[發明專利]一種卷式納米填充反滲透膜元件

在審

• 申請號: 202010611765.4
• 申請日: 2020-06-30
• 公開（公告）號: CN111729514A
• 公開（公告）日: 2020-10-02
• 發明（設計）人: 張建峰;葛夢妮;楊笑言;王笑影
• 申請（專利權）人: 河海大學
• 主分類號: B01D63/00
• 分類號: B01D63/00;B01D61/02;B01D69/02;B01D69/12;B01D67/00
• 代理公司: 南京蘇高專利商標事務所(普通合伙) 32204
• 代理人: 柏尚春

1.一種卷式納米填充反滲透膜元件，其特征在于，包括中心產水管(6)和包裹在中心產水管(6)上的反滲透膜片組(8)，所述反滲透膜片組(8)包括原水導流網(5)、逐層附著在原水導流網(5)上的原水活性炭纖維氈(4)、納米改性反滲透膜片(1)、產水活性炭纖維氈(2)、產水導流網(3)和中心產水管(6)，所述納米改性反滲透膜片(1)為g-C₃N₄納米改性聚酰胺反滲透膜片。

2.根據權利要求1所述的一種卷式納米填充反滲透膜元件，其特征在于，所述g-C₃N₄納米改性聚酰胺通過以下制備方法得到：

(1)將三聚氰胺進行燒結，冷卻至室溫后研磨成粉體，得到塊體g-C₃N₄；

(2)將步驟1中得到的塊體g-C₃N₄再進行燒結，隨后取出冷卻至室溫，得到納米g-C₃N₄粉體；

(3)將步驟2中得到的納米g-C₃N₄粉體倒入10％的乙醇溶液中，置于細胞破碎儀中進行破碎，隨后置于離心機中離心，取上清液即為薄層g-C₃N₄納米片分散液；

(4)將步驟3中得到的薄層g-C₃N₄納米片分散液通過原位摻雜的方式在聚酰胺界面聚合過程中添加至聚砜底膜上，得到g-C₃N₄納米改性聚酰胺反滲透膜片。

3.根據權利要求2所述的一種卷式納米填充反滲透膜元件，其特征在于，所述步驟1、步驟2中，燒結溫度為500～550℃，燒結時間為1～2h。

4.根據權利要求2所述的一種卷式納米填充反滲透膜元件，其特征在于，所述步驟3中細胞破碎儀功率為300～500W，破碎時間為0.5～1h。

5.根據權利要求2所述的一種卷式納米填充反滲透膜元件，其特征在于，所述步驟3中，納米g-C₃N₄粉體:10％乙醇質量比為1～15:10000。

6.根據權利要求2所述的一種卷式納米填充反滲透膜元件，其特征在于，所述步驟3中，離心機轉速為3000～4000r/min，離心時間為8～15min。

7.根據權利要求2所述的一種卷式納米填充反滲透膜元件，其特征在于，所述步驟3中，薄層g-C₃N₄納米片分散液中g-C₃N₄納米片材料的平均粒徑為190～210nm，顆粒累計分布為50％的粒徑D₅₀為210～220nm。

8.根據權利要求2所述的一種卷式納米填充反滲透膜元件，其特征在于，所述步驟4中，g-C₃N₄納米片分散液的中g-C₃N₄納米片質量分數為0.001～0.015wt％。

9.根據權利要求1所述的一種卷式納米填充反滲透膜元件，其特征在于，所述中心產水管(6)上設置有多個均勻分布的通水孔(7)。

10.根據權利要求1所述的一種卷式納米填充反滲透膜元件，其特征在于，所述反滲透膜片組(8)外側面使用密封膠帶密封，所述密封膠帶的外側配備Y型止水圈。