[發(fā)明專利]串并聯(lián)磁路分置磁極型記憶電機(jī)

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 202010611950.3
• 申請日: 2020-06-30
• 公開（公告）號: CN111769667B
• 公開（公告）日: 2023-02-28
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 陽輝;葛永盛;林鶴云
• 申請（專利權(quán)）人: 東南大學(xué)
• 主分類號: H02K1/276
• 分類號: H02K1/276;H02K1/12
• 代理公司: 南京蘇高專利商標(biāo)事務(wù)所(普通合伙) 32204
• 代理人: 柏尚春

1.一種串并聯(lián)磁路分置磁極型記憶電機(jī)，包括定子（1）、電樞繞組（2）、混合永磁轉(zhuǎn)子（3）和轉(zhuǎn)軸（4），所述電樞繞組（2）設(shè)置在定子（1）上，所述混合永磁轉(zhuǎn)子（3）設(shè)置在定子（1）內(nèi)側(cè)，所述轉(zhuǎn)軸（4）設(shè)置在混合永磁轉(zhuǎn)子（3）內(nèi)側(cè)，其特征在于：所述混合永磁轉(zhuǎn)子（3）包括轉(zhuǎn)子鐵心、三角形磁障（3.7），以及間隔設(shè)置的并聯(lián)磁路型N極磁極、串聯(lián)磁路型S極磁極；所述三角形磁障（3.7）均勻布置在轉(zhuǎn)軸（4）四周，相鄰的兩個三角形磁障（3.7）上，其中一個設(shè)置有并聯(lián)磁路型N極磁極，另一個設(shè)置有串聯(lián)磁路型S極磁極；所述并聯(lián)磁路型N極磁極和串聯(lián)磁路型S極磁極的數(shù)量相等；

所述并聯(lián)磁路型N極磁極包括兩個并聯(lián)永磁結(jié)構(gòu)單元（3.5），其對稱分布在相應(yīng)的三角形磁障兩側(cè)；

所述并聯(lián)永磁結(jié)構(gòu)單元（3.5）包括第一高矯頑力永磁體（3.1）和第一低矯頑力永磁體（3.2），同一磁極中的兩個第一高矯頑力永磁體（3.1）位于第一低矯頑力永磁體（3.2）的兩側(cè)，呈并聯(lián)磁路設(shè)置；同一并聯(lián)磁路型N極磁極下的兩個第一低矯頑力永磁體（3.2）均沿徑向充磁，方向相同；

所述串聯(lián)磁路型S極磁極包括兩個串聯(lián)永磁結(jié)構(gòu)單元（3.6），其對稱分布在相應(yīng)的三角形磁障（3.7）兩側(cè)；

所述串聯(lián)永磁結(jié)構(gòu)單元（3.6）包括第二高矯頑力永磁體（3.3）和第二低矯頑力永磁體（3.4），呈串聯(lián)磁路設(shè)置；同一串聯(lián)磁路型S極磁極下的兩個第二低矯頑力永磁體（3.4）均沿徑向充磁，方向相同。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的串并聯(lián)磁路分置磁極型記憶電機(jī)，其特征在于：所述第二高矯頑力永磁（3.3）靠轉(zhuǎn)軸放置。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的串并聯(lián)磁路分置磁極型記憶電機(jī)，其特征在于：所述第一低矯頑力永磁體（3.2）和相鄰磁極的第二低矯頑力永磁體（3.4）充磁方向相反。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的串并聯(lián)磁路分置磁極型記憶電機(jī)，其特征在于：所述第一高矯頑力永磁體（3.1）和相鄰磁極的第二高矯頑力永磁體（3.3）均沿徑向充磁，方向相反。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的串并聯(lián)磁路分置磁極型記憶電機(jī)，其特征在于：同一磁極中，其第一/第二低矯頑力永磁體（3.2）/（3.4）的磁化方向與其第一/第二高矯頑力永磁體（3.1）/（3.3）的磁化方向相同時，電機(jī)處于正向磁化狀態(tài)，反之，電機(jī)則處于反向磁化狀態(tài)。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的串并聯(lián)磁路分置磁極型記憶電機(jī)，其特征在于：所述第一高矯頑力永磁體（3.1）和第二高矯頑力永磁體（3.3）均為釹鐵硼永磁體。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的串并聯(lián)磁路分置磁極型記憶電機(jī)，其特征在于：所述第一低矯頑力永磁體（3.2）和第二低矯頑力永磁體（3.4）均為鋁鎳鈷永磁體。