[發(fā)明專利]一種高輸入耐壓充電管理芯片防止電池倒灌電流的電路在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 202010605212.8 | 申請日： | 2020-06-29 |
| 公開（公告）號： | CN111786431A | 公開（公告）日： | 2020-10-16 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 華玉濤;張洪俞 | 申請（專利權(quán)）人： | 南京微盟電子有限公司 |
| 主分類號： | H02J7/00 | 分類號： | H02J7/00 |
| 代理公司： | 暫無信息 | 代理人： | 暫無信息 |
| 地址： | 210000 江蘇省南京*** | 國省代碼： | 江蘇;32 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 一種 輸入 耐壓 充電 管理 芯片 防止 電池 倒灌 電流 電路 | ||
1.一種高輸入耐壓充電管理芯片防止電池倒灌電流的電路，其特征在于包括控制芯片，所述控制芯片內(nèi)部包括由比較器、電荷泵、脈寬調(diào)制電路構(gòu)成的控制級，由阻隔功率管驅(qū)動、上端功率管驅(qū)動、下端功率管驅(qū)動組成的驅(qū)動級，由三個功率管M1、M2、M3三個寄生襯底二極管D1、D2、D3構(gòu)成的功率級；
所述M1的源極和襯底均與VIN連接，其漏極連接V1，其柵極與所述阻隔功率管驅(qū)動的輸出端相連；所述M1功率管上寄生二極管D1的陽極與VIN連接，其陰極連接V1；
所述M2的源極和襯底連接SW，其漏極連接V1，其柵極與所述上端功率管驅(qū)動的輸出端相連；所述M2功率管上寄生二極管D2的陽極連接SW，其陰極連接V1；
所述M3的源極和襯底連接GND，其漏極與SW連接，其柵極與所述下端功率管驅(qū)動的輸出端相連；所述M3功率管上寄生襯底二極管D3的陽極連接GND，其陰極連接SW；
所述比較器的正輸入端與VIN相連接，其負向輸入端與BAT相連接，其輸出端分別連接到脈寬調(diào)制電路的輸入端和阻隔功率管驅(qū)動的信號輸入端；
電荷泵的最低電位連接到VIN，且與阻隔功率管驅(qū)動相連接，電荷泵的高電壓輸出端高于VIN電壓5V的向阻隔功率管驅(qū)動供電連接；
脈寬調(diào)制電路的輸出端分別與上端功率管驅(qū)動、下端功率管驅(qū)動的信號輸入端相連接。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的高輸入耐壓充電管理芯片防止電池倒灌電流的電路，其特征在于：所述SW后連接有電感L1，電感L1后端為連接BAT，且電感L1后端與GND之間并聯(lián)有電容C1，所述BAT連接有電池。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的高輸入耐壓充電管理芯片防止電池倒灌電流的電路，其特征在于：所述M1、M2、M3分別作為防倒灌開關(guān)管、充電管理電路的開關(guān)管、同步整流管。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的高輸入耐壓充電管理芯片防止電池倒灌電流的電路，其特征在于：阻隔功率管驅(qū)動的最低電壓接到VIN。
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息，商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于南京微盟電子有限公司，未經(jīng)南京微盟電子有限公司許可，擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作，請聯(lián)系【客服】
本文鏈接：http://www.szxzyx.cn/pat/books/202010605212.8/1.html，轉(zhuǎn)載請聲明來源鉆瓜專利網(wǎng)。
