[發明專利]一種真空腔體泄漏自動偵測方法

在審

• 申請號: 202010610511.0
• 申請日: 2020-06-30
• 公開（公告）號: CN111719129A
• 公開（公告）日: 2020-09-29
• 發明（設計）人: 戴傳勇;葉佳松
• 申請（專利權）人: 聯立（徐州）半導體有限公司
• 主分類號: C23C14/52
• 分類號: C23C14/52;C23C14/34;G01L21/00
• 代理公司: 蘇州創策知識產權代理有限公司 32322
• 代理人: 范圓圓

本發明公開了一種真空腔體泄漏自動偵測方法，具體如下：(1)、將產品傳送至濺鍍腔體內，并將濺鍍腔體內的真空值設定完成；(2)、晶圓開始進行濺鍍工藝，并記錄濺鍍過程數據；(3)、晶圓濺鍍過程中對電壓值進行持續檢測、判定；(4)、濺鍍工藝作業完成，將檢測的濺鍍數據進行存儲。通過在濺鍍工藝過程中以檢測晶圓濺鍍時回饋的電壓值來判斷當前是否存在外氣泄漏，達到時刻對濺鍍腔體的真空度進行檢測、保障晶圓的生產質量和降低企業生產成本的目的。

技術領域

本發明涉及晶圓生產應用領域，具體涉及一種真空腔體泄漏自動偵測方法。

背景技術

濺鍍工藝是晶圓生產加工中必不可少的一步，傳統工藝中，晶圓的濺鍍一般都是通過晶圓濺鍍設備內的機械手將晶圓送入濺鍍設備的腔體內，當腔體內的真空達到設定值后開始進行濺鍍工藝，但是在此過程中，濺鍍腔體容易發生外氣泄漏，而一旦發生外氣泄漏，空氣中的氧分子會對濺鍍產品造成成膜污染缺陷，導致后續的晶圓凸塊出現玻璃缺陷，影響了晶圓的產品質量，增加了企業成本投入。

發明內容

為解決上述技術問題，本發明提出了一種真空腔體泄漏自動偵測方法，以達到時刻對濺鍍腔體的真空度進行檢測、保障晶圓的生產質量和降低企業生產成本的目的。

為達到上述目的，本發明的技術方案如下：

一種真空腔體泄漏自動偵測方法，具體如下：

(1)、將產品傳送至濺鍍腔體內，并將濺鍍腔體內的真空值設定完成；

(2)、晶圓開始進行濺鍍工藝，并記錄濺鍍過程數據；

(3)、晶圓濺鍍過程中對電壓值進行持續檢測、判定；

(4)、濺鍍工藝作業完成，將檢測的濺鍍數據進行存儲。

本發明通過在濺鍍工藝過程中以檢測晶圓濺鍍時回饋的電壓值來判斷當前是否存在外氣泄漏，達到時刻對濺鍍腔體的真空度進行檢測、保障晶圓的生產質量和降低企業生產成本的目的。

2.根據權利要求1所述的一種真空腔體泄漏自動偵測方法，其特征在于，步驟(3)中的檢測過程如下：

(3-1)、對晶圓濺鍍過程中回饋電壓值進行檢測，并獲取相應的數據；

(3-2)、將獲取的數據傳送至智能終端，并與智能終端內存儲的數據進行對比；

(3-3)、根據對比結果來對濺鍍工藝進行相應的操作：

若檢測的電壓值處于設定區域內，則濺鍍工藝繼續進行；

若檢測的電壓值處于設定區域以外，則控制濺鍍工藝停止，進行排查、檢修；

(3-4)、當排查檢修完成后，重復步驟(3-1)即可。

本發明具有如下優點：

1.本發明通過在濺鍍工藝過程中以檢測晶圓濺鍍時回饋的電壓值來判斷當前是否存在外氣泄漏，達到時刻對濺鍍腔體的真空度進行檢測、保障晶圓的生產質量和降低企業生產成本的目的。

具體實施方式

下面將對本發明實施例中的技術方案進行清楚、完整地描述。

本發明提供了一種真空腔體泄漏自動偵測方法，其工作原理是通過在濺鍍工藝過程中以檢測晶圓濺鍍時回饋的電壓值來判斷當前是否存在外氣泄漏，達到時刻對濺鍍腔體的真空度進行檢測、保障晶圓的生產質量和降低企業生產成本的目的。

下面結合實施例和具體實施方式對本發明作進一步詳細的說明。

一種真空腔體泄漏自動偵測方法，具體如下：