[發明專利]應用于MIM電容的刻蝕方法

有效

• 申請號: 202010600395.4
• 申請日: 2020-06-28
• 公開（公告）號: CN111627812B
• 公開（公告）日: 2022-10-25
• 發明（設計）人: 姚道州;馬莉娜;肖培
• 申請（專利權）人: 華虹半導體（無錫）有限公司;上海華虹宏力半導體制造有限公司
• 主分類號: H01L21/3213
• 分類號: H01L21/3213;H01L21/02;H01L49/02
• 代理公司: 上海浦一知識產權代理有限公司 31211
• 代理人: 羅雅文

1.一種應用于MIM電容的刻蝕方法，其特征在于，所述方法包括：

在半導體襯底上依次形成下極板金屬層、介質層、上極板金屬層；

通過光刻工藝定義上極板圖形；

根據所述上極板圖形刻蝕所述上極板金屬層，以所述介質層為刻蝕停止層；

利用CF₄和Ar的混合氣體吹掃所述半導體襯底；

通過N個剝除過程去除所述上極板金屬層上方的光刻膠，N為大于等于2的整數；

其中，每個剝除過程包括水蒸氣除氯處理和利用干法刻蝕工藝對所述光刻膠進行兩次刻蝕。

2.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述通過光刻工藝定義上極板圖形，包括：

在所述半導體襯底上形成光刻膠層；

通過光刻工藝在所述光刻膠層形成所述上極板圖形。

3.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述根據所述上極板圖形刻蝕所述上極板金屬層，包括：

利用BCl₃和Cl₂對所述上極板金屬層進行刻蝕。

4.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述介質層的材料為氮化硅。

5.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述上極板金屬層的材料為氮化鈦。

6.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述下極板金屬層的材料包括鋁層、位于所述鋁層上方的鈦層、位于所述鈦層上方的氮化鈦層。

7.根據權利要求1至6任一所述的方法，其特征在于，所述方法還包括：

刻蝕所述介質層和所述下極板金屬層，形成MIM電容。