[發明專利]一種耐候性高的阻隔膜結構

在審

• 申請號: 202010619872.1
• 申請日: 2020-07-01
• 公開（公告）號: CN111775518A
• 公開（公告）日: 2020-10-16
• 發明（設計）人: 胡文瑋
• 申請（專利權）人: 汕頭萬順新材集團股份有限公司;廣東萬順科技有限公司
• 主分類號: B32B9/00
• 分類號: B32B9/00;B32B9/04;B32B33/00;B32B15/095;B32B15/092;B32B15/08;B32B15/082;B32B15/09;B32B15/085;B32B15/04;B32B27/36;B32B27/28;B32B27/32;B32B27
• 代理公司: 廣州知順知識產權代理事務所(普通合伙) 44401
• 代理人: 彭志堅

1.一種耐候性高的阻隔膜結構，其特征在于，包括柔性基膜、底涂層、第二無機物阻隔層、無機物反應層、第一無機物阻隔層和有機物保護層，所述柔性基膜的一側設置所述底涂層，所述底涂層相對所述柔性基膜的另一側設置所述第二無機物阻隔層，所述第二無機物阻隔層相對所述底涂層的另一側設置所述無機物反應層，所述無機物反應層相對所述第二無機物阻隔層的另一側設置所述第一無機物阻隔層，所述第一無機物阻隔層相對所述無機物反應層的另一側設置所述有機物保護層。

2.根據權利要求1所述的一種耐候性高的阻隔膜結構，其特征在于，所述底涂層設為丙烯酸酯層、聚氨酯層、環氧樹脂層、乙烯-乙烯醇共聚物層、聚乙烯醇層其中的一種。

3.根據權利要求2所述的一種耐候性高的阻隔膜結構，其特征在于，所述底涂層的厚度設為0.1um～5um之間，或者，所述底涂層的厚度設為0.2um～2um之間，或者，所述底涂層的厚度設為0.3um～1um之間。

4.根據權利要求2或3所述的一種耐候性高的阻隔膜結構，其特征在于，所述有機物保護層包含丙烯酸酯、聚氨酯、環氧樹脂、乙烯-乙烯醇共聚物、聚乙烯醇其中的一種。

5.根據權利要求4所述的一種耐候性高的阻隔膜結構，其特征在于，所述有機物保護層的厚度設為0.1um～5um之間，或者，所述有機物保護層的厚度設為0.2um～2um之間，或者，所述有機物保護層的厚度設為0.3um～1um之間。

6.根據權利要求4所述的一種耐候性高的阻隔膜結構，其特征在于，所述底涂層和所述有機物保護層中均設有無機物粒子，所述無機物粒子設為金屬氧化物、金屬氮化物、金屬氮氧化合物其中的一種或二種以上。

7.根據權利要求1所述的一種耐候性高的阻隔膜結構，其特征在于，所述第一無機物阻隔層和所述第二無機物阻隔層設為相同的材質，其包含金屬、金屬氧化物、金屬氮化物、金屬氮氧化合物、金屬碳氮化合物、金屬碳氧化合物中的一種或二種以上。

8.根據權利要求7所述的一種耐候性高的阻隔膜結構，其特征在于，所述第一無機物阻隔層和所述第二無機物阻隔層的厚度均設為10nm～500nm之間，或者，所述第一無機物阻隔層和所述第二無機物阻隔層的厚度均設為20nm～200nm之間，或者，所述第一無機物阻隔層和所述第二無機物阻隔層的厚度均設為20nm～100nm之間。

9.根據權利要求7所述的一種耐候性高的阻隔膜結構，其特征在于，所述金屬包含硅、鋁、鋅、鈦、銦、錫、鈮、銀、釕、鎵、鉭、鉑、釩其中的一種。

10.根據權利要求1所述的一種耐候性高的阻隔膜結構，其特征在于，所述無機物反應層設為鹼金屬氧化物層、氧化鋅層、氧化錫層、氧化鈦層、二氧化鈦層、金屬參雜氧化鋅層或氧化硅層其中的一種。

11.根據權利要求1或10所述的一種耐候性高的阻隔膜結構，其特征在于，所述無機物反應層的厚度設為10nm～1000nm之間，或者，所述無機物反應層的厚度設為20nm～800nm之間，或者，所述無機物反應層的厚度設為30nm～500nm之間。

12.根據權利要求1所述的一種耐候性高的阻隔膜結構，其特征在于，所述柔性基膜設為PET膜、OPP膜、ONY膜、PI膜、PMMA膜、COP膜、TAC膜、PC膜或PEN膜。

13.根據權利要求1或12所述的一種耐候性高的阻隔膜結構，其特征在于，所述柔性基膜的厚度設為6um～250um之間，或者，所述柔性基膜的厚度設為8um～188um之間，或者，所述柔性基膜的厚度設為12um～125um之間。

14.根據權利要求1所述的一種耐候性高的阻隔膜結構，其特征在于，所述第一無機物阻隔層和所述第二無機物阻隔層均包含缺陷，所述缺陷設為裂痕、針孔或異物中的一種或二種以上。