[發明專利]載置臺、基板處理裝置以及載置臺的組裝方法在審
| 申請號: | 202010599609.0 | 申請日: | 2020-06-28 |
| 公開(公告)號: | CN112185881A | 公開(公告)日: | 2021-01-05 |
| 發明(設計)人: | 我妻雄一郎;朝倉賢太朗;齊藤哲也;渡邊將久 | 申請(專利權)人: | 東京毅力科創株式會社 |
| 主分類號: | H01L21/687 | 分類號: | H01L21/687;H01L21/67 |
| 代理公司: | 北京林達劉知識產權代理事務所(普通合伙) 11277 | 代理人: | 劉新宇;張會華 |
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 載置臺 處理 裝置 以及 組裝 方法 | ||
本發明提供載置臺、基板處理裝置以及載置臺的組裝方法。抑制蓋構件相對于載置臺主體的位置偏移,利用用于抑制該位置偏移的機構防止載置臺主體熱膨脹或者熱收縮時該載置臺主體產生破損。載置基板的載置臺包括:載置臺主體,該載置臺主體在上表面載置基板;蓋構件,其覆蓋載置臺主體的上表面的外緣部;以及位置偏移防止用構件,其設于載置臺主體的上表面與蓋構件的下表面之間,能夠滾動或者滑動,在載置臺主體的上表面形成有收容位置偏移防止用構件的主體側凹部,在蓋構件的下表面形成有收容被主體側凹部收容的位置偏移防止用構件的蓋側凹部,主體側凹部和蓋側凹部中的至少任一者形成為具有沿著載置臺主體的徑向的傾斜面的研缽狀。
技術領域
本公開涉及載置臺、基板處理裝置以及載置臺的組裝方法。
背景技術
在專利文獻1中,作為設于成膜裝置的腔室內且載置半導體晶圓(以下稱作“晶圓”)的載物臺,公開有一種以在整個周向上覆蓋該載物臺的外緣部和該載物臺的側周面的方式設有蓋構件的載物臺。
專利文獻1:日本特開2018-70906號公報
發明內容
本公開所涉及的技術抑制蓋構件的相對于載置臺主體的位置偏移,另外,利用該用于抑制位置偏移的機構防止載置臺主體的熱膨脹或者熱收縮時在該載置臺主體產生破損。
本公開的一技術方案為一種用于載置基板的載置臺,其中,該載置臺包括:載置臺主體,該載置臺主體在上表面載置基板;蓋構件,其覆蓋所述載置臺主體的上表面的外緣部;以及位置偏移防止用構件,其設于所述載置臺主體的上表面與所述蓋構件的下表面之間,能夠滾動或者滑動,在所述載置臺主體的上表面形成有收容所述位置偏移防止用構件的主體側凹部,在所述蓋構件的下表面形成有收容被所述主體側凹部收容的所述位置偏移防止用構件的蓋側凹部,所述主體側凹部和所述蓋側凹部中的至少任一者形成為具有沿著所述載置臺主體的徑向的傾斜面的研缽狀。
根據本公開,能夠抑制蓋構件的相對于載置臺主體的位置偏移,另外,能夠利用該用于抑制位置偏移的機構防止載置臺主體的熱膨脹或者熱收縮時在該載置臺主體產生破損。
附圖說明
圖1是用于說明本公開所涉及的課題的圖。
圖2是示意性表示作為第1實施方式所涉及的基板處理裝置的成膜裝置的結構的概略的說明圖。
圖3是表示圖2的成膜裝置的內部的狀態的局部放大剖視圖。
圖4是載置臺的局部放大剖視圖。
圖5是載置臺主體的俯視圖。
圖6是蓋構件的仰視圖。
圖7是蓋側凹部的平面圖。
圖8是用于說明位置偏移防止用構件的另一例子的圖。
圖9是用于說明位置偏移防止用構件的另一例子的圖。
圖10是用于說明載置臺主體的另一例子的圖。
圖11是示意性表示作為第2實施方式所涉及的基板處理裝置的成膜裝置的結構的概略的說明圖。
圖12是圖11的銷支承構件的俯視圖。
圖13是圖11的蓋構件的仰視圖。
圖14是圖11的蓋構件所具有的卡定部的側視圖。
圖15是用于說明第2實施方式的升降銷的另一例子的圖。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





