[發明專利]顯示面板、顯示面板的制備方法及顯示裝置有效
| 申請號: | 202010615608.0 | 申請日: | 2020-06-30 |
| 公開(公告)號: | CN111710706B | 公開(公告)日: | 2022-11-29 |
| 發明(設計)人: | 逄輝;李夢真;劉彬;姚純亮 | 申請(專利權)人: | 云谷(固安)科技有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/32 | 分類號: | H01L27/32;H01L51/50;H01L51/56 |
| 代理公司: | 北京東方億思知識產權代理有限責任公司 11258 | 代理人: | 娜拉 |
| 地址: | 065500 河*** | 國省代碼: | 河北;13 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 顯示 面板 制備 方法 顯示裝置 | ||
1.一種顯示面板的制備方法,所述顯示面板包括陣列基板、像素限定層和第一載流子層,像素限定層設置于所述陣列基板,所述像素限定層包括本體部和陣列分布的多個像素開口,所述本體部包括氧化還原反應劑,第一載流子層設置于所述像素限定層背離所述陣列基板的一側,所述第一載流子層包括導流部和截流部,所述導流部設置于所述像素開口內,所述截流部位于所述本體部背離所述陣列基板的一側,所述方法包括:
在陣列基板上涂布像素限定層預制劑,所述預制劑包括成膜樹脂、感光樹脂、有機溶劑及氧化還原反應劑,曝光及顯影處理后得到圖案化的像素限定層;
蒸鍍混合漿料在所述本體部表面及所述像素開口上,形成載流子膜;
所述載流子膜覆蓋于所述本體部表面的部分與所述本體部發生氧化還原反應,形成所述第一載流子層。
2.根據權利要求1所述的顯示面板的制備方法,其特征在于,還包括制備所述預制劑的步驟:
將所述氧化還原反應劑添加入所述有機溶劑中進行溶解,
所述氧化還原反應劑溶解完全后在所述有機溶劑中加入感光樹脂和成膜樹脂后獲得所述預制劑。
3.根據權利要求1所述的顯示面板的制備方法,其特征在于,還包括制備所述預制劑的步驟:將光引發劑以及所述氧化還原反應劑添加入所述有機溶劑中進行溶解,
所述氧化還原反應劑和所述光引發劑溶解完全后在所述有機溶劑中加入感光樹脂和成膜樹脂后獲得所述預制劑。
4.一種如權利要求1-3任一方法所制作的顯示面板,其特征在于,包括:
陣列基板;
像素限定層,設置于所述陣列基板,所述像素限定層包括本體部和陣列分布的多個像素開口,所述本體部包括氧化還原反應劑;
第一載流子層,設置于所述像素限定層背離所述陣列基板的一側,所述第一載流子層包括導流部和截流部,所述導流部設置于所述像素開口內,所述截流部位于所述本體部背離所述陣列基板的一側。
5.根據權利要求4所述的顯示面板,其特征在于,所述第一載流子層包括P型或N型摻雜材料,所述P型或N型摻雜材料與所述氧化還原反應劑發生氧化還原反應的部分的電導率小于所述導流部的電導率。
6.根據權利要求4所述的顯示面板,其特征在于,所述第一載流子層包括P型摻雜材料,所述P型摻雜材料包括氟基和/或氰基中的一種或多種基團,所述氧化還原反應劑為還原劑,使所述基團被所述還原劑還原。
7.根據權利要求4所述的顯示面板,其特征在于,所述第一載流子層包括空穴注入層,所述空穴注入層與所述本體部接觸的部分為所述截流部。
8.根據權利要求6所述的顯示面板,其特征在于,所述本體部還包括至少一種光引發劑,所述基團在光照下被具有還原性的所述光引發劑還原。
9.根據權利要求8所述的顯示面板,其特征在于,所述氧化還原反應劑或所述氧化還原反應劑和所述光引發劑在本體部重量百分比是0.1wt%~10wt%。
10.根據權利要求8所述的顯示面板,其特征在于,所述光引發劑為自由基型光引發劑。
11.根據權利要求10所述的顯示面板,其特征在于,所述自由基型光引發劑包括2-羥基-2-甲基-1-苯基丙酮、1-羥基環己基苯基甲酮、2-甲基-2-(4-嗎啉基)-1-[4-(甲硫基)苯基]-1-丙酮、二苯基乙酮、α-羥烷基苯酮、雙苯甲酰基苯基氧化膦中的一種或多種。
12.根據權利要求6至11任一項所述的顯示面板,其特征在于,還原劑包括硫代硫酸鹽、亞硫酸鹽、亞磷酸酯類及金屬碘化物中的一種或多種,所述氧化還原反應劑為所述還原劑,使所述基團被所述還原劑還原。
13.一種顯示裝置,其特征在于,所述顯示裝置具有如權利要求4-12任一項所述的顯示面板。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





