[發明專利]支撐框架結構及其制作方法有效
| 申請號: | 202010599238.6 | 申請日: | 2020-06-28 |
| 公開(公告)號: | CN111863626B | 公開(公告)日: | 2021-12-07 |
| 發明(設計)人: | 陳先明;馮進東;黃本霞;馮磊;趙江江;王聞師 | 申請(專利權)人: | 珠海越亞半導體股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/48 | 分類號: | H01L21/48;H01L23/367;H01L23/373;H01L23/498 |
| 代理公司: | 廣州嘉權專利商標事務所有限公司 44205 | 代理人: | 俞梁清 |
| 地址: | 519175 廣東省珠海*** | 國省代碼: | 廣東;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 支撐 框架結構 及其 制作方法 | ||
1.一種支撐框架結構制作方法,其特征在于,包括以下步驟:
提供金屬板,所述金屬板包括支撐區和開口區;
在所述支撐區的上表面和下表面分別光刻形成至少一個上介質開孔和至少一個下介質開孔,所述上介質開孔和所述下介質開孔之間連接有金屬間隔;
在所述金屬板上表面電鍍形成至少一個上金屬柱,并層壓上介質層,所述上介質層覆蓋所述上金屬柱和所述上介質開孔;
刻蝕所述金屬間隔,在所述金屬板下表面電鍍形成至少一個下金屬柱,并層壓下介質層,所述下介質層覆蓋所述下金屬柱和所述下介質開孔,所述上金屬柱與所述下金屬柱相對于所述金屬板對稱設置;
對上表面和下表面對應的所述上介質層、下介質層以及所述上金屬柱、下金屬柱進行磨平并貼附感光干膜,光刻所述感光干膜在所述開口區形成至少一個圖案窗口,對所述圖案窗口處進行刻蝕形成埋芯口框。
2.根據權利要求1所述的支撐框架結構制作方法,其特征在于,所述上介質開孔與所述下介質開孔在垂直方向上對齊設置。
3.根據權利要求1所述的支撐框架結構制作方法,其特征在于:所述上金屬柱和所述下金屬柱分別包括支撐金屬柱和開口金屬柱,所述開口金屬柱被所述圖案窗口覆蓋。
4.根據權利要求1所述的支撐框架結構制作方法,其特征在于:所述上介質層和下介質層包括半固化片或薄膜型樹脂熱固性有機樹脂或者聚乙烯熱塑性有機樹脂。
5.根據權利要求1所述的支撐框架結構制作方法,其特征在于:還包括,在所述上介質層表面依次形成導電層和保護層。
6.根據權利要求5所述的支撐框架結構制作方法,其特征在于:所述導電層為鈦或銅金屬。
7.根據權利要求5所述的支撐框架結構制作方法,其特征在于:所述保護層為感光光膜或者液態光阻材料。
8.一種支撐框架結構,用于嵌埋封裝,其特征在于,包括:
金屬板,所述金屬板包括支撐區和開口區,在所述支撐區的上表面和下表面分別設置有至少一個上介質開孔和至少一個下介質開孔,所述上介質開孔和所述下介質開孔連通;
至少一組金屬柱,所述金屬柱包括上金屬柱和下金屬柱,所述上金屬柱和所述下金屬柱分別垂直連接于所述金屬板的上表面和下表面;
介質層,包括上介質層和下介質層,所述上介質層和所述下介質層分別對應設置在所述金屬板的上表面以及上介質開孔和下表面以及下介質開孔;
至少一個埋芯口框,設置于所述開口區,貫穿所述介質層和所述金屬板,與所述上介質開孔和所述下介質開孔通過介質層間隔,所述埋芯口框的側面設置有金屬邊緣,所述金屬邊緣用于散熱及降低電磁干擾。
9.根據權利要求8所述的支撐框架結構,用于嵌埋封裝,其特征在于,介質層包括半固化片或薄膜型樹脂熱固性有機樹脂或者聚乙烯熱塑性有機樹脂。
10.根據權利要求8所述的支撐框架結構,用于嵌埋封裝,其特征在于,所述金屬板或所述金屬柱包括導電金屬或金屬合金。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





