[發明專利]蒽晶體及其制備方法和應用

在審

• 申請號: 202010614027.5
• 申請日: 2020-06-30
• 公開（公告）號: CN113866815A
• 公開（公告）日: 2021-12-31
• 發明（設計）人: 胡文平;陳明希;張小濤;任曉辰
• 申請（專利權）人: 天津大學
• 主分類號: G01T1/202
• 分類號: G01T1/202;G01N23/04;G01N23/046;C30B23/00;C30B29/54;C07C15/28;C09K11/06
• 代理公司: 天津創智天誠知識產權代理事務所(普通合伙) 12214
• 代理人: 李蕊

1.一種蒽晶體作為閃爍體在X射線成像中的應用。

2.根據權利要求1所述的應用，其特征在于，X射線先后依次穿過待成像物品和蒽晶體后激發所述蒽晶體閃爍體發光。

3.一種蒽晶體作為閃爍體在CT掃描成像中的應用。

4.根據權利要求3所述的應用，其特征在于，使X射線發射中心、待成像物品、蒽晶體和輻射探測器的鏡頭位于同一直線上，使待成像物品自轉360°，同時使X射線先后依次穿過待成像物品和蒽晶體后激發所述蒽晶體發光成像。

5.一種蒽晶體的制備方法，其特征在于，對提純后蒽粉末采用氣相沉積法進行沉積，獲得所述蒽晶體。

6.根據權利要求5所述的制備方法，其特征在于，所述提純后蒽粉末為白色；

所述提純后蒽粉末為對蒽粉末提純后獲得；

所述提純采用升華法且在保護氣氛下，所述升華法對蒽粉末施加的溫度190～200℃、真空度為10～100Pa。

7.根據權利要求5所述的制備方法，其特征在于，進行所述升華法時準備一爐體，將爐體的一端設置為第一高溫區，將爐體的另一端設置為第一室溫區，當采用升華法提純時，將所述蒽粉末放入爐體的第一高溫區，使所述第一高溫區的溫度為所述190～200℃、所述第一室溫區的溫度為室溫20～25℃，保持2～6小時后，在所述第一室溫區獲得所述提純后蒽粉末；

所述氣相沉積法為：將爐體的一端設置為第二高溫區，將爐體的另一端設置為第二室溫區，將提純后蒽粉末置于爐體的第二高溫區，將一基片置于第二室溫區，在保護氣氛下，在第二高溫區采用梯度升溫方式進行加熱，在所述基片上獲得所述蒽晶體，其中，所述第二室溫區的溫度為室溫20～25℃。

8.根據權利要求6或7所述的制備方法，其特征在于，所述保護氣氛為H₂和N₂的混合氣體，按體積份數計，所述H₂和N₂的比為(5～10):(90～95)；

所述氣相沉積法于20～30Pa的真空度下進行。

9.根據權利要求7所述的制備方法，其特征在于，所述基片在使用前先后依次用去離子水、丙酮和異丙醇超聲，每次超聲的時間為3～5min，超聲后干燥，再進行等離子體處理。

10.根據權利要求7所述的制備方法，其特征在于，所述梯度升溫方式為：先以5～10℃/min的速率從室溫20～25℃升溫至120～150℃，繼續立刻以0.5～2℃/min的速率升溫至180～200℃，并于該溫度保溫4～12小時；

所述基片為石英片；

至190～200℃的升溫速率為5～10℃/min。