[發明專利]一種融合SMT的MCM集成電路封裝方法

有效

• 申請號: 202010610997.8
• 申請日: 2020-06-29
• 公開（公告）號: CN112201585B
• 公開（公告）日: 2022-04-22
• 發明（設計）人: 劉飛
• 申請（專利權）人: 深圳市偉安特電子有限公司
• 主分類號: H01L21/60
• 分類號: H01L21/60
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1.一種融合SMT的MCM集成電路封裝方法，其特征在于，包括步驟：

S1、金屬引線框架預處理；

S2、采用SMT工藝金屬引線框架的焊接區安裝有源器件，同時在金屬引線框架的芯片區安裝芯片；

S3、金屬引線框架后處理；

S4、封裝處理；

所述的步驟S2采用SMT工藝金屬引線框架的焊接區安裝有源器件，同時在金屬引線框架的芯片區安裝芯片，是采用焊貼熱控制裝置同時進行焊貼熱控制工藝完成，具體包括，金屬引線框架上安裝有源器件并對其涂焊膏，同時貼上芯片，然后將帶有加熱頭的限位彎板從芯片的上下位置同時貼近芯片，通過加熱頭將熱量傳遞給控熱盤再對芯片進行加熱；同時然后將帶有加熱頭的限位彎板從有源器件的下方位置貼近有源器件下部的引腳通過加熱頭將熱量傳遞給控熱盤再對引腳的焊膏加熱。

2.根據權利要求1所述的一種融合SMT的MCM集成電路封裝方法，其特征在于，所述焊膏的加熱效率與所述芯片的加熱效率不同。

3.根據權利要求1所述的一種融合SMT的MCM集成電路封裝方法，其特征在于，控熱盤在進行加熱時需要對加熱頭的加熱周期進行控制，并且具體控制加熱的時間周期、每個加熱周期內的加熱功率。

4.根據權利要求1或3所述的一種融合SMT的MCM集成電路封裝方法，其特征在于，在條件“控熱盤包括中心部位的加熱頭導熱件以及外部的散熱盤，散熱盤到中部的加熱頭導熱件上設置重合半徑的刻度線，刻度線標識了在散熱盤上距離加熱頭導熱件的不同位置，而加熱頭導熱件連接加熱頭”下：

加熱頭導熱件的加熱效率為t時，建立數學模型，以距離加熱頭導熱件不同的散熱盤上不同的刻度線位置為自變量，分別構建兩個函數f導和f散來描述不同的刻度線位置與其導熱效率的關系、不同的刻度線位置與其散熱效率的關系，具體是：不同的刻度線位置導熱效率：P(導）=f導（w），不同的刻度線位置散熱效率：P(散）=f散（w）；

當芯片或有源器件對熱量的需求功率是p（需)時，需要滿足：p（需)=∫（f導（w）-f散（w））。

5.根據權利要求1或3所述的一種融合SMT的MCM集成電路封裝方法，其特征在于，增加加熱頭的加熱周期，以控制加熱的均勻度。

6.根據權利要求1所述的一種融合SMT的MCM集成電路封裝方法，其特征在于，在步驟S1中，將金屬引線框架上料，使用鋼網在金屬引線框架上進行印刷，使用自動光學檢測裝置對鋼網印刷后的金屬引線框架進行合格篩選。

7.根據權利要求1所述的一種融合SMT的MCM集成電路封裝方法，其特征在于，在步驟S3中，對安裝有源器件和芯片后的金屬引線框架進行鍵合處理。

8.根據權利要求5所述的一種融合SMT的MCM集成電路封裝方法，其特征在于，控制加熱頭導熱件的動態位置變化，并且構建其動態位置變化關于時間的函數，將該函數與不同刻度線位置作為自變量與其存熱效率p（存）的函數做卷積運算，通過卷積運算計算一種更加均勻的熱控制方式。