[發明專利]一種Ga2

有效

• 申請號: 202010598047.8
• 申請日: 2020-06-28
• 公開（公告）號: CN111628018B
• 公開（公告）日: 2022-02-08
• 發明（設計）人: 陳星;劉可為;申德振;李炳輝;張振中
• 申請（專利權）人: 中國科學院長春光學精密機械與物理研究所
• 主分類號: H01L31/032
• 分類號: H01L31/032;H01L31/108;H01L31/18;G01J1/42
• 代理公司: 北京集佳知識產權代理有限公司 11227
• 代理人: 李偉

1.一種Ga₂O₃紫外探測器，其特征在于，包括依次疊加設置的襯底、Ga₂O₃薄膜和金屬叉指電極，所述Ga₂O₃薄膜中摻雜有微量鎂；所述鎂的含量在EDS測試上無法檢測到；

所述Ga₂O₃薄膜的制備方法具體為：

以有機鎵化合物作為鎵源，以高純氧氣作為氧源，利用金屬有機化學氣相沉積法在襯底表面進行沉積，降溫后得到Ga₂O₃薄膜；

在Ga₂O₃薄膜生長的過程中間歇補充有機鎂化合物，所述補充有機鎂化合物的時間開始于Ga₂O₃薄膜啟動生長之后0.1~6h，結束于Ga₂O₃薄膜停止生長之前0.1~6h；

所述間歇補充有機鎂化合物的具體方式為打開有機鎂化合物10s~600s，關閉10s~600s，反復進行1~1000次。

2.根據權利要求1所述的Ga₂O₃紫外探測器，其特征在于，所述Ga₂O₃薄膜的厚度為100~600nm；所述金屬叉指電極為金叉指電極，厚度為20~40nm，所述金屬叉指電極表面復合有銦粒。

3.根據權利要求1所述的Ga₂O₃紫外探測器，其特征在于，所述有機鎵化合物以高純氮氣作為載氣，所述載氣的流速為10~40sccm；所述高純氧氣的流速為100~400sccm；所述有機鎂化合物以高純氮氣作為載體，所述載體的流速為1~20sccm。

4.根據權利要求1所述的Ga₂O₃紫外探測器，其特征在于，所述有機鎵化合物選自三甲基鎵和三乙基鎵中的一種或兩種，所述有機鎂化合物選自二茂鎂和二甲基二茂鎂中的一種或兩種。

5.根據權利要求1所述的Ga₂O₃紫外探測器，其特征在于，所述沉積的溫度為400~1100℃，所述沉積的時間為1h~6h，所述沉積的真空度為2×10²~1×10⁴Pa。

6.根據權利要求1所述的Ga₂O₃紫外探測器，其特征在于，所述補充有機鎂化合物的時間開始于Ga₂O₃薄膜啟動生長之后0.3~0.7h，結束于Ga₂O₃薄膜停止生長之前0.3~0.7h。

7.根據權利要求1所述的Ga₂O₃紫外探測器，其特征在于，所述間歇補充有機鎂化合物的具體方式為打開有機鎂化合物30s~160s，關閉20s~160s，反復10~100次。

8.根據權利要求1所述的Ga₂O₃紫外探測器，其特征在于，所述的Ga₂O₃紫外探測器的制備方法，包括以下步驟：

在襯底表面制備Ga₂O₃薄膜；所述Ga₂O₃薄膜中摻雜有微量鎂；

在Ga₂O₃薄膜上形成叉指電極掩膜，濺射金屬后去除膠體掩膜，得到金屬叉指電極。

9.根據權利要求8所述的Ga₂O₃紫外探測器，其特征在于，在所述金屬叉指電極上按壓銦粒。