[發(fā)明專利]一種5G陶瓷濾波器膜層材料及其制備方法

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• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202010610496.X
• 申請(qǐng)日: 2020-06-29
• 公開（公告）號(hào): CN111607772A
• 公開（公告）日: 2020-09-01
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 廖斌;歐陽(yáng)瀟;歐陽(yáng)曉平;羅軍;陳琳;龐盼;張旭;吳先映;英敏菊
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 北京師范大學(xué)
• 主分類號(hào): C23C14/35
• 分類號(hào): C23C14/35;C23C14/32;C23C14/18;C23C14/02;H03H9/17;H03H3/02
• 代理公司: 北京慕達(dá)星云知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(特殊普通合伙) 11465
• 代理人: 齊寶玲

1.一種5G陶瓷濾波器膜層材料，其特征在于，所述膜層材料為四層復(fù)合結(jié)構(gòu)，基體為陶瓷，中間過渡層依次為合金層和連接層，表層為銀層；其中，

所述合金層為以合金金屬為陰極，利用多弧靶對(duì)陶瓷基體進(jìn)行磁控濺射沉積而得；

所述連接層為以Mo、Cu或Cr為陰極，利用圓柱多弧靶在所述合金層上沉積而得；

所述銀層以銀為陰極，利用多弧靶和圓柱靶在所述連接層上進(jìn)行銀金屬沉積制得。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種5G陶瓷濾波器膜層材料，其特征在于，所述合金層的沉積厚度為0.1～0.2μm；所述連接層的沉積厚度為0.1～1μm；所述銀層的沉積厚度為3～8μm。

3.一種如權(quán)利要求1或2所述的5G陶瓷濾波器膜層材料的制備方法，其特征在于，所述方法即為一種5G陶瓷濾波器表面金屬沉積的方法，具體包括以下步驟：

I、對(duì)陶瓷基體表面進(jìn)行濕噴砂、除油除脂處理，隨后對(duì)處理后的基體依次浸入丙酮、酒精進(jìn)行超聲波清洗，備用；

II、在步驟(I)清洗后的陶瓷基體表面上，以合金金屬為陰極，利用多弧靶磁控濺射制備合金層；

III、以Mo、Cu或Cr為陰極，利用圓柱多弧靶在步驟(II)制備的合金層表面沉積制備連接層；

IV、以銀為陰極，利用多弧靶和圓柱靶在步驟(III)制備的連接層上進(jìn)行銀金屬沉積制備銀層，以最終制得所述5G陶瓷濾波器膜層材料。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的一種5G陶瓷濾波器膜層材料的制備方法，其特征在于，所述步驟(I)中，對(duì)陶瓷基體表面濕噴時(shí)砂的粒徑為200～500目，濕噴處理時(shí)間為1～10s/片。

5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的一種5G陶瓷濾波器膜層材料的制備方法，其特征在于，所述步驟(II)中，多弧靶的起弧電流為80～150A，濺射清洗時(shí)間為1～60min，及沉積厚度為0.1～0.2μm。

6.根據(jù)權(quán)利要求3所述的一種5G陶瓷濾波器膜層材料的制備方法，其特征在于，所述步驟(III)中，圓柱多弧靶的起弧電流為100～200A，沉積時(shí)間為1～30min，沉積厚度為0.1～1μm；且所述圓柱多弧靶的直徑為60mm，長(zhǎng)為1000mm。

7.根據(jù)權(quán)利要求3所述的一種5G陶瓷濾波器膜層材料的制備方法，其特征在于，所述步驟(IV)中，多弧靶的起弧電流為80～150A，圓柱靶的起弧電流為1～20A，及沉積時(shí)間為1～60min，沉積厚度為3～8μm。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的一種5G陶瓷濾波器膜層材料的制備方法，其特征在于，所述多弧離子鍍過程中的偏壓為高功率脈沖偏壓系統(tǒng)，且電壓為0～3KV，峰值功率為200KW，及占空比為0～1/100。