[發明專利]N型電池正面SE結構的制備方法在審
| 申請號： | 202010619097.X | 申請日： | 2020-07-01 |
| 公開（公告）號： | CN111739958A | 公開（公告）日： | 2020-10-02 |
| 發明（設計）人： | 瞿輝;曹玉甲;楊松波;張強;袁玲;楊三川 | 申請（專利權）人： | 江蘇順風光電科技有限公司 |
| 主分類號： | H01L31/0288 | 分類號： | H01L31/0288;H01L31/0224;H01L31/0236;H01L31/18 |
| 代理公司： | 南京正聯知識產權代理有限公司 32243 | 代理人： | 朱曉凱 |
| 地址： | 213123 江蘇省常州*** | 國省代碼： | 江蘇;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 電池 正面 se 結構 制備 方法 | ||
【權利要求書】：
1.一種N型電池正面SE結構的制備方法，其特征在于包括如下步驟：
S1：制絨；
S2：氧化：在硅片表面生長一層60-80nm的氧化層；
S3：激光開槽：按照細柵線的圖形位置在氧化層上進行激光開槽，使對應的氧化層消融，同時在消融后的硅表面在激光熱量作用下形成一個厚度在5-7nm的熱氧化層；
S4：硼擴散。
2.根據權利要求1所述的N型電池正面SE結構的制備方法，其特征在于：步驟S2中所述氧化層厚度為70-75nm。
3.根據權利要求1所述的N型電池正面SE結構的制備方法，其特征在于：步驟S3中所述激光開槽采用激光器進行，所述激光器功率控制在12-14W。
4.根據權利要求1所述的N型電池正面SE結構的制備方法，其特征在于：步驟S4中所述硼擴散的擴散溫度控制在950℃-980℃。
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H01 基本電氣元件
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射，或微粒輻射敏感的，并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的，或者專門適用于通過這樣的輻射進行電能控制的半導體器件；專門適用于制造或處理這些半導體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的，例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內或其上形成的，一個或多個電光源，如場致發光光源在結構上相連的，并與其電光源在電氣上或光學上相耦合的
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