[發(fā)明專利]陣列基板及其制備方法、顯示面板

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202010610164.1
• 申請(qǐng)日: 2020-06-29
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN111725250A
• 公開(kāi)（公告）日: 2020-09-29
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 董學(xué);袁廣才;寧策;梁志偉;關(guān)峰;強(qiáng)朝輝;劉英偉;王珂;曹占鋒
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 京東方科技集團(tuán)股份有限公司
• 主分類(lèi)號(hào): H01L27/15
• 分類(lèi)號(hào): H01L27/15;G09F9/33
• 代理公司: 北京律智知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11438
• 代理人: 王輝;闞梓瑄

本公開(kāi)提供了一種陣列基板及其制備方法、顯示面板，屬于顯示技術(shù)領(lǐng)域。該陣列基板包括依次層疊的襯底基板、驅(qū)動(dòng)電路層和功能器件層：其中，驅(qū)動(dòng)電路層設(shè)置有第一驅(qū)動(dòng)電路，第一驅(qū)動(dòng)電路至少包括驅(qū)動(dòng)晶體管；驅(qū)動(dòng)電路層包括依次層疊于襯底基板的一側(cè)的第一柵極層、第一柵極絕緣層、半導(dǎo)體層、第二柵極絕緣層、第二柵極層、層間電介質(zhì)層和源漏金屬層。第一柵極層包括驅(qū)動(dòng)晶體管的第一柵極，半導(dǎo)體層包括驅(qū)動(dòng)晶體管的溝道區(qū)，第二柵極層包括驅(qū)動(dòng)晶體管的第二柵極，驅(qū)動(dòng)晶體管的第一柵極和驅(qū)動(dòng)晶體管的第二柵極電連接。該陣列基板能夠提高驅(qū)動(dòng)晶體管的飽和電流。

技術(shù)領(lǐng)域

本公開(kāi)涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種陣列基板及其制備方法、顯示面板。

背景技術(shù)

驅(qū)動(dòng)Micro LED(微發(fā)光二極管)等電流驅(qū)動(dòng)的發(fā)光器件時(shí)需要較大的驅(qū)動(dòng)電流。然而，現(xiàn)有的顯示面板的驅(qū)動(dòng)電路難以提供較大的驅(qū)動(dòng)電流，尤其是驅(qū)動(dòng)晶體管容易受到浮體效應(yīng)的影響而導(dǎo)致飽和電流降低。這制約了Micro LED顯示面板的顯示質(zhì)量的提升。

所述背景技術(shù)部分公開(kāi)的上述信息僅用于加強(qiáng)對(duì)本公開(kāi)的背景的理解，因此它可以包括不構(gòu)成對(duì)本領(lǐng)域普通技術(shù)人員已知的現(xiàn)有技術(shù)的信息。

發(fā)明內(nèi)容

本公開(kāi)的目的在于提供一種陣列基板及其制備方法、顯示面板，提高驅(qū)動(dòng)晶體管的飽和電流。

為實(shí)現(xiàn)上述發(fā)明目的，本公開(kāi)采用如下技術(shù)方案：

根據(jù)本公開(kāi)的第一個(gè)方面，提供一種陣列基板，包括依次層疊的襯底基板、驅(qū)動(dòng)電路層和功能器件層：其中，所述驅(qū)動(dòng)電路層設(shè)置有第一驅(qū)動(dòng)電路，所述第一驅(qū)動(dòng)電路至少包括驅(qū)動(dòng)晶體管；

所述驅(qū)動(dòng)電路層包括依次層疊于所述襯底基板的第一柵極層、第一柵極絕緣層、半導(dǎo)體層、第二柵極絕緣層、第二柵極層、層間電介質(zhì)層和源漏金屬層；其中，所述第一柵極層包括所述驅(qū)動(dòng)晶體管的第一柵極；所述半導(dǎo)體層包括所述驅(qū)動(dòng)晶體管的有源層，所述驅(qū)動(dòng)晶體管的有源層具有所述驅(qū)動(dòng)晶體管的溝道區(qū)；所述驅(qū)動(dòng)晶體管的第一柵極在所述半導(dǎo)體層的正投影，與同一所述驅(qū)動(dòng)晶體管的溝道區(qū)至少部分重合；所述第二柵極層包括驅(qū)動(dòng)晶體管的第二柵極；所述驅(qū)動(dòng)晶體管的第二柵極在所述半導(dǎo)體層的正投影，與同一所述驅(qū)動(dòng)晶體管的溝道區(qū)至少部分重合；所述源漏金屬層包括所述驅(qū)動(dòng)晶體管的源極和漏極；

其中，同一所述驅(qū)動(dòng)晶體管的第一柵極和第二柵極通過(guò)所述源漏金屬層電連接；所述功能器件層包括功能器件，所述功能器件與所述驅(qū)動(dòng)晶體管的漏極電連接。

在本公開(kāi)的一種示例性實(shí)施例中，所述源漏金屬層還包括所述驅(qū)動(dòng)晶體管的柵極橋接引線；同一所述驅(qū)動(dòng)晶體管中，所述第一柵極和所述第二柵極均與所述柵極橋接引線連接。

在本公開(kāi)的一種示例性實(shí)施例中，所述驅(qū)動(dòng)電路層包括第一過(guò)孔和第二過(guò)孔；

所述第一過(guò)孔貫穿所述層間電介質(zhì)層、所述第二柵極絕緣層和所述第一柵極絕緣層，且暴露所述驅(qū)動(dòng)晶體管的第一柵極的至少部分區(qū)域；所述第二過(guò)孔貫穿所述層間電介質(zhì)層和所述第二柵極絕緣層，且暴露所述驅(qū)動(dòng)晶體管的第二柵極的至少部分區(qū)域；

所述柵極橋接引線通過(guò)所述第一過(guò)孔與所述第一柵極連接，且通過(guò)所述第二過(guò)孔與所述第二柵極連接。

在本公開(kāi)的一種示例性實(shí)施例中，所述第一驅(qū)動(dòng)電路還包括存儲(chǔ)電容；所述第一柵極層還包括所述存儲(chǔ)電容的第一電極板，所述第二柵極層還包括所述存儲(chǔ)電容的第二電極板。

在本公開(kāi)的一種示例性實(shí)施例中，所述第一驅(qū)動(dòng)電路還包括開(kāi)關(guān)晶體管；所述半導(dǎo)體層還包括所述開(kāi)關(guān)晶體管的有源層，所述開(kāi)關(guān)晶體管的有源層具有所述開(kāi)關(guān)晶體管的溝道區(qū)；所述驅(qū)動(dòng)晶體管的溝道區(qū)的寬度，大于所述開(kāi)關(guān)晶體管的溝道區(qū)的寬度。

在本公開(kāi)的一種示例性實(shí)施例中，所述半導(dǎo)體層的材料包括低溫多晶硅。

在本公開(kāi)的一種示例性實(shí)施例中，所述半導(dǎo)體層的厚度為30～60納米。