[發明專利]圖像傳感器

在審

• 申請號: 202010620236.0
• 申請日: 2020-07-01
• 公開（公告）號: CN113206109A
• 公開（公告）日: 2021-08-03
• 發明（設計）人: 郭坪水;金昞勛
• 申請（專利權）人: 愛思開海力士有限公司
• 主分類號: H01L27/146
• 分類號: H01L27/146
• 代理公司: 北京三友知識產權代理有限公司 11127
• 代理人: 劉久亮;黃綸偉

圖像傳感器。公開了一種圖像傳感器，該圖像傳感器可以包括：多個光電二極管，其在第一方向和第二方向上以矩陣布置；多個第一隔離層，在第一方向上布置的每兩個相鄰的第一隔離層彼此間隔開第一距離，每個第一隔離層介于在第二方向上布置的相鄰的光電二極管之間；以及多個第二隔離層，在第二方向布置的每兩個相鄰的第二隔離層彼此間隔開第二距離，每個第二隔離層介于在第一方向上布置的相鄰的光電二極管之間。在第一方向布置的兩個相鄰的第一隔離層之間的空間和在第二方向上布置的兩個相鄰的第二隔離層之間的空間交疊，以在包括第一隔離層和第二隔離層的基板內形成由兩個相鄰的第一隔離層和兩個相鄰的第二隔離層圍繞的空白區域。

技術領域

該專利文獻中所公開的技術和實現總體上涉及用于生成與入射光相對應的電信號的圖像傳感器。

背景技術

圖像傳感器是用于通過使用對光起反應的光敏半導體材料將光轉換成電信號來捕獲光學圖像的裝置。隨著汽車、醫療、計算機和通信行業的最新發展，在諸如智能手機、數碼相機、游戲機、物聯網(IoT)、機器人、監控攝像頭、醫療微型相機等的各種裝置中，對高性能圖像傳感器的需求日益增加。

圖像傳感器可以大致分為基于電荷耦合器件(CCD)的圖像傳感器和基于CMOS(互補金屬氧化物半導體)的圖像傳感器。與CMOS圖像傳感器相比，CCD圖像傳感器提供了最佳可用圖像質量，但它們趨向于消耗更多電力并且尺寸更大。與CCD圖像傳感器相比，CMOS圖像傳感器尺寸更小且消耗更少電力。可以使用許多不同的掃描方案來實現CMOS圖像傳感器，并且由于CMOS傳感器是使用CMOS制造技術制造的，因此CMOS圖像傳感器和其它信號處理電路可以集成在單個芯片中，從而能夠以較低成本制造小尺寸圖像傳感器。由于這些原因，CMOS圖像傳感器正被深入研究并迅速進入廣泛使用。

發明內容

該專利文獻尤其提供了能夠避免光致抗蝕劑圖案在圖案化工藝期間的潛在坍塌的圖像傳感器的制造方法。

所公開技術的實施方式能夠實現為通過使在制造工藝中的缺陷和可變性最小化來提高生產率。

在所公開技術的一個實施方式中，一種圖像傳感器可以包括：多個光電二極管，其在第一方向和第二方向上以矩陣布置；多個第一隔離層，在第一方向上布置的每兩個相鄰的第一隔離層彼此間隔開第一距離，每個第一隔離層介于在第二方向上布置的相鄰的光電二極管之間；以及多個第二隔離層，在第二方向上布置的每兩個相鄰的第二隔離層彼此間隔開第二距離，每個第二隔離層介于在第一方向上布置的相鄰的光電二極管之間。在第一方向布置的兩個相鄰的第一隔離層之間的空間和在第二方向上布置的兩個相鄰的第二隔離層之間的空間交疊，以在包括第一隔離層和第二隔離層的基板內形成由兩個相鄰的第一隔離層和兩個相鄰的第二隔離層圍繞的空白區域。

根據所公開的技術的另一個實施方式，一種圖像傳感器可以包括：多個光電二極管，其以矩陣形狀布置；多個第一隔離層，其在第一方向和第二方向上以規則間隔布置，在第一方向上布置的每兩個相鄰的第一隔離層彼此間隔開第一距離，每個第一隔離層介于在第二方向上布置的相鄰光電二極管之間；以及多個第二隔離層，其在第一方向和第二方向上以規則間隔布置，在第二方向上布置的每兩個相鄰的第二隔離層彼此間隔開第二距離，每個第二隔離層介于在第一方向上布置的相鄰光電二極管之間。在包括第一隔離層和第二隔離層的基板內的、由四個相鄰光電二極管圍繞的區域處形成空白區域。

應當理解，本專利文獻中的前述概括描述、附圖和以下詳細描述是所公開技術的技術特征和實現的示例和解釋。

附圖說明

圖1是例示了基于所公開技術的一些實現的圖像傳感器的示例的框圖。

圖2是例示了沿著圖1所示的線A-A′截取的單位像素的示例的截面圖。

圖3是例示了基于所公開技術的一個實施方式的像素陣列的示例的布局圖。

圖4是例示了用于形成圖3所示的第一深光電二極管(DPD)隔離層的第一光致抗蝕劑的示例的平面圖。