[發(fā)明專利]一種釹鐵硼永磁體表面功能膜層的制備方法有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 202010603072.0 | 申請(qǐng)日: | 2020-06-29 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN111799081B | 公開(kāi)(公告)日: | 2021-11-30 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 徐嘉誠(chéng) | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 浙江中杭新材料科技有限公司 |
| 主分類號(hào): | H01F41/02 | 分類號(hào): | H01F41/02;H01F1/057;C23C4/134;C23C4/04;C09D5/10;C09D163/00;C09D187/00;C09D151/08;C09D5/08 |
| 代理公司: | 寧波知坤專利代理事務(wù)所(特殊普通合伙) 33312 | 代理人: | 李小偉 |
| 地址: | 315400 浙江省*** | 國(guó)省代碼: | 浙江;33 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 釹鐵硼 永磁體 表面 功能 制備 方法 | ||
1.一種釹鐵硼永磁體表面功能膜層的制備方法,其特征在于,所述制備方法包括以下步驟:
S1:將釹鐵硼永磁體進(jìn)行超聲清洗除油,然后依次進(jìn)行酸洗和水洗處理,得到預(yù)處理后的釹鐵硼永磁體;
S2:按重量份稱取10~30份Ni-MOFs材料、0.5~0.8份納米銅粉、1.4~1.8份十二烷基硫酸鈉、30~50份去離子水和45~55份正己烷攪拌混合均勻,然后加入60~80份改性環(huán)氧樹(shù)脂和0.1~0.3份含氟硅烷偶聯(lián)劑,高速攪拌后,經(jīng)過(guò)噴霧造粒得到粒度為0.1~0.5μm的顆粒;
S3:將步驟S1處理后的釹鐵硼永磁體置于真空腔室中,在惰性氣體的保護(hù)下進(jìn)行等離子噴涂操作,使步驟S2得到的顆粒均勻噴涂于步驟S1處理后的釹鐵硼永磁體表面,得到釹鐵硼永磁體底層;
S4:稱取30~45份環(huán)氧樹(shù)脂和20~30份二甲基二苯基聚硅氧烷溶于100份甲苯,攪拌升溫至100~150℃,滴加入1~10份過(guò)硫酸銨水溶液及由丙烯酸和苯基三氯硅烷組合的混合溶液,0.5~1h滴加完成,反應(yīng)3~6h,然后加入0.1~1份六氟雙酚A二丙烯酸酯進(jìn)行接枝改性反應(yīng),繼續(xù)反應(yīng)1~3h,得到接枝改性環(huán)氧樹(shù)脂/有機(jī)硅聚合物互穿網(wǎng)絡(luò)聚合物;
S5:將步驟S4得到的接枝改性環(huán)氧樹(shù)脂/有機(jī)硅聚合物互穿網(wǎng)絡(luò)聚合物施涂在步驟S3得到的釹鐵硼永磁體底層上,高溫固化后,形成所述釹鐵硼永磁體表面功能膜層;
所述Ni-MOFs材料的制備方法為:將0.05~0.1mol/L的如化學(xué)式I所示的有機(jī)羧酸MOF配體和0.15~0.3mol/L的硝酸鎳溶于1L的二甲基甲酰胺,在120~150℃的條件下冷凝回流反應(yīng)6~18h,冷卻至室溫,過(guò)濾,然后用丙酮反復(fù)沖洗,干燥得到所述Ni-MOFs材料,
。
2.如權(quán)利要求1所述的釹鐵硼永磁體表面功能膜層的制備方法,其特征在于,所述超聲清洗的超聲功率為1500~3000W,超聲頻率為30~40KHz。
3.如權(quán)利要求1所述的釹鐵硼永磁體表面功能膜層的制備方法,其特征在于,所述酸洗用的酸洗液由1~5wt%的鹽酸溶液和硫脲組成,所述硫脲占所述酸洗液總質(zhì)量的0.5~1.5wt%。
4.如權(quán)利要求1所述的釹鐵硼永磁體表面功能膜層的制備方法,其特征在于,所述改性環(huán)氧樹(shù)脂是脂肪族和/或芳香族環(huán)氧樹(shù)脂。
5.如權(quán)利要求1所述的釹鐵硼永磁體表面功能膜層的制備方法,其特征在于,所述含氟硅烷偶聯(lián)劑為十七氟烷基三甲氧基硅烷、十七氟烷基三乙氧基硅烷、十三氟烷基三甲氧基硅烷、十三氟烷基三乙氧基硅烷、十二氟烷基三甲氧基硅烷、十二氟烷基三乙氧基硅烷中的至少一種。
6.如權(quán)利要求1所述的釹鐵硼永磁體表面功能膜層的制備方法,其特征在于,所述真空腔室的真空度為50~100Pa,真空腔室的溫度為150~200℃。
7.如權(quán)利要求1所述的釹鐵硼永磁體表面功能膜層的制備方法,其特征在于,所述高溫固化的固化溫度為130~180℃,固化時(shí)間1~10h。
8.如權(quán)利要求1所述的釹鐵硼永磁體表面功能膜層的制備方法,其特征在于,所述釹鐵硼永磁體底層的厚度為5~15um。
9.如權(quán)利要求1所述的釹鐵硼永磁體表面功能膜層的制備方法,其特征在于,所述釹鐵硼永磁體表面功能膜層的厚度為20~30um。
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