[發明專利]一種金屬負載碳/聚合物基電磁屏蔽材料及其制備方法

在審

• 申請號: 202010606438.X
• 申請日: 2020-06-29
• 公開（公告）號: CN111548618A
• 公開（公告）日: 2020-08-18
• 發明（設計）人: 段曉峰;邵萌
• 申請（專利權）人: 江西偉普科技有限公司
• 主分類號: C08L67/04
• 分類號: C08L67/04;C08L67/02;C08L75/04;C08K9/12;C08K3/04;C08K3/30;C08K3/24;H05K9/00
• 代理公司: 南昌金軒知識產權代理有限公司 36129
• 代理人: 余鵬錦

本發明提供了一種金屬負載碳/聚合物基電磁屏蔽材料及其制備方法，屬于電磁屏蔽材料制備領域，具體包括：將CoFe₂O₄納米粉末修飾MoS₂在上，得到MoS₂@CoFe₂O₄納米粉末，再負載在石墨烯微片上，再通過聚氨基甲酸酯浸漬，再熔融負載在聚丙交酯上，再通過真空滲透填充PBAT得到電磁屏蔽復合材料，所述MoS₂@CoFe₂O₄納米粉末含量為8?10wt％,所述石墨烯微片含量為12?15wt％，所述聚氨基甲酸酯含量為5?8wt％，所述PBAT含量為8?10wt％，余量為聚丙交酯，其中，MoS₂@CoFe₂O₄納米粉末中Mo、Co、Fe的摩爾比為1?1.5:2:1:1.2。本發明提供的金屬負載碳/聚合物基電磁屏蔽材料，通過金屬負載在材料上，可填充碳/聚合物基電磁屏蔽材料的位格缺陷，提升電磁屏蔽材料的電磁屏蔽效率，通過PU浸漬和PBAT滲透提升材料的機械性能。

技術領域

本發明涉及電磁屏蔽材料領域，具體是涉及一種金屬負載碳/聚合物基電磁屏蔽材料及其制備方法。

背景技術

電磁輻射(Electromagnetic radiation,EMR)是電子設備大量使用所產生的副產物，它不僅干擾電器的正常運行，還可能對人體健康產生不良影響。因此，需采取適當的措施“切斷”輻射耦合途徑。目前最有效的“切斷”措施是使用電磁屏蔽材料，將電磁輻射的強度削減到一定的安全范圍內。近年來，由于聚合物材料具備質輕、價廉、易加工及耐腐蝕等優點，大量的研究集中在開發高性能聚合物基電磁屏蔽材料上。然而，傳統聚合物固有的電絕緣性，對電磁波難以產生削弱作用，因此需要引入導電填料來解決這一問題，進而在限制表面電磁波反射率的同時，通過電阻損耗以及界面極化等效應對電磁波產生以吸收為主導的屏蔽效果。當前主要有碳材料和金屬材料可作為導電填料使用。在聚合物基體中添加金屬材料雖然能夠顯著提高復合材料的導電性和電磁屏蔽性能，但由于金屬材料的密度大，填充聚合物的同時也會大幅度增加復合材料的密度，且過多的添加會造成加工困難。近年來，各類便攜式電子電器設備的發展，需要電磁屏蔽材料能夠具有輕質、高屏蔽性和多功能等特點。在這方面，由于碳材料具備密度小、耐腐蝕和易加工等優點，碳/聚合物基復合材料迅速成為了軍民兩用領域應用最為廣泛、研究最多的一類電磁屏蔽材料。但是碳/聚合物基材料的機械性能和電磁屏蔽性能較差。

磁性納米粒子可以適度地調節其阻抗匹配特性和屏蔽材料對電磁能量的強烈衰減損能力，并創造出優良的電磁波吸收和電磁干擾屏蔽材料。

發明內容

本發明的第一目的是提供一種金屬負載碳/聚合物基電磁屏蔽材料。

本發明的第二目的是提供一種金屬負載碳/聚合物基電磁屏蔽材料的制備方法。

為了實現上述第一目的，本發明提供的一種金屬負載碳/聚合物基電磁屏蔽材料，包括：將CoFe₂O₄納米粉末修飾MoS₂在上，得到MoS₂@CoFe₂O₄納米粉末，再負載在石墨烯微片上，再通過聚氨基甲酸酯(PU)浸漬，再熔融負載在聚丙交酯(PLA)上，再通過真空滲透填充PBAT得到電磁屏蔽復合材料，所述MoS₂@CoFe₂O₄納米粉末含量為8-10wt％,所述石墨烯微片含量為12-15wt％，所述聚氨基甲酸酯含量為5-8wt％，所述PBAT含量為8-10wt％，余量為聚丙交酯。

其中，所述MoS₂@CoFe₂O₄納米粉末中Mo、Co、Fe的摩爾比為1-1.5:2:1-1.2。

為了實現上述第二目的，本發明提供的一種電磁屏蔽復合材料的制備方法，包括以下步驟：