[發(fā)明專利]介電組合物、介電材料和多層電子組件有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 202010596105.3 | 申請日： | 2020-06-28 |
| 公開（公告）號： | CN112542317B | 公開（公告）日： | 2023-07-11 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 樸宰成;金亨旭;權(quán)亨純;金鍾翰;金正烈 | 申請（專利權(quán)）人： | 三星電機株式會社 |
| 主分類號： | H01G4/12 | 分類號： | H01G4/12;H01G4/30 |
| 代理公司： | 北京銘碩知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11286 | 代理人： | 何巨;宋天丹 |
| 地址： | 韓國京畿*** | 國省代碼： | 暫無信息 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 組合 材料 多層 電子 組件 | ||
1.一種介電組合物，包括：
主成分，包括BaTiO3、(Ba,Ca)(Ti,Ca)O3、(Ba,Ca)(Ti,Zr)O3、Ba(Ti,Zr)O3和(Ba,Ca)(Ti,Sn)O3中的至少一種；
第一副成分，包含稀土元素；以及
第二副成分，包含可變價受體元素和固定價受體元素中的至少一種，
其中，當(dāng)所述稀土元素的含量之和被定義為DT，所述可變價受體元素和所述固定價受體元素的含量之和被定義為AT，并且Ba和Ca的含量之和被定義為Ba+Ca時，(DT/AT)/(Ba+Ca)滿足大于0.5且小于6.0，
其中，所述稀土元素包含La，并且La的含量與所述稀土元素的含量之和DT的含量比La/DT滿足大于或等于0.1且小于1.0。
2.如權(quán)利要求1所述的介電組合物，其中，所述稀土元素還包含Y、Ac、Ce、Pr、Nd、Pm、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb和Lu中的至少一種，并且
La的含量與所述稀土元素的含量之和DT的含量比La/DT滿足大于或等于0.1且小于或等于0.75。
3.如權(quán)利要求1所述的介電組合物，其中，相對于100mol的所述主成分，所述第一副成分包含在0.2mol至4.0mol的范圍內(nèi)的含有所述稀土元素的氧化物或碳酸鹽。
4.如權(quán)利要求1所述的介電組合物，其中，所述可變價受體元素包含Mn、V、Cr、Fe、Ni、Co、Cu和Zn中的至少一種，并且
所述固定價受體元素包含Mg和Zr中的至少一種。
5.如權(quán)利要求1所述的介電組合物，其中，相對于100mol的所述主成分，所述第二副成分包含在0.01mol至4.0mol的范圍內(nèi)的含有所述可變價受體元素和所述固定價受體元素中的至少一種的氧化物或碳酸鹽。
6.如權(quán)利要求1所述的介電組合物，其中，所述介電組合物還包含第三副成分，所述第三副成分是包含Ba的氧化物或碳酸鹽，
其中，相對于100mol的所述主成分，被包含的所述第三副成分的量在0.37mol至4.0mol的范圍內(nèi)。
7.如權(quán)利要求1所述的介電組合物，其中，所述介電組合物還包含第四副成分，所述第四副成分是包含Si和Al中的至少一種的氧化物與包含Si的玻璃化合物中的至少一種，
其中，相對于100mol的所述主成分，被包含的所述第四副成分的量在0.5mol至7.0mol的范圍內(nèi)。
8.一種多層電子組件，包括：
主體，包括介電層和內(nèi)電極；以及
外電極，設(shè)置在所述主體上并且連接到所述內(nèi)電極，
其中，所述介電層包含介電組合物，
其中，所述介電組合物包括：
主成分，包括BaTiO3、(Ba,Ca)(Ti,Ca)O3、(Ba,Ca)(Ti,Zr)O3、Ba(Ti,Zr)O3和(Ba,Ca)(Ti,Sn)O3中的至少一種；
第一副成分，包含稀土元素；以及
第二副成分，包含可變價受體元素和固定價受體元素中的至少一種，并且
當(dāng)將所述稀土元素的含量之和定義為DT，將所述可變價受體元素和所述固定價受體元素的含量之和定義為AT，并且Ba和Ca的含量之和被定義為Ba+Ca時，(DT/AT)/(Ba+Ca)滿足大于0.5且小于6.0，
其中，所述稀土元素包含La，并且La的含量與所述稀土元素的含量之和DT的含量比La/DT滿足大于或等于0.1且小于1.0。
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