[發明專利]一種掩模工藝強光燈罩在審
| 申請號: | 202010600911.3 | 申請日: | 2020-06-28 |
| 公開(公告)號: | CN111679552A | 公開(公告)日: | 2020-09-18 |
| 發明(設計)人: | 韋慶宇;華衛群 | 申請(專利權)人: | 無錫中微掩模電子有限公司 |
| 主分類號: | G03F1/84 | 分類號: | G03F1/84 |
| 代理公司: | 連云港聯創專利代理事務所(特殊普通合伙) 32330 | 代理人: | 胡榮 |
| 地址: | 214000 江蘇*** | 國省代碼: | 江蘇;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 工藝 強光 燈罩 | ||
本發明公開了一種掩模工藝強光燈罩,包括強光燈罩主體,該所述強光燈罩主體由燈罩頂部、第一擋簾與第二擋簾構成,所述燈罩頂部的一側設置有第一T型卡扣與第二T型卡扣,且于第一擋簾的下端設置有與所述第一T型卡扣與第二T型卡扣適配的第三T型卡扣與第四T型卡扣,所述第一T型卡扣與第二T型卡扣分別活動連接于所述第三T型卡扣與第四T型卡扣上。該一種掩模工藝強光燈罩,在現有強光燈下加裝一個隔離罩,可以大大減少產品在強光目檢時,有pacticle掉落在掩模版或膜上,避免對產品進行二次返工,能有效提高產品出貨效率,此裝置簡單易制作,方便可移動,操作簡單且安全。
技術領域
本發明涉及燈罩技術領域,具體為一種掩模工藝強光燈罩。
背景技術
掩模是半導體業、集成電路制作時所需的一種模具,可將掩模上的圖形經過曝光制程復制于晶圓上。掩模廠根據客戶設計的圖形,將圖形數據轉化后,利用掩模曝光機在感光石英基材上進行曝光,經顯影、蝕刻制程使其表面產生透光與不透光的極細微的邏輯圖形。在掩模顯影、濕法蝕刻、去膠、目檢,通過增加強光燈罩子可以減少pacticle的掉落,避免產品二次返工,提高產品出貨效率。
發明內容
針對背景技術的不足,本發明提供了一種掩模工藝強光燈罩,解決了上述背景技術提出的問題。
本發明提供如下技術方案:一種掩模工藝強光燈罩,該強光燈罩是用于掩模制作工藝過程中目檢掩模板的防護工具,該強光燈罩包括強光燈罩主體,該所述強光燈罩主體由燈罩頂部、第一擋簾與第二擋簾構成,所述燈罩頂部的一側設置有第一T型卡扣與第二T型卡扣,且于第一擋簾的下端設置有與所述第一T型卡扣與第二T型卡扣適配的第三T型卡扣與第四T型卡扣,所述第一T型卡扣與第二T型卡扣分別活動連接于所述第三T型卡扣與第四T型卡扣上,所述燈罩頂部的前端安裝有第五T型卡扣,所述第二擋簾的下端安裝有與第五T型卡扣適配的第六T型卡扣,所述第二擋簾的中間位置開設有前部觀察窗,所述第一擋簾的中間位置開設有側部觀察窗,所述燈罩頂部的中間位置安裝有兩個頂部卡扣。
優選的,該燈罩尺寸為長40CM*寬30CM*高50CM。
優選的,所述燈罩的主體框架為304不銹鋼材質。
優選的,所述燈罩頂部是特氟龍材質,所述第一擋簾與第二擋簾是PU材質。
優選的,所述燈罩頂部中間開設有透氣孔。
優選的,所述第二擋簾的數量為一面兩個,且設置于所述強光燈罩主體的前后兩側。
本發明具備以下有益效果:該掩模工藝強光燈罩,在現有強光燈下加裝一個隔離罩,可以大大減少產品在強光目檢時,有pacticle掉落在掩模版或膜上,避免對產品進行二次返工,能有效提高產品出貨效率,此裝置簡單易制作,方便可移動,操作簡單且安全。
附圖說明
圖1為本發明整體結構示意圖;
圖2為本發明主視圖;
圖中:1、強光燈罩主體;2、燈罩頂部;3、第一擋簾;4、第二擋簾;5、側部觀察窗;6、前部觀察窗;7、第一T型卡扣;8、第三T型卡扣;9、第二T型卡扣;10、第四T型卡扣;11、第五T型卡扣;12、第六T型卡扣;13、頂部卡扣。
具體實施方式
下面將結合本發明實施例中的附圖,對本發明實施例中的技術方案進行清楚、完整地描述,顯然,所描述的實施例僅僅是本發明一部分實施例,而不是全部的實施例。基于本發明中的實施例,本領域普通技術人員在沒有做出創造性勞動前提下所獲得的所有其他實施例,都屬于本發明保護的范圍。
本發明實施例中的附圖:圖中不同種類的剖面線不是按照國標進行標注的,也不對元件的材料進行要求,是對圖中元件的剖視圖進行區分。
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G03F 圖紋面的照相制版工藝,例如,印刷工藝、半導體器件的加工工藝;其所用材料;其所用原版;其所用專用設備
G03F1-00 用于圖紋面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其專門適用于此的容器;其制備
G03F1-20 .用于通過帶電粒子束(CPB)輻照成像的掩膜或空白掩膜,例如通過電子束;其制備
G03F1-22 .用于通過100nm或更短波長輻照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射線掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM];PSM空白;其制備
G03F1-36 .具有臨近校正特征的掩膜;其制備,例如光學臨近校正(OPC)設計工藝
G03F1-38 .具有輔助特征的掩膜,例如用于校準或測試的特殊涂層或標記;其制備





