[發明專利]實現寫緩存的方法、裝置、計算機設備及存儲介質

有效

• 申請號: 202010613316.3
• 申請日: 2020-06-30
• 公開（公告）號: CN111782146B
• 公開（公告）日: 2023-10-13
• 發明（設計）人: 左建;甘金濤;彭楊群;馮元元
• 申請（專利權）人: 深圳憶聯信息系統有限公司
• 主分類號: G06F3/06
• 分類號: G06F3/06
• 代理公司: 深圳市精英專利事務所 44242
• 代理人: 巫苑明

本發明涉及實現寫緩存的方法、裝置、計算機設備及存儲介質；其中，方法，包括：判斷寫緩存區域中的數據是否已搬空；若未搬空，則計算當前寫入頁剩余可寫入的數據量；判斷是否對寫緩存區域中的數據進行數據流重組；若是，則將數據流重組后的數據寫入NAND中；若否，則按順序將數據寫入NAND中。本發明通過根據寫入位置、壞塊情況以及是否插入磁盤陣列校驗，動態決定從寫緩存區域寫入到NAND顆粒的數據量，從而達到理想的拼接效果，并且如果寫入點為TLC寫入點，寫緩存區域中的數據進行順序調整，從而達到更優的讀取拼接率，提升連續讀性能，能夠更好地滿足需求。

技術領域

本發明涉及寫緩存技術領域，更具體地說是指實現寫緩存的方法、裝置、計算機設備及存儲介質。

背景技術

在SSD的固件中，在處理主機的寫操作時候通常會開辟一段DRAM空間稱作寫緩存區域，主機寫入時候將數據先搬運到寫緩存區域，在寫緩存區域填滿或者超時或者掉電的時刻將寫緩存區域的數據寫入NAND顆粒；這個寫緩存的大小通常為可并發寫入的最大量，寫入NAND的時候的數據量為整個寫緩存區域，這種方法在遇到壞塊或者需要插入RAID校驗的時候，并發的寫入或者讀取邏輯就被破壞，并且寫入TLC寫入點后讀取的連續性并不好，因此，無法滿足需求。

發明內容

本發明的目的在于克服現有技術的缺陷，提供實現寫緩存的方法、裝置、計算機設備及存儲介質。

為實現上述目的，本發明采用以下技術方案：

實現寫緩存的方法，包括以下步驟：

判斷寫緩存區域中的數據是否已搬空；

若未搬空，則計算當前寫入頁剩余可寫入的數據量；

判斷是否對寫緩存區域中的數據進行數據流重組；

若是，則將數據流重組后的數據寫入NAND中；

若否，則按順序將數據寫入NAND中。

其進一步技術方案為：所述步驟“判斷寫緩存區域中的數據是否已搬空”之前，還包括：觸發寫緩存寫入NAND操作。

其進一步技術方案為：所述步驟“若未搬空，則計算當前寫入頁剩余可寫入的數據量”中，計算當前寫入頁剩余可寫入的數據量，包括以下步驟：

計算當前寫入頁中可用的Bank數；

排除當前寫入頁中寫入Slot存在的壞塊數量；

判斷是否需要在Slot的末尾插入磁盤陣列校驗；

若是，則可用的Bank數減1；

判斷寫緩存的當前寫入點為TLC寫入點或SLC寫入點；

若為TLC寫入點，則當前寫入頁中剩余可寫入的數據量為可用的Bank數減1再乘以TLC頁大小；

若為SLC寫入點，則當前寫入頁中剩余可寫入的數據量為可用的Bank數減1再乘以SLC頁大小。

其進一步技術方案為：所述步驟“判斷是否對寫緩存區域中的數據進行數據流重組”中，包括：判斷寫緩存區域中的數據量是否大于等于當前寫入頁中剩余可寫入的數據量，且判斷當前寫入點是否為TLC寫入點；若滿足寫緩存區域中的數據量大于等于當前寫入頁中剩余可寫入的數據量且當前寫入點為TLC寫入點，則進行數據流重組。

實現寫緩存的裝置，包括：第一判斷單元，計算單元，第二判斷單元，第一寫入單元，及第二寫入單元；

所述第一判斷單元，用于判斷寫緩存區域中的數據是否已搬空；

所述計算單元，用于計算當前寫入頁剩余可寫入的數據量；

所述第二判斷單元，用于判斷是否對寫緩存區域中的數據進行數據流重組；