[發明專利]顯示基板、顯示面板及其制備方法有效
| 申請號: | 202010612540.0 | 申請日: | 2020-06-30 |
| 公開(公告)號: | CN113224110B | 公開(公告)日: | 2022-11-15 |
| 發明(設計)人: | 李哲;陳穎;余磊;高卓;付東 | 申請(專利權)人: | 廣東聚華印刷顯示技術有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/32 | 分類號: | H01L27/32;H01L51/52;H01L51/56 |
| 代理公司: | 華進聯合專利商標代理有限公司 44224 | 代理人: | 劉陽 |
| 地址: | 510000 廣東省廣州市廣州*** | 國省代碼: | 廣東;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 顯示 面板 及其 制備 方法 | ||
本發明涉及顯示基板、顯示面板及其制備方法,其中,顯示基板包括背板;第一像素界定層設于背板上,反射層層疊于第一像素界定層上,反射層包括導電材料;第二像素界定層層疊于反射層上,且第二像素界定層上開設有電極連接孔以至少暴露部分反射層,暴露部分的反射層用于與頂電極接觸;底電極,設于背板上;其中,第一像素界定層包括與背板呈一定傾斜角度的坡面,第一像素界定層的至少部分坡面被反射層覆蓋。上述顯示基板能夠提高發光器件的發光均勻性。
技術領域
本發明涉及發光器件技術領域,特別涉及顯示基板、顯示面板及其制備方法。
背景技術
印刷型電致發光器件在制備過程中,須使用一層用于界定像素的材料,該層材料通常被稱為像素界定層(即像素bank,也稱為像素限定層)。通過在背板上設置像素Bank,形成眾多的凹陷區域作為墨水的“容器”,每個凹陷區域對應于一個像素。目前廣泛采用的工藝流程,是采用噴墨打印工藝將墨水填入每個像素區域,墨水在像素bank所圍繞的區域內鋪展;隨后,在一定溫度(例如室溫或低溫)下進行真空干燥,通過嚴格控制溶劑的揮發速率、溶劑蒸汽壓等參數以盡量保證像素內不同區域、不同像素之間獲得均勻的干燥;最后,通過烘烤使薄膜徹底干燥。
對于大尺寸頂發射型的電致發光器件,頂電極通常是透明導電氧化物薄膜(ITO、AZO或IZO等)或者半透明的薄層金屬電極(通常厚度為13~20nm)。但無論是透明導電氧化物或者薄層金屬,其面電阻還不夠低,會產生大尺寸顯示面板的邊緣到中心區域的電壓降而導致發光不均勻的問題。
發明內容
基于此,有必要提供一種顯示基板、顯示面板及其制備方法。該顯示基板能夠提高顯示面板的發光均勻性。
背板;
第一像素界定層,設于所述背板上,
反射層,層疊于所述第一像素界定層上,所述反射層包括導電材料;
第二像素界定層,層疊于所述反射層上,且所述第二像素界定層上開設有電極連接孔以至少暴露部分所述反射層,暴露部分的反射層用于與頂電極接觸;
底電極,設于所述背板上;
其中,所述第一像素界定層包括與所述背板呈一定傾斜角度的坡面,所述第一像素界定層的至少部分所述坡面被所述反射層覆蓋。
在其中一實施例中,所述第一像素界定層的坡面與背板之間的傾斜角度α為0°<α<90°;
所述坡面至少80%的表面被所述反射層覆蓋。
在其中一實施例中,所述第一像素界定層在垂直于所述背板的方向上的截面呈梯形,所述第一像素界定層的坡面與背板之間的傾斜角度α為30°~60°;和/或
覆蓋于所述第一像素界定層的坡面上的所述第二像素界定層與背板之間的傾斜角度β為30°~90°;和/或
沿垂直于所述背板的方向,所述第一像素界定層的高度小于所述第二像素界定層的高度。
在其中一實施例中,所述反射層為連續薄膜或間斷薄膜。
在其中一實施例中,所述反射層為連續薄膜,所述反射層覆蓋所述第一像素界定層的坡面和所述第一像素界定層的頂端,且靠近所述背板處的所述反射層與所述底電極被所述第二像素界定層間隔開;或
所述反射層為間斷薄膜,所述間斷薄膜包括被所述第二像素界定層間隔開的第一區域和第二區域,所述第一區域覆蓋所述第一像素界定層的頂端,所述第二區域覆蓋所述第一像素界定層的坡面,且所述第一區域與所述頂電極接觸,所述第二區域與所述底電極一體成型。
在其中一實施例中,所述第二像素界定層的材料的疏水角大于所述第一像素界定層的材料的疏水角。
在其中一實施例中,所述反射層為金屬層、合金層或金屬氧化物膜層中的一種或多種的疊層。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





