[發明專利]薄膜鈮酸鋰基異構集成微波光子收發芯片有效
| 申請號: | 202010616333.2 | 申請日: | 2020-06-30 |
| 公開(公告)號: | CN111917482B | 公開(公告)日: | 2023-03-28 |
| 發明(設計)人: | 錢廣;孔月嬋;陳堂勝 | 申請(專利權)人: | 中國電子科技集團公司第五十五研究所 |
| 主分類號: | H04B10/40 | 分類號: | H04B10/40;G02F1/03 |
| 代理公司: | 南京理工大學專利中心 32203 | 代理人: | 陳鵬 |
| 地址: | 210016 *** | 國省代碼: | 江蘇;32 |
| 權利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 薄膜 鈮酸鋰基異構 集成 微波 光子 收發 芯片 | ||
1.一種薄膜鈮酸鋰基異構集成微波光子收發芯片,其特征在于:包括射頻轉換開關(1)、低噪聲放大器電路(2)、激光器(3)、電光調制器(4)、光路轉換開關(5)、光延時器(6)、薄膜鈮酸鋰基集成光路(7)、光電探測器(8)、高功率放大器電路(9)和微波傳輸線(10);各光子器件之間通過薄膜鈮酸鋰基集成光路(7)連接;各微波器件之間通過微波傳輸線(10)連接;
微波器件通過金屬凸點鍵合工藝正貼裝在薄膜鈮酸鋰基芯片正面,并通過TSV工藝將所有電極引到薄膜鈮酸鋰基芯片背面;
激光器(3)通過外延層轉移、鍵合技術和薄膜鈮酸鋰基集成光路(7)異構集成,激光器(3)的電極通過TSV工藝引到薄膜鈮酸鋰基芯片背面;
電光調制器(4)、光路轉換開關(5)、光延時器(6)電極均通過互連金屬(15)引到 薄膜鈮酸鋰基芯片背面;
光電探測器(8)通過外延層轉移、鍵合技術和薄膜鈮酸鋰基集成光路(7)異構集成,光電探測器(8)的電極通過TSV工藝引到薄膜鈮酸鋰基芯片背面;
所述低噪聲放大器電路(2)、激光器(3)和電光調制器(4)構成接收支路,光電探測器(8)和高功率放大器電路(9)構成發射支路;接收與發射工作狀態的微波信號通過射頻轉換開關(1)切換;接收狀態和發射狀態的光路通過光路轉換開關(5)切換;光延時器(6)對收、發狀態共用,用于光信號的延時處理。
2.根據權利要求1所述的薄膜鈮酸鋰基異構集成微波光子收發芯片,其特征在于:所述集成光路(7)、光延時器(6)、光路轉換開關(5)和電光調制器(4)主體均由薄膜鈮酸鋰材料實現,且單片集成一起。
3.根據權利要求1所述的薄膜鈮酸鋰基異構集成微波光子收發芯片,其特征在于:所述低噪聲放大器電路(2)、射頻轉換開關(1)和高功率放大器電路(9)由氮化嫁、砷化鎵或磷化銦材料實現。
4.根據權利要求1所述的薄膜鈮酸鋰基異構集成微波光子收發芯片,其特征在于:所述光延時器(6)為基于薄膜鈮酸鋰光波導的光開關切換路徑延時器、陣列波導光柵延時器、微環延時器或Bragg光柵延時器。
5.根據權利要求1所述的薄膜鈮酸鋰基異構集成微波光子收發芯片,其特征在于:所述激光器(3)為InP基激光器。
6.根據權利要求1所述的薄膜鈮酸鋰基異構集成微波光子收發芯片,其特征在于:所述光電探測器(8)為InP基光電探測器。
7.根據權利要求1所述的薄膜鈮酸鋰基異構集成微波光子收發芯片,其特征在于:在薄膜鈮酸鋰基芯片背面進行金屬布線,實現相應光子器件與微波器件的三維互連。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息,商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于中國電子科技集團公司第五十五研究所,未經中國電子科技集團公司第五十五研究所許可,擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作,請聯系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/202010616333.2/1.html,轉載請聲明來源鉆瓜專利網。





