[發明專利]一種大功率軸向雙向二極管的生產工藝

有效

• 申請號: 202010610779.4
• 申請日: 2020-06-30
• 公開（公告）號: CN111739812B
• 公開（公告）日: 2021-06-22
• 發明（設計）人: 汪良恩;楊華;朱京江;胡云
• 申請（專利權）人: 安徽安美半導體有限公司
• 主分類號: H01L21/60
• 分類號: H01L21/60;H01L21/50;H01L21/68;H01L21/683;H01L25/07
• 代理公司: 北京久誠知識產權代理事務所(特殊普通合伙) 11542
• 代理人: 余梅

本發明公開了一種大功率軸向雙向二極管的生產工藝，包括以下步驟：銅粒預焊：將方銅粒、銅粒通過焊片焊接制成預焊銅粒；芯片預焊：將銅粒、方形芯片通過焊片焊接制成預焊芯片；下模填裝：在下模內先填裝下引線，再按正序或反序依次填裝方形芯片、預焊芯片、預焊銅粒，并用焊片間隔；上模填裝：在上模內填裝上引線，所述上引線與所述下模內的方形芯片或預焊銅粒之間間隔有焊片；合模焊接：將上模與下模合模后壓緊，送入焊接爐內焊接。本發明通過在傳統二極管焊接工藝的基礎上、使用現有銅粒雙面預焊工藝、芯片雙面預焊工藝，按照軸向二極管原件的尺寸做設計調整解決了傳統低效率、難操作、難定位、材料短路、本體易錯位的情況。

技術領域

本發明涉及半導體器件的制造技術領域，具體涉及一種大功率軸向雙向二極管的生產工藝。

背景技術

長期以來，在半導體器件制造領域，人們在結構設計、成本降低、可靠性、提高產品的性價比等方面，作出了不懈的努力。GPP芯片采用電泳玻璃、低損傷的激光切割的方式形成具有高度穩定的玻璃鈍化結構，具有電壓均一性好，反向漏電流低，可靠性高，抗浪涌能力強的優點。用于高壓整流二極管、單相整流橋等整流器件。本專利采用GPP芯片，通過芯片疊焊方法，提高產品性能。為了保護玻璃鈍化芯片不受損需要在芯片與芯片之間加入一層與芯片同大的銅粒，且該銅粒兩端各需要焊接一個小銅粒，繼而保證不被大銅粒及焊錫短路，或在雙P面各焊接一個小銅粒（即使用芯片雙面預焊技術和銅粒雙面預焊技術），當前加工工藝中，需按照所需產品結構，由人工用鑷子將各部件依次夾入焊接下模的階梯狀容置槽中，待所有部件擺放完畢后，合焊接模上模，并送入爐內進行焊接。傳統的加工工藝過程中各部件的定位不準確，容易導致后續二極管焊接完成后，出現本體錯位的情況，嚴重的會直接導致材料短路。且放置焊片和銅粒操作較為繁瑣，效率較低，如果操作不當，將焊片和銅粒放置順序弄錯，需要重新從頭開始放置，對于操作者的技術素養要求較高，嚴重制約了生產效率。

發明內容

為了解決現有技術問題，本發明提供一種大功率軸向雙向二極管的生產工藝，通過使用現有銅粒雙面預焊工藝、芯片雙面預焊工藝按照軸向二極管元件的尺寸做改進設計解決了傳統低效率、難操作、難定位、材料短路、本體易錯位的情況，將原本復雜的二極管裝填步驟分開簡單化，且本專利工藝具有可調節性，更好適用于各種材料元件的焊接。

本發明的技術方案：

一種大功率軸向雙向二極管的生產工藝，包括以下步驟：

（1）銅粒預焊：將方銅粒、銅粒通過焊片焊接制成預焊銅粒；

（2）芯片預焊：將銅粒、方形芯片通過焊片焊接制成預焊芯片；

（3）下模填裝：在下模內先填裝下引線，再按正序或反序依次填裝方形芯片、預焊芯片、預焊銅粒，并用焊片間隔；

（4）上模填裝：在上模內填裝上引線，所述上引線與所述下模內的方形芯片或預焊銅粒之間間隔有焊片；

（5）合模焊接：將上模與下模合模后壓緊，送入焊接爐內焊接。

進一步地，所述步驟（1）中銅粒預焊為將方銅粒、焊片、銅粒、焊片依次按順序疊放在銅粒預焊板上，再置入焊接爐中制成預焊銅粒。

進一步地，所述步驟（2）中芯片預焊為將銅粒、焊片、方形芯片依次按順序疊放在芯片預焊板上，再置入焊接爐中制成I型預焊芯片；或者將銅粒、焊片、方形芯片、焊片、銅粒依次按順序疊放在芯片預焊板上，再置入焊接爐中制成II型預焊芯片；

進一步地，所述步驟（3）中下模填裝為在下模內先填裝下引線，再在下引線上依次按順序疊放焊片、方形芯片、焊片、I型預焊芯片、焊片、I型預焊芯片、預焊銅粒、焊片；或者在下模內先填裝下引線，再在下引線上依次按順序疊放焊片、預焊銅粒、方形芯片、焊片、II型預焊芯片、焊片、方形芯片、焊片。