[發明專利]用于TN型顯示面板的像素結構、陣列襯底和TN型顯示面板

在審

• 申請號: 202010596170.6
• 申請日: 2020-06-28
• 公開（公告）號: CN111624823A
• 公開（公告）日: 2020-09-04
• 發明（設計）人: 王婷婷;王祺;閆巖
• 申請（專利權）人: 京東方科技集團股份有限公司;北京京東方顯示技術有限公司
• 主分類號: G02F1/1343
• 分類號: G02F1/1343;G02F1/1362;G02F1/139
• 代理公司: 北京清亦華知識產權代理事務所(普通合伙) 11201
• 代理人: 王佳璐

本發明提供了用于TN型顯示面板的像素結構、陣列襯底和TN型顯示面板。該像素結構包括多個像素單元，每個像素單元包括：襯底；像素電極，所述像素電極通過過孔與薄膜晶體管的漏極電連接；公共電極，所述公共電極位于所述像素電極和所述襯底之間，且在所述襯底上的正投影覆蓋所述過孔在所述襯底上的正投影，其中，所述像素電極和所述公共電極彼此正對應的部分構成存儲電容。由于公共電極在襯底上的正投影覆蓋過孔在襯底上的正投影，即過孔位于存儲電容的區域內，如此可以增大像素的開口率。

技術領域

本發明涉及顯示技術領域，具體的，涉及用于TN型顯示面板的像素結構、陣列襯底和TN型顯示面板。

背景技術

對于常規產品高開口率TN像素設計，陣列襯底的像素電極過孔設計在非Com(公共電極)線上，一般會設置在離Data線(數據線)較近的像素電極的一角，這樣設計占用了較大的空間，還犧牲了一定的開口率。

因此，關于TN型顯示面板的像素結構的研究有待深入。

發明內容

本發明旨在至少在一定程度上解決相關技術中的技術問題之一。為此，本發明的一個目的在于提出一種用于TN型顯示面板的像素結構，該像素結構具有較大的開口率，或較大的存儲電容。

在本發明的一個方面，本發明提供了一種用于TN型顯示面板的像素結構。根據本發明的實施例，該像素結構包括多個像素單元，每個像素單元包括：襯底；像素電極，所述像素電極通過過孔與薄膜晶體管的漏極電連接；公共電極，所述公共電極位于所述像素電極和所述襯底之間，且在所述襯底上的正投影覆蓋所述過孔在所述襯底上的正投影，其中，所述像素電極和所述公共電極彼此正對應的部分構成存儲電容。由于公共電極在襯底上的正投影覆蓋過孔在襯底上的正投影，即過孔位于存儲電容的區域內，如此可以增大像素的開口率。

根據本發明的實施例，所述公共電極包括：兩條第一公共電極，兩條所述第一公共電極沿第一方向間隔設置；第二公共電極，所述第二公共電極設置在兩條所述第一公共電極之間，且位于所述第一公共電極靠近所述薄膜晶體管的柵極的一端，并與兩條所述第一公共電極電連接，其中，所述第二公共電極在所述襯底上的正投影覆蓋所述過孔在所述襯底上的正投影。

根據本發明的實施例，所述像素電極在所述襯底上的正投影與所述第一公共電極和所述第二公共電極在所述襯底上的正投影有第一重疊區域。

根據本發明的實施例，所述漏極具有相連的第一段和第二段，所述第一段設置在所述第二段遠離所述薄膜晶體管的源極的一側，且所述第一段的長度在所述第一方向上延伸，其中，所述第一段在所述襯底上的正投影與所述第二公共電極在所述襯底上的正投影有第二重疊區域。

根據本發明的實施例，所述公共電極與所述柵極同層設置。

根據本發明的實施例，該像素結構包括：所述襯底；所述公共電極，所述公共電極設置在所述襯底的表面上；柵絕緣層，所述柵絕緣層設置在所述襯底的表面上，且覆蓋所述公共電極；所述漏極設置在所述柵絕緣層遠離所述襯底的表面上；層間介質層，所述層間介質層設置在所述漏極的表面上，且覆蓋未被所述漏極覆蓋的所述柵絕緣層的表面，其中，所述過孔貫穿所述層間介質層，并暴露出所述漏極的表面；所述像素電極層設置在所述層間介質層遠離所述襯底的表面上。

根據本發明的實施例，所述過孔進一步貫穿所述漏極并暴露所述柵絕緣層的表面，其中，所述像素電極通過所述過孔與所述漏極的側面電連接。

根據本發明的實施例，該像素結構還包括：有源層，所述有源層設置在所述柵絕緣層和所述漏極之間。

在本方發明的另一方面，本發明提供了一種陣列襯底。根據本發明的實施例，該陣列襯底包括前面所述的像素結構。由此，該陣列基板具有較大的像素開口率。本領域技術人員可以理解，該陣列基板具有前面所述的像素結構的所有特征和優點，在此不再過多的贅述。