[發明專利]電遷移測試結構

有效

• 申請號: 202010611427.0
• 申請日: 2020-06-29
• 公開（公告）號: CN111653550B
• 公開（公告）日: 2023-09-29
• 發明（設計）人: 王焱;尹彬鋒;陳雷剛;周柯;高金德
• 申請（專利權）人: 上海華力微電子有限公司
• 主分類號: H01L23/544
• 分類號: H01L23/544;H01L21/66;G01R31/28;G01R31/52
• 代理公司: 上海思微知識產權代理事務所(普通合伙) 31237
• 代理人: 曹廷廷

本發明提供一種電遷移測試結構，該電遷移測試結構中的引線包括第一引線和第二引線，并且在靠近第一引線和第二引線的連接面處設置有第二連通墊，從而可以利用第二連通墊降低引線中第一引線和第二引線在相接處的應力遷移。在對電遷移測試結構進行測試時，減少在第一引線和/或第二引線中先于待測試線出現空洞或斷裂的幾率，大大降低了引線的應力遷移現象對電遷移測試結果造成干擾的程度，進而提高電遷移測試的準確性。

技術領域

本發明涉及半導體技術領域，特別涉及一種電遷移測試結構。

背景技術

電遷移現象是指半導體器件中的集成電路工作時金屬線內部有電流通過，在電流的作用下金屬離子產生物質運輸的現象。由此，金屬線的某些部位會因該電遷移現象而出現空洞(Void)，進而發生斷路，而某些部位會因該電遷移現象而出現小丘(Hillock)，進而造成電路短路。

在集成電路工藝開發階段，可靠性評估是工藝開發是否成功的重要一環，而針對上述電遷移現象的電遷移測試是后段可靠性評估中的一項必不可少的測試。參考圖1，其示出了現有技術中提供的電遷移測試結構。該電遷移測試結構包括待測試線1、引線2及第一連通墊3，所述第一連通墊3用于電性連接所述待測試線1和所述引線2。以及，現有技術中，通常會將引線2設計成包括較寬的第一引線21和較窄的第二引線22的鼻形測試結構。

但是，在第一引線21到第二引線22之間的交接區存在有較大的應力梯度，容易發生應力遷移。在電遷移的同時驅動下，很容易在第一引線21和第二引線22交接處發生應力遷移失效，進而在進行電遷移測試時會優先在第一引線21和第二引線22的交接處產生孔洞100，嚴重影響電遷移測試失效分布，使得在進行電遷移測試時優先在第一引線21和第二引線22交接區產生空洞或斷裂，最終影響可靠性測試的分析與判斷。

發明內容

本發明的目的在于提供一種電遷移測試結構，以解決現有技術中相鄰引線交接處應力遷移較大導致的引線先于待測試線產生孔洞或斷裂的現象，進而使得孔洞或斷裂的位置不準確而導致電遷移測試失效，進而影響可靠性測試的分析與判斷的問題。

為解決上述技術問題，本發明提供一種電遷移測試結構，包括：

待測試線；

引線，設置在與所述待測試線不同的結構層中并與所述待測試線電性連接，其中，所述引線包括第一引線和第二引線，所述第一引線的一端用于連接測試墊片，所述第一引線的另一端與所述第二引線的一端連接，并使所述第一引線和所述第二引線在連接處存在連接面，所述第二引線的另一端朝向所述待測試線延伸，以使所述第二引線具有與所述待測試線空間交疊的交疊區；

第一連通墊，設置在所述第二引線的所述交疊區中，以連通所述第二引線和所述待測試線；以及，

若干第二連通墊，設置在所述第一引線和/或所述第二引線朝向所述待測試線的表面上，并且所述若干第二連通墊中的至少一個靠近所述連接面。

優選的，所述若干第二連通墊中，至少一個設置在所述第一引線靠近所述第二引線的一端；和/或，所述若干第二連通墊中，至少一個設置在所述第二引線靠近所述第一引線的一端。

優選的，所述第二連通墊為多個，在遠離所述第一引線和所述第二引線的連接面的方向上，多個所述第二連通墊的排布密度逐漸減小。

優選的，所述第二連通墊為多個，多個所述第二連通墊均勻設置在所述第一引線和/或所述第二引線上。

優選的，所述第一引線的寬度大于所述第二引線的寬度。

優選的，所述連通墊和/或所述第二連通墊的橫截面積為矩形或圓形。

優選的，所述第一引線包括至少兩層依次設置的第一子引線，相鄰的所述第一子引線之間夾持至少一個第三連通墊，以使所述第三連通墊連通相鄰的所述第一子引線；所述第二連通墊設置在頂層的所述第一子引線和/或所述第二引線朝向所述待測試線的表面上。