[發明專利]確定光阻的適用條件的方法及所用的掩膜板

有效

• 申請號: 202010600670.2
• 申請日: 2020-06-28
• 公開（公告）號: CN111650820B
• 公開（公告）日: 2022-06-17
• 發明（設計）人: 劉沖;曹秀亮;李超
• 申請（專利權）人: 上海華虹宏力半導體制造有限公司
• 主分類號: G03F7/20
• 分類號: G03F7/20
• 代理公司: 上海思微知識產權代理事務所(普通合伙) 31237
• 代理人: 曹廷廷

本發明提供的確定光阻的適用條件的方法及其所用的掩膜板中，利用具有不同大小光刻圖形的掩膜板對光阻進行光刻，以在基板上形成對應的測試圖形，對所有測試圖形進行缺陷檢測，統計不同面積大小的所述測試圖形分別對應的光刻良率，并在一數據庫中放入相關的數據資料，將所述數據庫中最高光刻良率所對應的所述測試圖形的面積定義為該光阻在一光刻工藝條件下的優選光刻面積，進而，在光刻圖形面積大小發生變化時，可以在所述數據庫中找到目標光刻圖形面積為優選光刻圖形面積時所對應的光刻良率最高的光阻和光刻工藝條件，并利用所述光阻和所述光刻工藝條件來進行刻蝕，從而，可不必改變光阻的適用條件而達到較佳的刻蝕效果。

技術領域

本發明涉及半導體技術領域，特別涉及一種確定光阻的適用條件的方法及所用的掩膜板。

背景技術

光刻工藝是半導體器件制造中的關鍵性工藝，其工藝質量直接影響著器件的成品率、可靠性、性能以及使用壽命等參數的穩定和提高，而造成影響這些參數的最直接、最重要的因素之一就是在整個光刻工藝中由于光阻而引發的各種缺陷。

在光刻工藝中，光阻是形成圖形不可或缺的介質，因此光阻的穩定性直接影響光刻工藝的穩定性和器件的質量。而當光阻的穩定性發生變化時，將會導致光阻對光刻工藝的要求的改變，即，當光刻工藝條件不變的情況下，光阻的穩定性發生了變化，則會導致器件的成品率下降。光阻的穩定性通常受熱穩定性和溶解度的影響。

在實際生產過程中，由于光阻的制造廠很難控制不同批次的光阻的穩定性保持一致，因此，光阻的穩定性通常會在一定范圍內進行波動。為了確認不同批次的光阻能否滿足光刻要求，通常會選擇一款需光刻的產品來用該批次的光阻進行光刻，如光刻結果OK，則表明該批次的光阻可以被正常使用。

通常情況下，用于檢測光阻的產品的光刻圖形尺寸較小，因此對光刻的工藝條件要求并不嚴苛。當光阻的穩定性發生了較大的變化時，通過該產品無法檢測出光阻的穩定性發生了改變。而當此種光阻被應用于光刻具有較大光刻面積的產品上時，如不改變光刻條件，則會出現大批量光刻不良。而要改變光刻條件，則需要經過大量的驗證才可以找到最優的光刻條件，不利于光刻成本的控制。

發明內容

本發明的目的在于提供一種確定光阻的適用條件的方法及所用的掩膜板，以解決當光阻穩定性發生變化時，需經過大量驗證來找到光阻的適用條件，且不利于光刻成本控制的問題。

為解決上述技術問題，本發明提供一種確定光阻的適用條件的方法，所述確定光阻的適用條件的方法包括：

提供一基板，在所述基板上涂布待評估的光阻；

在一光刻工藝條件下，利用一掩膜板對所述光阻進行光刻，以在所述基板上形成多個測試圖形，至少部分所述測試圖形的面積大小不同；

對所有所述測試圖形進行缺陷檢測，以得到不同面積大小的所述測試圖形的光刻良率；

統計在所述光刻工藝條件下，不同面積大小的所述測試圖形分別對應的所述光刻良率，以形成包括所述光刻工藝條件、所述測試圖形的面積及所述光刻良率的多個數據對，并將所有所述數據對納入一數據庫中；

將所述數據庫中具有最高光刻良率的所述測試圖形的面積定義為所述光阻在所述光刻工藝條件下的優選光刻面積。

可選的，在所述的確定光阻的適用條件的方法中，所述確定光阻的適用條件的方法還包括：

改變所述光刻工藝條件，以得到不同光刻工藝條件下，不同面積大小的所述測試圖形的光刻良率；

統計不同光刻工藝條件下，不同面積大小的所述測試圖形分別對應的所述光刻良率，以形成多個相應的所述數據對，并將所有所述數據對納入所述數據庫中。

可選的，在所述的確定光阻的適用條件的方法中，所述對所有所述測試圖形進行缺陷檢測，以得到不同面積大小的所述測試圖形的光刻良率的方法包括：