[發明專利]一種低溫度系數平面二極管芯片結構及其生產工藝在審
| 申請號： | 202010617317.5 | 申請日： | 2020-06-30 |
| 公開（公告）號： | CN111900211A | 公開（公告）日： | 2020-11-06 |
| 發明（設計）人： | 袁正剛;王光磊;陳侃;梁江華;付航軍 | 申請（專利權）人： | 中國振華集團永光電子有限公司（國營第八七三廠） |
| 主分類號： | H01L29/861 | 分類號： | H01L29/861;H01L29/06;H01L29/36;H01L21/329;H01L23/34 |
| 代理公司： | 貴州派騰知識產權代理有限公司 52114 | 代理人： | 汪勁松 |
| 地址： | 550018 貴州省*** | 國省代碼： | 貴州;52 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 溫度 系數 平面二極管 芯片 結構 及其 生產工藝 | ||
1.一種低溫度系數平面二極管芯片結構，其特征在于：包括P單晶片(1)，所述P單晶片(1)上分別加工有一個PN結和一個NP結，PN結和NP結表面均加工有鋁層，所述PN結和NP結反向連接。
2.如權利要求1所述的低溫度系數平面二極管芯片結構，其特征在于：所述PN結中P+區結深為3～8μm。
3.如權利要求1所述的低溫度系數平面二極管芯片結構，其特征在于：所述PN結和NP結中N+區結深度為0.5～2.5μm。
4.如權利要求1所述的低溫度系數平面二極管芯片結構，其特征在于：所述鋁層厚度為1.5～4μm。
5.一種低溫度系數平面二極管芯片的生產工藝，包括以下步驟：
①在清洗后的P單晶片表面生長氧化層；
②在P單晶片的氧化層端面特定區域進行光刻和刻蝕形成有源區窗口A，然后進行硼擴散形成P+結區；
③在P單晶片的氧化層端面距有源區窗口A一定距離進行光刻和刻蝕形成有源區窗口B，然后在P+結區上和新的有源窗口處進行磷擴散，形成N+區；
④對P單晶片進行蒸鋁；
⑤使用金屬刻蝕液刻蝕有源區窗口A和有源區窗口B區域外的蒸鋁層。
6.如權利要求1所述的低溫度系數平面二極管芯片的生產工藝，其特征在于：所述步驟②中硼擴散的擴散溫度：1000～1200℃，擴散時間：2～5h，方塊電阻：R＝5～50Ω/□；擴散結深：3～8μm。
7.如權利要求1所述的低溫度系數平面二極管芯片的生產工藝，其特征在于：所述步驟③中磷擴散的擴散溫度：1000～1150℃，擴散時間：2min～30min，方塊電阻：R＝0.5～5Ω/□；擴散結深：0.5～2.5μm。
8.如權利要求1所述的低溫度系數平面二極管芯片的生產工藝，其特征在于：步驟①為摻氯氧化，氧化膜厚度為氧化溫度為1100～1200℃，氧化時間為1～3h。
9.如權利要求1所述的低溫度系數平面二極管芯片的生產工藝，其特征在于：所述步驟⑤中刻蝕溫度：30～50℃，刻蝕時間120～360s。
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