[發明專利]一種套刻標記及使用套刻標記進行套刻誤差測量的方法

在審

• 申請號: 202010597518.3
• 申請日: 2020-06-28
• 公開（公告）號: CN113848687A
• 公開（公告）日: 2021-12-28
• 發明（設計）人: 田范煥;梁時元;賀曉彬;丁明正;楊濤;李俊峰;王文武
• 申請（專利權）人: 中國科學院微電子研究所;真芯（北京）半導體有限責任公司
• 主分類號: G03F9/00
• 分類號: G03F9/00;G03F7/20
• 代理公司: 北京辰權知識產權代理有限公司 11619
• 代理人: 付婧

1.一種套刻標記，其特征在于，包括：

第一測量標記，具有圓形外輪廓，形成于前層上；

第二測量標記，具有圓形外輪廓，形成于當前層上；

其中，所述第一測量標記與所述第二測量標記尺寸不同。

2.根據權利要求1所述的套刻標記，其特征在于，

所述第一測量標記具有圓形或環形的圖案，和/或所述第二測量標記具有圓形或環形的圖案。

3.根據權利要求1或2所述的套刻標記，其特征在于，

所述第一測量標記，包括第一環形圖案和位于所述第一環形圖案中央的中心圖案；

所述第二測量標記，包括直徑小于所述第一環形圖案的第二環形圖案，所述第二環形圖案位于所述第一環形圖案與所述中心圖案之間。

4.根據權利要求3所述的套刻標記，其特征在于，

所述第一測量標記的數量為多個，多個所述第一測量標記分別形成于不同的前層上。

5.根據權利要求3所述的套刻標記，其特征在于，

所述中心圖案為點狀圖案或環狀圖案，且所述中心圖案的中心與所述第一環形圖案的圓心重合。

6.一種使用套刻標記進行套刻誤差測量的方法，其特征在于，包括：

在前層上形成具有圓形外輪廓的第一測量標記；

在當前層上形成具有圓形外輪廓的第二測量標記，且所述第一測量標記尺寸與所述第二測量標記尺寸不同；

利用所述第一測量標記與所述第二測量標記的位置偏差計算出套刻誤差。

7.根據權利要求6所述的套刻誤差測量的方法，其特征在于，

形成所述第一測量標記的過程為：形成第一測量標記包括的第一環形圖案和位于所述第一環形圖案中央的中心圖案；

形成所述第二測量標記的過程為：形成第二測量標記包括的第二環形圖案，所述第二環形圖案位于所述第一環形圖案與所述中心圖案之間；

計算套刻誤差的過程包括：計算出所述第二環形圖案與所述第一環形圖案之間區域的第一面積以及通過所述第一面積確定所述第一測量標記與所述第二測量標記的位置偏差，和/或計算出所述第二環形圖案與所述中心圖案之間區域的第二面積以及通過所述第二面積確定所述第一測量標記與所述第二測量標記的位置偏差。

8.根據權利要求7所述的套刻誤差測量的方法，其特征在于，

計算套刻誤差時，將所述第二環形圖案與所述第一環形圖案之間區域劃分為多個第一子區域，通過至少一個所述第一子區域面積確定所述第一測量標記與所述第二測量標記的位置偏差。

9.根據權利要求8所述的套刻誤差測量的方法，其特征在于，

所述第一子區域數量為四個，分別位于以第一測量標記中心為原點的四個象限內。

10.根據權利要求7所述的套刻誤差測量的方法，其特征在于，

計算套刻誤差時，將所述第二環形圖案與所述中心圖案之間區域劃分為多個第二子區域，通過至少一個所述第二子區域面積確定所述第一測量標記與所述第二測量標記的位置偏差。

11.根據權利要求10所述的套刻誤差測量的方法，其特征在于，

所述第二子區域數量為四個，分別位于以第一測量標記中心為原點的四個象限內。

12.根據權利要求6所述的套刻誤差測量的方法，其特征在于，

形成所述第一測量標記時，通過光刻和/或刻蝕前層的方式形成所述第一測量標記。

13.根據權利要求6所述的套刻誤差測量的方法，其特征在于，

形成所述第二測量標記時，通過光刻和/或刻蝕當前層的方式形成所述第二測量標記。