[發明專利]一種多色Micro LED發光模組制備方法

有效

• 申請號: 202010601783.4
• 申請日: 2020-06-29
• 公開（公告）號: CN111769103B
• 公開（公告）日: 2023-05-09
• 發明（設計）人: 王立;吳小明;劉虎;李璠;趙婕;田婷芳;饒鄭剛;莫春蘭;江風益
• 申請（專利權）人: 南昌大學
• 主分類號: H01L25/00
• 分類號: H01L25/00;H01L25/075;H01L33/00;H01L21/677
• 代理公司: 北京中和立達知識產權代理有限公司 11756
• 代理人: 熊敬

1.一種多色Micro?LED發光模組制備方法，其特征在于，所述方法中包括以下步驟：

步驟S1，在不同發光顏色的硅基InxGayAl1-x-yN外延片上定義發光像素單元陣列，根據需要轉移的次數，刻蝕除去每個像素單元中部分InxGayAl1-x-yN外延層直至暴露襯底，使留在襯底上的外延層面積不超過轉移次數分之一，并將每個像素區域剩余的發光層制成Micro?LED發光單元陣列；其中，0≤x≤1，0≤y≤1；

步驟S2，將第一種顏色的Micro?LED發光單元陣列通過鍵合金屬一次性鍵合到驅動基板，并去除硅襯底，以實現Micro?LED發光單元陣列從外延基板到驅動基板的整體轉移；

在所述步驟S2中，從所述步驟S1獲得的所述Micro?LED發光單元陣列的晶片進行單色多顆發光單元的轉移，包括與驅動基板的精度對準、鍵合和硅襯底去除；

步驟S3，重復步驟S2，將其他顏色的Micro?LED發光單元陣列轉移到驅動基板，以使驅動基板上每個像素區域包含多種發光顏色的發光單元；

在所述步驟S3中其他顏色轉移，Micro?LED發光單元陣列的轉移對準驅動基板電路觸點后可直接連接，但在鍵合連接之前，需要提前對待轉移的含有Micro?LED發光單元陣列的晶片進行處理，對其非發光單元區域局部或全部進行襯底刻蝕，形成刻蝕溝壑，以保證鍵合過程不破壞第一次已經鍵合的發光單元。

2.如權利要求1所述的多色Micro?LED發光模組制備方法，其特征在于：在步驟S1中的Micro?LED發光單元陣列，單顆發光單元尺寸≤50μm；其中包含的發光單元的個數不少于10×10個。

3.如權利要求1所述的多色Micro?LED發光模組制備方法，其特征在于：在所述步驟S1中的Micro?LED發光單元陣列，其發光波長差值在5nm以內。

4.如權利要求1所述的多色Micro?LED發光模組制備方法，其特征在于：在所述步驟S2中硅襯底的去除方法為濕法或干法化學刻蝕。

5.如權利要求4所述的多色Micro?LED發光模組制備方法，其特征在于，在所述步驟S2中硅襯底的去除方法包括兩個步驟：(1)機械打磨減薄其厚度至100μm以內；(2)化學刻蝕方法徹底去除硅襯底。

6.如權利要求1所述的多色Micro?LED發光模組制備方法，其特征在于：在所述步驟S2中，與所述驅動基板上的鍵合金屬由金、錫、銅、銀和銦中的一種或多種金屬制成。

7.如權利要求1所述的多色Micro?LED發光模組制備方法，其特征在于：對待轉移的Micro?LED發光單元陣列的晶片中非發光單元區域進行的局部或全部襯底刻蝕的深度不低于1μm。