[發(fā)明專利]新型邊緣刻蝕反應(yīng)裝置和邊緣刻蝕方法

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• 申請日: 2020-07-01
• 公開（公告）號: CN111627842A
• 公開（公告）日: 2020-09-04
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 吳堃;楊猛
• 申請（專利權(quán)）人: 上海邦芯半導(dǎo)體設(shè)備有限公司
• 主分類號: H01L21/67
• 分類號: H01L21/67;H01L21/02;H01L21/68;H01J37/32
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1.一種新型邊緣刻蝕反應(yīng)裝置，其特征在于，包括：

刻蝕系統(tǒng)，所述刻蝕系統(tǒng)包括:下電極;與所述下電極相對的上電極;位于所述下電極和所述上電極之間的射頻隔離環(huán);

所述射頻隔離環(huán)包括:位于所述下電極外部區(qū)域的下射頻隔離環(huán);位于所述上電極外部區(qū)域的上射頻隔離環(huán),所述上射頻隔離環(huán)和所述下射頻隔離環(huán)之間具有間隙；

傳片系統(tǒng)，所述傳片系統(tǒng)適于將晶圓的邊緣區(qū)域或者校準(zhǔn)晶圓的邊緣區(qū)域通過所述間隙延伸至所述射頻隔離環(huán)側(cè)部的下電極和上電極之間；

所述刻蝕系統(tǒng)位于所述傳片系統(tǒng)的側(cè)部,所述刻蝕系統(tǒng)和所述傳片系統(tǒng)集成在一起；

光學(xué)定位系統(tǒng)，所述光學(xué)定位系統(tǒng)包括：校準(zhǔn)晶圓；光學(xué)探測部件；光學(xué)接收部件，所述光學(xué)探測部件適于向所述光學(xué)接收部件發(fā)射探測光，所述探測光適于部分照射在傳片系統(tǒng)中的校準(zhǔn)晶圓的邊緣或者晶圓的邊緣；修正單元，所述修正單元適于根據(jù)光學(xué)接收部件對校準(zhǔn)晶圓和晶圓分別獲取的光信息的差別修正晶圓的位置。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的新型邊緣刻蝕反應(yīng)裝置，其特征在于，所述傳片系統(tǒng)包括:腔主體;位于所述腔主體中的支撐移動平臺,所述支撐移動平臺包括用于水平放置晶圓或者校準(zhǔn)晶圓的晶圓夾持板,所述晶圓夾持板可圍繞垂直晶圓夾持板表面的中心軸進(jìn)行旋轉(zhuǎn)。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的新型邊緣刻蝕反應(yīng)裝置，其特征在于,所述校準(zhǔn)晶圓的邊緣具有第一標(biāo)記缺口；所述晶圓具有第二標(biāo)記缺口；

所述光學(xué)接收部件適于在晶圓夾持板夾持校準(zhǔn)晶圓并不斷旋轉(zhuǎn)的過程中獲取第一光信息變化曲線；

所述光學(xué)接收部件還適于在晶圓夾持板夾持晶圓并不斷旋轉(zhuǎn)的過程中獲取第二光信息變化曲線；

所述修正單元適于根據(jù)第二光信息變化曲線和第一光信息變化曲線之間的差別修正晶圓的位置。

4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的新型邊緣刻蝕反應(yīng)裝置，其特征在于,所述光學(xué)探測部件的數(shù)量至少包括兩個，分別為第一探測部件和第二探測部件；所述光學(xué)接收部件的數(shù)量至少包括兩個，分別為第一接收部件和第二接收部件；所述第一探測部件在所述晶圓夾持板上的投影至晶圓夾持板的中心的連線為第一連線，所述第二探測部件在所述晶圓夾持板上的投影至晶圓夾持板的中心的連線為第二連線，所述第二連線與所述第一連線垂直；所述校準(zhǔn)晶圓的邊緣具有第一標(biāo)記線槽和第二標(biāo)記線槽，所述第一標(biāo)記線槽至校準(zhǔn)晶圓的中心的連線垂直于第二標(biāo)記線槽至校準(zhǔn)晶圓的中心的連線。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的新型邊緣刻蝕反應(yīng)裝置，其特征在于,所述第一探測部件適于在晶圓夾持板夾持校準(zhǔn)晶圓并靜止時照射在第一標(biāo)記線槽的位置，所述第一接收部件適于在晶圓夾持板夾持校準(zhǔn)晶圓并靜止時獲取第一光強；所述第二探測部件適于在晶圓夾持板夾持校準(zhǔn)晶圓并靜止時照射在第二標(biāo)記線槽的位置，所述第二接收部件適于在晶圓夾持板夾持校準(zhǔn)晶圓并靜止時獲取第二光強；

所述第一探測部件適于在晶圓夾持板夾持晶圓并靜止時部分照射在晶圓的邊緣，所述第一接收部件適于在晶圓夾持板夾持晶圓并靜止時獲取第三光強；所述第二探測部件適于在晶圓夾持板夾持晶圓并靜止時部分照射在晶圓的邊緣，所述第二接收部件適于在晶圓夾持板夾持晶圓并靜止時獲取第四光強；

所述第三光強和所述第一光強之差適于保持在第一閾值內(nèi)，所述第四光強和所述第二光強之差適于保持在第二閾值內(nèi)。

6.根據(jù)權(quán)利要求2所述的新型邊緣刻蝕反應(yīng)裝置，其特征在于,還包括：貫穿所述腔主體頂面的探測通道；所述光學(xué)探測部件位于所述探測通道上且覆蓋所述腔主體部分頂面；所述光學(xué)接收部件位于所述光學(xué)探測部件的下方且與所述光學(xué)探測部件相對。

7.根據(jù)權(quán)利要求2所述的新型邊緣刻蝕反應(yīng)裝置，其特征在于，所述支撐移動平臺包括：支撐座,所述支撐座為可移動支撐座，所述可移動支撐座適于在水平方向進(jìn)行移動；位于所述支撐座上的旋轉(zhuǎn)支撐柱，所述旋轉(zhuǎn)支撐柱可圍繞所述旋轉(zhuǎn)支撐柱的中心軸進(jìn)行勻速旋轉(zhuǎn)；所述晶圓夾持板位于所述支撐柱上。