[發明專利]改進的干膜配方、流體噴射頭及其制作方法

在審

• 申請號: 202010616270.0
• 申請日: 2020-06-30
• 公開（公告）號: CN112213921A
• 公開（公告）日: 2021-01-12
• 發明（設計）人: 尚恩·T·威佛
• 申請（專利權）人: 船井電機株式會社
• 主分類號: G03F7/075
• 分類號: G03F7/075;G03F7/004;B41J2/14;B41J2/16
• 代理公司: 北京同立鈞成知識產權代理有限公司 11205
• 代理人: 馬爽;臧建明

1.一種改進的感光成像干膜配方，所述干膜配方包含多官能環氧化合物、能夠產生陽離子的光引發劑、非光反應性溶劑及以干燥前的所述感光成像干膜配方的總重量計約0.5重量％到約5重量％的硅烷寡聚物粘合增強劑。

2.根據權利要求1所述的改進的感光成像干膜配方，其中以干燥前的所述感光成像干膜配方的總重量計，所述配方包含約1重量％到約3重量％的所述硅烷寡聚物粘合增強劑。

3.根據權利要求1所述的改進的感光成像干膜配方，其中所述非光反應性溶劑包括脂族酮溶劑。

4.根據權利要求3所述的改進的感光成像干膜配方，其中所述脂族酮溶劑包括環己酮且視需要包括丙酮。

5.根據權利要求1所述的改進的感光成像干膜配方，其中所述硅烷寡聚物粘合增強劑包括烷氧基硅烷寡聚物化合物。

6.根據權利要求5所述的改進的感光成像干膜配方，其中所述烷氧基硅烷寡聚物化合物包括下式的γ-縮水甘油氧基丙基三甲氧基硅烷寡聚物

其中n介于1到4的范圍內。

7.根據權利要求1所述的改進的感光成像干膜配方，其中由所述感光成像干膜配方制成的干膜積層體被施加到硅半導體襯底。

8.根據權利要求1所述的改進的感光成像干膜配方，其中由所述感光成像干膜配方制成的干膜積層體被施加到流體噴射頭的流動特征層。

9.一種改進的流體噴射頭的制作方法，所述方法包括以下步驟：

將光致抗蝕劑層施加到離型膜，其中所述光致抗蝕劑層衍生自感光成像干膜配方，所述感光成像干膜配方包含多官能環氧化合物、光酸產生劑、硅烷寡聚物粘合增強劑及非光反應性溶劑；

對所述離型膜上的所述感光成像干膜配方進行干燥以提供厚膜層；

將所述厚膜層積層到半導體襯底上的流動特征層；

從所述厚膜層移除所述離型膜；

對所述厚膜層中的噴嘴孔進行成像；以及對成像的所述厚膜層進行顯影以為所述流體噴射頭提供噴嘴板。

10.根據權利要求9所述改進的流體噴射頭的制作方法，其中以干燥前的所述感光成像干膜配方的總重量計，所述感光成像干膜配方包含約1重量％到約3重量％的所述硅烷寡聚物粘合增強劑。

11.根據權利要求9所述改進的流體噴射頭的制作方法，其中所述非光反應性溶劑包括芳基酮溶劑或脂族酮溶劑。

12.根據權利要求11所述改進的流體噴射頭的制作方法，其中所述脂族酮溶劑包括環己酮且視需要包括丙酮。

13.根據權利要求9所述改進的流體噴射頭的制作方法，其中所述硅烷寡聚物粘合增強劑包括烷氧基硅烷寡聚物化合物。

14.根據權利要求13所述改進的流體噴射頭的制作方法，其中所述烷氧基硅烷寡聚物化合物包括下式的γ-縮水甘油氧基丙基三甲氧基硅烷寡聚物

其中n介于1到4的范圍內。

15.根據權利要求9所述改進的流體噴射頭的制作方法，其中所述離型膜上的所述感光成像干膜配方是在介于約110℃到約150℃范圍內的溫度下干燥。

16.一種流體噴射頭，用于噴射流體組合物，包括：

半導體襯底，含有位于所述半導體襯底上的流體噴射器件，

流動特征層，設置在所述半導體襯底上，及

厚膜層，積層到所述流動特征層，其中所述厚膜層衍生自感光成像干膜配方，所述感光成像干膜配方包含多官能環氧化合物、能夠產生陽離子的光引發劑、非光反應性溶劑及以干燥前的所述感光成像干膜配方的總重量計約0.5重量％到約5重量％的硅烷寡聚物粘合增強劑。