[發(fā)明專利]一種DC-DC全波電感電流傳感器有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 202010618884.2 | 申請日: | 2020-06-30 |
| 公開(公告)號: | CN111812382B | 公開(公告)日: | 2021-09-21 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 李斌;劉育洋;吳朝暉;鄭彥祺 | 申請(專利權(quán))人: | 華南理工大學(xué) |
| 主分類號: | G01R19/00 | 分類號: | G01R19/00 |
| 代理公司: | 廣州嘉權(quán)專利商標(biāo)事務(wù)所有限公司 44205 | 代理人: | 胡輝 |
| 地址: | 510640 廣*** | 國省代碼: | 廣東;44 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 dc 電感 電流傳感器 | ||
1.一種DC-DC全波電感電流傳感器,其特征在于,包括:
PMOS鏡像模塊,用于根據(jù)電感公共端輸入的電感電流和誤差放大信號,輸出第一鏡像電流,其中,所述PMOS鏡像模塊包括第一鏡像PMOS管、第二鏡像PMOS管、第三鏡像PMOS管、第四鏡像PMOS管、第五鏡像PMOS管、第六鏡像PMOS管和第七鏡像PMOS管;
所述第一鏡像PMOS管源極與電源連接,所述第一鏡像PMOS管的漏極與電感公共端、第一鏡像NMOS管的漏極和第二鏡像NMOS管的漏極連接,所述第一鏡像PMOS管的柵極與P柵使能信號發(fā)生模塊連接;
所述第二鏡像PMOS管的源極與電源連接,所述第二鏡像PMOS管的漏極與第四鏡像NMOS管的漏極連接,所述第二鏡像PMOS管的柵極與地連接;
所述第三鏡像PMOS管的源極與電源連接,所述第三鏡像PMOS管的漏極與第三鏡像NMOS管的漏極和第四開關(guān)PMOS管的源極連接,所述第三鏡像PMOS管的柵極與地連接;
所述第四鏡像PMOS管的源極與電源連接,所述第四鏡像PMOS管的漏極與第四鏡像PMOS管的柵極、第五鏡像PMOS管的源極和第六鏡像PMOS管的柵極連接;
所述第五鏡像PMOS管的源極與第四鏡像PMOS管的漏極和柵極連接,所述第五鏡像PMOS管的漏極與第五鏡像PMOS管的柵極、第七鏡像PMOS管的柵極和第七鏡像NMOS管的漏極連接;
所述第六鏡像PMOS管的源極與電源連接,所述第六鏡像PMOS管的漏極與第七鏡像PMOS管的源極連接,所述第六鏡像PMOS管的柵極與第四鏡像PMOS管的柵極連接;
所述第七鏡像PMOS管的源極與第六鏡像PMOS管的漏極連接,所述第七鏡像PMOS管的漏極輸出全波電感電流采樣信號,所述第七鏡像PMOS管的柵極與第五鏡像PMOS管的柵極、第五鏡像PMOS管的漏極和第七鏡像NMOS管的漏極連接;
所述第一鏡像PMOS管、第二鏡像PMOS管、第三鏡像PMOS管、第四鏡像PMOS管、第五鏡像PMOS管、第六鏡像PMOS管和第七鏡像PMOS管的襯底極均與電源連接;
NMOS鏡像模塊,用于根據(jù)電感公共端輸入的電感電流和誤差放大信號,輸出第二鏡像電流,其中,所述NMOS鏡像模塊包括第一鏡像NMOS管、第二鏡像NMOS管、第三鏡像NMOS管、第四鏡像NMOS管、第五鏡像NMOS管、第六鏡像NMOS管和第七鏡像NMOS管;
所述第一鏡像NMOS管的源極與地連接,所述第一鏡像NMOS管的漏極與電感公共端、第一鏡像PMOS管的漏極和第二鏡像NMOS管的漏極連接,所述第一鏡像NMOS管的柵極與N柵使能信號發(fā)生模塊連接;
所述第二鏡像NMOS管的源極與第六鏡像NMOS管的源極、第三開關(guān)NMOS管的源極第四開關(guān)NMOS管的漏極連接,所述第二鏡像NMOS管的漏極與電感公共端、第一鏡像PMOS管的漏極和第一鏡像NMOS管的漏極連接,所述第二鏡像NMOS管的柵極與N柵使能信號發(fā)生模塊連接;
所述第三鏡像NMOS管的源極與第五鏡像NMOS管的漏極和柵極連接,所述第三鏡像NMOS管的漏極與第三鏡像PMOS管的漏極和第四開關(guān)PMOS管的源極連接,所述第三鏡像NMOS管的柵極與誤差放大模塊的輸出端和第四鏡像NMOS管的柵極連接;
所述第四鏡像NMOS管的源極與第六鏡像NMOS管的漏極和柵極連接,所述第四鏡像NMOS管的漏極與第二鏡像PMOS管的漏極連接,所述第四鏡像NMOS管的柵極與誤差放大模塊的輸出端和第三鏡像NMOS管的柵極連接;
所述第五鏡像NMOS管的源極與地連接,所述第五鏡像NMOS管的漏極與第五鏡像NMOS管的柵極、第三鏡像NMOS管的源極和第七鏡像NMOS管的柵極連接;
所述第六鏡像NMOS管的源極與第二鏡像NMOS管的源極、第三開關(guān)NMOS管的源極和第四開關(guān)NMOS管的漏極連接,所述第六鏡像NMOS管的漏極與第六鏡像NMOS管的柵極和第四鏡像NMOS管的源極連接;
所述第七鏡像NMOS管的源極與地連接,所述第七鏡像NMOS管的漏極與第五鏡像PMOS管的漏極和柵極連接,所述第七鏡像NMOS管的柵極與第五鏡像NMOS管的漏極和柵極連接;
所述第一鏡像NMOS管、第二鏡像NMOS管、第三鏡像NMOS管、第四鏡像NMOS管、第五鏡像NMOS管、第六鏡像NMOS管和第七鏡像NMOS管的襯底極均與地連接;
使能信號發(fā)生模塊,用于根據(jù)P柵使能信號輸出反相P柵使能信號,根據(jù)N柵使能信號輸出反相N柵使能信號;
PMOS開關(guān)模塊,用于根據(jù)P柵使能信號和反相P柵使能信號選擇峰波信號;
NMOS開關(guān)模塊,用于根據(jù)N柵使能信號和反相N柵使能信號選擇谷波信號;
誤差放大模塊,用于根據(jù)P柵使能信號、N柵使能信號和反相N柵使能信號對峰波信號和谷波信號進行選擇處理并輸出誤差放大信號;
所述PMOS鏡像模塊和NMOS鏡像模塊均設(shè)有兩級鏡像,所述第一鏡像電流和第二鏡像電流共同構(gòu)成輸出電流。
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息,商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于華南理工大學(xué),未經(jīng)華南理工大學(xué)許可,擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作,請聯(lián)系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/202010618884.2/1.html,轉(zhuǎn)載請聲明來源鉆瓜專利網(wǎng)。





