[發(fā)明專利]顯示面板和顯示裝置有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 202010619221.2 | 申請日: | 2020-06-30 |
| 公開(公告)號: | CN111668279B | 公開(公告)日: | 2022-09-13 |
| 發(fā)明(設計)人: | 郭林山;匡婭祺 | 申請(專利權(quán))人: | 湖北長江新型顯示產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新中心有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/32 | 分類號: | H01L27/32;G09G3/20 |
| 代理公司: | 北京晟睿智杰知識產(chǎn)權(quán)代理事務所(特殊普通合伙) 11603 | 代理人: | 于淼 |
| 地址: | 430074 湖北省武漢市東湖新技術(shù)*** | 國省代碼: | 湖北;42 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 顯示 面板 顯示裝置 | ||
1.一種顯示面板,其特征在于,包括顯示區(qū)和圍繞所述顯示區(qū)設置的非顯示區(qū),所述非顯示區(qū)包括綁定區(qū);所述顯示面板包括:
基板;
陣列層,位于所述基板一側(cè),所述陣列層至少包括第一金屬層,所述第一金屬層至少包括多條第一信號線;
封裝層,位于所述陣列層遠離所述基板的一側(cè);
觸控層,位于所述封裝層遠離所述基板的一側(cè),所述觸控層至少包括第二金屬層,所述第二金屬層至少包括多條第二信號線;
在所述綁定區(qū)范圍內(nèi),所述第一信號線與所述第二信號線直接貼合電連接,相鄰兩條所述第一信號線之間設有第一有機絕緣部;
在所述顯示區(qū)范圍內(nèi),所述封裝層和所述觸控層之間至少包括第一有機絕緣層,所述綁定區(qū)范圍內(nèi)的所述第一有機絕緣部與所述顯示區(qū)范圍內(nèi)的所述第一有機絕緣層同層設置。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示面板,其特征在于,在垂直于所述顯示面板出光面的方向上,所述第一有機絕緣部的厚度大于或等于所述第一信號線的厚度,且所述第一有機絕緣部的厚度小于或等于所述第一信號線和所述第二信號線的厚度之和。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示面板,其特征在于,在所述顯示區(qū)范圍內(nèi),所述封裝層和所述觸控層之間至少包括第二有機絕緣層;
所述綁定區(qū)范圍內(nèi)的所述第一有機絕緣部與所述顯示區(qū)范圍內(nèi)的所述第二有機絕緣層同層設置。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的顯示面板,其特征在于,
在所述顯示區(qū)范圍內(nèi),所述封裝層和所述觸控層之間還包括第三有機絕緣層,所述第三有機絕緣層位于所述第二有機絕緣層遠離所述基板的一側(cè);
在所述綁定區(qū)范圍內(nèi),相鄰兩條所述第二信號線之間設有第二有機絕緣部,所述第二有機絕緣部與所述第一有機絕緣部層疊設置,所述綁定區(qū)范圍內(nèi)的所述第二有機絕緣部與所述顯示區(qū)范圍內(nèi)的所述第三有機絕緣層同層設置。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的顯示面板,其特征在于,所述第二有機絕緣部向所述顯示面板出光面的正投影位于所述第一有機絕緣部向所述顯示面板出光面的正投影的范圍內(nèi)。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示面板,其特征在于,在所述綁定區(qū)范圍內(nèi),所述第二信號線向所述顯示面板出光面的正投影與所述第一信號線向所述顯示面板出光面的正投影至少部分交疊。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示面板,其特征在于,在所述綁定區(qū)范圍內(nèi),相鄰兩條所述第一信號線之間的間距大于0且小于2μm。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示面板,其特征在于,所述觸控層包括矩陣排列的多個第一觸控電極以及矩陣排列的多個第二觸控電極,同一矩陣行中相鄰的所述第一觸控電極通過第一連接部電連接,同一矩陣列中相鄰的所述第二觸控電極通過第二連接部電連接;
所述第一連接部與所述第一觸控電極同層設置;
在所述顯示區(qū)范圍內(nèi),所述第二連接部與所述第一觸控電極之間設置有觸控絕緣層,相鄰的所述第二觸控電極通過開設在所述觸控絕緣層的過孔實現(xiàn)電連接。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的顯示面板,其特征在于,所述第一觸控電極位于所述第二金屬層。
10.根據(jù)權(quán)利要求8所述的顯示面板,其特征在于,所述第二連接部位于所述第二金屬層。
11.一種顯示裝置,其特征在于,包括權(quán)利要求1-10任一項所述的顯示面板。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內(nèi)或其上形成的多個半導體或其他固態(tài)組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發(fā)射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結(jié)點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





