[發明專利]數據寫入方法、裝置、設備及計算機可讀存儲介質

有效

• 申請號: 202010597425.0
• 申請日: 2020-06-28
• 公開（公告）號: CN111897489B
• 公開（公告）日: 2023-06-13
• 發明（設計）人: 何振川;葉欣
• 申請（專利權）人: 深圳佰維存儲科技股份有限公司
• 主分類號: G06F3/06
• 分類號: G06F3/06;G06F12/06
• 代理公司: 深圳市華勤知識產權代理事務所(普通合伙) 44426
• 代理人: 隆毅

本發明公開一種數據寫入方法，該數據寫入方法包括：當接收到數據寫入指令時，同時將待寫入數據寫入第一數據寫入組的單層存儲塊SLC和兩層存儲塊MLC；獲取SLC塊和MLC塊的物理地址，并將待寫入數據中的已寫入數據的邏輯地址分別與SLC塊和MLC塊的物理地址對應后寫入第一映射關系表；修改第一映射關系表中的數據，得到第一保存映射關系表，第一保存映射關系表中待寫入數據的已寫入數據的邏輯地址僅對應MLC塊的物理地址；對SLC塊執行垃圾回收GC操作，以擦除寫入SLC塊的數據。本發明的數據寫入方法具有寫入時間短、速度快且功耗小的優點。此外，本發明還公開一種數據寫入裝置、設備和計算機可讀存儲介質。

技術領域

本發明涉及閃存技術領域，特別涉及一種閃存數據寫入方法、裝置、設備及計算機可讀存儲介質。

背景技術

閃存(Flash?memory)是一種在斷電情況下數據也不易丟失的存儲器，又稱為“非易失性存儲器”。近年來，隨著閃存技術(NOR型閃存與NAND型閃存)的不斷完善與發展，閃存以其高性能、低功耗等特點在存儲系統領域得到了廣泛的應用。

目前，閃存數據寫入過程為：將數據寫入SLC(Single?Level?Cell，單層存儲單元)塊中，在觸發其寫入數據的臨界值時，再將SLC塊中的數據寫入MLC(Multi-Level?Cell，二層存儲單元)或TLC(Trinary-Level?Cell，三層存儲單元)塊中，系統對應修改邏輯地址到物理地址的映射表，并隨后擦除SLC塊中的數據以便進行下一次的數據寫入操作。

由此可知，MLC或TLC塊中的數據需從SLC塊中進行讀取然后再寫入，數據的總寫入時間較長，速度慢，并且會造成閃存功耗的增加。

發明內容

本發明通過提出一種數據寫入方法，以解決目前閃存的數據寫入時間長、速度慢且功耗大的問題。

具體地，本發明提出一種數據寫入方法，該數據寫入方法包括：

當接收到數據寫入指令時，同時將所述數據寫入指令中的待寫入數據寫入第一數據寫入組的單層存儲塊SLC和兩層存儲塊MLC；

獲取所述待寫入數據分別寫入所述第一數據寫入組中SLC塊和MLC塊的物理地址，并將所述待寫入數據中的已寫入數據的邏輯地址分別與所述第一數據寫入組的SLC塊和MLC塊的物理地址對應后寫入第一映射關系表；

判斷所述第一數據寫入組的MLC塊是否處于關閉狀態，若處于關閉狀態，則將所述待寫入數據中的未寫入數據同時寫入第二數據寫入組中的單層存儲塊SLC和兩層存儲塊MLC，將所述待寫入數據中的未寫入數據的邏輯地址分別與所述第二數據寫入組的SLC塊和MLC塊的物理地址對應后寫入第二映射關系表；

修改所述第一映射關系表中的數據，得到第一保存映射關系表，所述第一保存映射關系表中所述待寫入數據的已寫入數據的邏輯地址僅對應所述第一數據寫入組的MLC塊的物理地址；

對所述第一數據寫入組的SLC塊執行垃圾回收GC操作，以擦除寫入所述第一數據寫入組的SLC塊的數據；

若所述第一數據寫入組的MLC塊不處于關閉狀態，則繼續檢測是否接收到數據寫入指令。

優選地，所述修改所述第一映射關系表中的數據，得到第一保存映射關系表包括：

將所述第一映射關系表中的SLC塊的物理地址修改為MLC塊的物理地址，并將所述第一映射關系表中的MLC塊的物理地址刪除，得到所述第一保存映射關系表。

優選地，所述同時將所述數據寫入指令中的待寫入數據寫入第一數據寫入組的單層存儲塊SLC和兩層存儲塊MLC的步驟之前，所述數據寫入方法還包括：

將三個存儲塊設定為一個數據寫入組，并將所述數據寫入組中的兩個所述存儲塊設置為SLC塊，另外一個所述存儲塊設置為MLC塊。