[發明專利]一種基于MRAM的低功耗MCU電路在審
| 申請號: | 202010613440.X | 申請日: | 2020-06-30 |
| 公開(公告)號: | CN111796539A | 公開(公告)日: | 2020-10-20 |
| 發明(設計)人: | 朱樂永;白明方;張金弟;孫金輝;王銘義;楊磊;馬洋;印俊明 | 申請(專利權)人: | 上海芯圣電子股份有限公司 |
| 主分類號: | G05B19/042 | 分類號: | G05B19/042 |
| 代理公司: | 暫無信息 | 代理人: | 暫無信息 |
| 地址: | 201600 上海市松江*** | 國省代碼: | 上海;31 |
| 權利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 基于 mram 功耗 mcu 電路 | ||
1.一種基于MRAM的低功耗MCU電路,其特征在于,包括,
MRAM存儲器,包括MTJ和MOS開關,通過MOS開關加載電流來改變MTJ阻值,使MRAM存儲器呈現出高阻態和低阻態兩種狀態,以存儲信息;
CPU,用于處理指令、執行操作、控制時間、處理數據;
低壓差線性穩壓器電路,包括參考電壓輸入端口、輸出端子、輸入端子、誤差放大器、功率PMOS、反饋電阻、電容,所述輸出端子連接所述功率PMOS的漏極、所述反饋電阻和所述電容,所述輸入端子連接所述功率管的源極,所述誤差放大器的輸出連接所述功率PMOS的柵極,所述反饋電阻連接所述誤差放大器的一個輸入端,所述參考電壓輸入端口連接所述誤差放大器的另一個輸入端;所述功率PMOS寬長比為500um/0.7um-2000um/0.7um,所述電容為0.05nF-0.5nF;
所述低壓差線性穩壓器電路連接所述MRAM存儲器和所述CPU,并為MRAM存儲器和所述CPU供電,所述MRAM存儲器連接所述CPU。
2.根據權利要求1所述的一種基于MRAM的低功耗MCU電路,其特征在于,還包括外設功能引腳全映射模塊,將外設功能引腳配置在非電源口上,包括數據選擇器、控制寄存器、輸入引腳映射單元和輸出引腳映射單元,輸入引腳映射單元可同時接收多組信號,控制寄存器控制數據選擇器選擇性從輸出引腳映射單元輸出特定的一組信號。
3.根據權利要求2所述的一種基于MRAM的低功耗MCU電路,其特征在于,還包括定時器電路,所述定時器電路兩端分別連接所述CPU和所述外設功能引腳全映射模塊。
4.根據權利要求2所述的一種基于MRAM的低功耗MCU電路,其特征在于,還包括中斷電路,所述中斷電路兩端分別連接所述CPU和所述外設功能引腳全映射模塊。
5.根據權利要求2所述的一種基于MRAM的低功耗MCU電路,其特征在于,還包括脈沖寬度變調電路,所述脈沖寬度變調電路兩端分別連接所述CPU和所述外設功能引腳全映射模塊。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息,商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于上海芯圣電子股份有限公司,未經上海芯圣電子股份有限公司許可,擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作,請聯系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/202010613440.X/1.html,轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
- 上一篇:鋼絲繩自動插接機
- 下一篇:高流速泄洪洞消除反弧末端空蝕破壞的連接結構





