[發(fā)明專利]硼擴散方法、太陽能電池及其制作方法在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 202010617154.0 | 申請日: | 2020-06-30 |
| 公開(公告)號: | CN111739794A | 公開(公告)日: | 2020-10-02 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 楊楠楠;金井升;張昕宇 | 申請(專利權(quán))人: | 浙江晶科能源有限公司;晶科綠能(上海)管理有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/225 | 分類號: | H01L21/225;H01L31/18;H01L31/042 |
| 代理公司: | 北京匯思誠業(yè)知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11444 | 代理人: | 肖麗 |
| 地址: | 314416 浙江省嘉興市*** | 國省代碼: | 浙江;33 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 擴散 方法 太陽能電池 及其 制作方法 | ||
1.一種硼擴散方法,其特征在于,包括以下步驟:
將預(yù)處理后的N型硅片置于擴散爐內(nèi),在第一溫度下進行第一次硼擴散沉積;
在第一次硼擴散沉積之后,使擴散爐內(nèi)的溫度從第一溫度升溫至第二溫度,進行推結(jié);
在推結(jié)之后,使擴散爐內(nèi)的溫度從第二溫度降溫至第三溫度,在第三溫度下進行第二次硼擴散沉積。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的硼擴散方法,其特征在于,所述第一溫度為800-900℃;
和/或,所述第三溫度為800-900℃。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的硼擴散方法,其特征在于,所述第一溫度為850-880℃;
和/或,所述第三溫度為850-880℃。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的硼擴散方法,其特征在于,所述第二溫度分別高于第一溫度和第三溫度,且所述第二溫度<950℃。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的硼擴散方法,其特征在于,所述第二溫度≤920℃。
6.根據(jù)權(quán)利要求1-5任一項所述的硼擴散方法,其特征在于,所述進行第一次硼擴散沉積包括:
往所述擴散爐內(nèi)通入氮氣、氧氣和硼源,進行第一次硼擴散沉積,沉積的時間為10-60min,氮氣的流量為10000-30000sccm,氧氣的流量為30-200sccm,硼源的流量為100-600sccm。
7.根據(jù)權(quán)利要求1-5任一項所述的硼擴散方法,其特征在于,所述進行推結(jié)包括:
往所述擴散爐內(nèi)通入氧氣或包含氧氣和氮氣的混合氣體,進行推結(jié),推結(jié)的時間為5-10min,氧氣或包含氧氣和氮氣的混合氣體的流量為10000-30000sccm。
8.根據(jù)權(quán)利要求1-5任一項所述的硼擴散方法,其特征在于,所述進行第二次硼擴散沉積包括:
往所述擴散爐內(nèi)通入氮氣、氧氣和硼源,進行第二次硼擴散沉積,沉積的時間為10-60min,氮氣的流量為10000-30000sccm,氧氣的流量為30-300sccm,硼源的流量為100-900sccm。
9.一種太陽能電池的制作方法,包括硼擴散步驟、激光摻雜步驟、鈍化步驟和金屬化步驟,其特征在于,所述硼擴散步驟采用權(quán)利要求1-8任一項所述的硼擴散方法,利用所述硼擴散步驟形成硼的輕摻雜區(qū),利用所述激光摻雜步驟形成硼的重摻雜區(qū)。
10.一種太陽能電池,其特征在于,所述太陽能電池采用權(quán)利要求9所述的太陽能電池的制作方法制作而成。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





