[發明專利]一種清洗裝置和清洗方法在審
| 申請號: | 202010600032.0 | 申請日: | 2020-06-28 |
| 公開(公告)號: | CN111736426A | 公開(公告)日: | 2020-10-02 |
| 發明(設計)人: | 袁亞鴻;楊陽;古春笑 | 申請(專利權)人: | 昆山國顯光電有限公司 |
| 主分類號: | G03F1/82 | 分類號: | G03F1/82;G03F1/84;B08B3/08;B08B3/12;B08B13/00;G01N29/07 |
| 代理公司: | 上海晨皓知識產權代理事務所(普通合伙) 31260 | 代理人: | 成麗杰 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 清洗 裝置 方法 | ||
本發明實施方式涉及清洗設備技術領域,公開了一種清洗裝置和清洗方法,清洗裝置包括:清洗槽,位于所述清洗槽內的檢測振子及清洗振子,連接所述檢測振子以及所述清洗振子的控制器;所述檢測振子用于檢測待清洗掩膜版上殘留物的位置;所述控制器用于根據所述殘留物的位置控制所述清洗振子清洗所述待清洗掩膜版,在避免掩膜版過洗的同時,提升了掩膜版的清洗效率。
技術領域
本發明實施方式涉及清洗設備技術領域,特別涉及一種清洗裝置和清洗方法。
背景技術
掩膜版需要清洗后才能用于制作芯片。常規的清洗方式中,是將掩膜版放置在槽體中,槽體中盛放有清洗液,槽體為矩形,底部及與底部連接的四個側壁均為平面,槽體的底部放置可以產生超聲波的振子,超聲波在傳輸路徑上疏密相間,在疏密部之間會產生空化現象,生成一個個的小氣泡并破裂,氣泡破裂時產生的爆破力可以對掩膜版進行清洗。
然而,發明人發現現有技術中針對不同的掩膜版無法準確調整清洗時間,導致掩膜版的清洗效率不高,或者,掩膜版過洗而造成損耗。
發明內容
本發明實施方式的目的在于提供一種清洗裝置和清洗方法,在避免掩膜版過洗的同時,提升了掩膜版的清洗效率。
為解決上述技術問題,本發明的實施方式提供了一種清洗裝置,包括:清洗槽,位于所述清洗槽內的檢測振子及清洗振子,連接所述檢測振子以及所述清洗振子的控制器;所述檢測振子用于檢測待清洗掩膜版上殘留物的位置;所述控制器用于根據所述殘留物的位置控制所述清洗振子清洗所述待清洗掩膜版。
另外,所述檢測振子包括:多個超聲波發射接收器。
另外,所述多個超聲波發射接收器分布于所述清洗槽的側壁上和/或所述清洗槽的底面上;優選地,所述多個超聲波發射接收器呈陣列均勻排布。該方案多個超聲波發射接收器呈陣列均勻排布,實現對待清洗掩膜版的全面檢測,避免漏檢而導致待清洗掩膜版清洗不干凈。
另外,所述超聲波發射接收器用于向掩膜版表面發射超聲波,并接收反射回的超聲波;所述檢測振子還包括:連接所述多個超聲波發射接收器及所述控制器的處理器;所述處理器用于檢測所述反射回的超聲波與清洗槽底面的夾角,并根據所述夾角確定所述超聲波在所述待清洗掩膜版上的反射位置;所述檢測振子還用于確定接收到所述反射回的超聲波的時間與預先記錄的最近一次超聲波的發射時間的時間差,并根據所述時間差確定所述反射位置是否具有殘留物。該方案中給出了檢測探子檢測待清洗掩膜版上殘留物位置的具體實現方式。
另外,所述清洗振子包括:超聲波發射器。優選地,所述控制器通過增加所述超聲波發射器的超聲波頻率或功率以增加清洗強度,或者,通過降低所述超聲波發射器的超聲波頻率或功率以減弱清洗強度。
另外,所述清洗振子為多個。
另外,所述控制器用于確定與所述殘留物的位置距離最近的所述清洗振子,并增強所述與所述殘留物的位置距離最近的所述清洗振子的清洗強度。該方案增強與殘留物的位置距離最近的清洗振子的清洗強度,加快對待清洗掩膜版上殘留物的清洗速度。
優選地,所述控制器還用于減弱除與所述殘留物的位置距離最近的所述清洗振子外其他清洗振子的清洗強度。該方案減弱不存在殘留物的待清洗掩膜版處的清洗強度,從而避免待清洗掩膜版過洗。
本發明的實施方式提供了一種清洗方法,應用于上述清洗裝置;利用檢測振子檢測待清洗掩膜版上殘留物的位置;根據所述殘留物的位置控制清洗振子清洗待清洗掩膜版。
另外,所述利用檢測振子檢測待清洗掩膜版上殘留物的位置之前,還包括:利用清洗藥液清洗所述待清洗掩膜版。該方案中先使用清洗藥液清洗待清洗掩膜版一段時間后,再使用檢測振子進行檢測,提高清洗速度。
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G03F 圖紋面的照相制版工藝,例如,印刷工藝、半導體器件的加工工藝;其所用材料;其所用原版;其所用專用設備
G03F1-00 用于圖紋面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其專門適用于此的容器;其制備
G03F1-20 .用于通過帶電粒子束(CPB)輻照成像的掩膜或空白掩膜,例如通過電子束;其制備
G03F1-22 .用于通過100nm或更短波長輻照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射線掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM];PSM空白;其制備
G03F1-36 .具有臨近校正特征的掩膜;其制備,例如光學臨近校正(OPC)設計工藝
G03F1-38 .具有輔助特征的掩膜,例如用于校準或測試的特殊涂層或標記;其制備





