǒng),包括真空室、工件盤、夾具孔、光源、光譜采集儀、信號(hào)傳輸系統(tǒng)、上位機(jī),其中:
工件盤置于真空室內(nèi),光譜采集儀置于真空室外部;
夾具孔設(shè)置在工件盤上,工件盤旋轉(zhuǎn)過程中,夾具孔所在圓環(huán)與光源和光譜采集儀構(gòu)成的光路相交;
夾具孔包括與工件盤的旋轉(zhuǎn)軸等距設(shè)置的第一通孔和第二通孔;
第一通孔或第二通孔上放置監(jiān)控片;
光譜采集儀和上位機(jī)通過信號(hào)傳輸系統(tǒng)通信連接;
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C23C 對(duì)金屬材料的鍍覆;用金屬材料對(duì)材料的鍍覆;表面擴(kuò)散法,化學(xué)轉(zhuǎn)化或置換法的金屬材料表面處理;真空蒸發(fā)法、濺射法、離子注入法或化學(xué)氣相沉積法的一般鍍覆
C23C14-00 通過覆層形成材料的真空蒸發(fā)、濺射或離子注入進(jìn)行鍍覆
C23C14-02 .待鍍材料的預(yù)處理
C23C14-04 .局部表面上的鍍覆,例如使用掩蔽物
C23C14-06 .以鍍層材料為特征的
C23C14-22 .以鍍覆工藝為特征的
C23C14-58 .后處理
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