[發(fā)明專利]一種太陽能電池的制作方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 202010605024.5 | 申請日： | 2020-06-29 |
| 公開（公告）號： | CN111668344B | 公開（公告）日： | 2021-12-14 |
| 發(fā)明（設計）人： | 金井升;張昕宇;王東 | 申請（專利權(quán)）人： | 浙江晶科能源有限公司;晶科能源有限公司 |
| 主分類號： | H01L31/18 | 分類號： | H01L31/18;H01L21/205 |
| 代理公司： | 北京集佳知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11227 | 代理人： | 劉翠香 |
| 地址： | 314416 浙江*** | 國省代碼： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 太陽能電池 制作方法 | ||
1.一種太陽能電池的制作方法，其特征在于，包括：
對硅片進行本征非晶硅或本征多晶硅鍍膜，在所述硅片的目標沉積面沉積本征非晶硅或本征多晶硅，在所述硅片的非目標沉積面形成繞鍍區(qū)域；
對所述硅片進行磷擴散，在所述目標沉積面上得到摻磷多晶硅層，在所述非目標沉積面形成繞擴區(qū)域，所述繞擴區(qū)域全部位于所述繞鍍區(qū)域內(nèi)；
去除所述繞鍍區(qū)域；
利用第一類型舟對硅片進行本征非晶硅或本征多晶硅鍍膜，在所述硅片的非目標沉積面形成繞鍍區(qū)域；
利用第二類型舟對所述硅片進行磷擴散，在所述硅片的非目標沉積面形成繞擴區(qū)域，所述繞擴區(qū)域全部位于所述繞鍍區(qū)域內(nèi)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的太陽能電池的制作方法，其特征在于，所述第一類型舟為菱形舟，所述第二類型舟為U型舟。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的太陽能電池的制作方法，其特征在于，所述第一類型舟為菱形舟，所述第二類型舟為矩形舟。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的太陽能電池的制作方法，其特征在于，所述第一類型舟為U型舟，所述第二類型舟為矩形舟。
5.根據(jù)權(quán)利要求1-4任一項所述的太陽能電池的制作方法，其特征在于，采用LPCVD方式，利用第一類型舟對所述硅片進行本征非晶硅或本征多晶硅鍍膜。
6.根據(jù)權(quán)利要求1-4任一項所述的太陽能電池的制作方法，其特征在于，利用酸式去繞鍍法或堿式去繞鍍法去除所述繞鍍區(qū)域。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的太陽能電池的制作方法，其特征在于，還包括：
在所述硅片的非目標沉積面沉積本征非晶硅或本征多晶硅，在所述非目標沉積面形成整面的本征非晶硅或本征多晶硅繞鍍區(qū)域。
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H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射，或微粒輻射敏感的，并且專門適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的，或者專門適用于通過這樣的輻射進行電能控制的半導體器件；專門適用于制造或處理這些半導體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉(zhuǎn)換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的，例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內(nèi)或其上形成的，一個或多個電光源，如場致發(fā)光光源在結(jié)構(gòu)上相連的，并與其電光源在電氣上或光學上相耦合的
