[發明專利]受光元件和電子設備

在審

• 申請號: 202010595353.6
• 申請日: 2019-07-01
• 公開（公告）號: CN111900178A
• 公開（公告）日: 2020-11-06
• 發明（設計）人: 蛯子芳樹;閨宏司;佐野拓也
• 申請（專利權）人: 索尼半導體解決方案公司
• 主分類號: H01L27/146
• 分類號: H01L27/146;G01S17/08;H04N5/369
• 代理公司: 北京信慧永光知識產權代理有限責任公司 11290
• 代理人: 衛李賢;曹正建

1.一種受光元件，其包括：

第一溝槽部，所述第一溝槽部設置在半導體層中，所述半導體層在截面圖中位于片上透鏡和多層配線層之間；

第二溝槽部，所述第二溝槽部在所述截面圖中位于所述半導體層中且鄰近所述第一溝槽部；

光電二極管，所述光電二極管在所述截面圖中位于所述半導體層中且在所述第一溝槽部和所述第二溝槽部之間；

第一傳輸晶體管，所述第一傳輸晶體管將所述光電二極管中生成的電荷傳輸至第一浮動擴散區域；

第二傳輸晶體管，所述第二傳輸晶體管將所述光電二極管中生成的電荷傳輸至第二浮動擴散區域；以及

電荷排出晶體管，所述電荷排出晶體管排出所述光電二極管中累積的電荷。

2.根據權利要求1所述的受光元件，其還包括：

金屬氧化物膜，所述金屬氧化物膜設置在所述第一溝槽部和所述第二溝槽部中，并且設置在所述半導體層的位于所述第一溝槽部和所述第二溝槽部之間的光接收表面處。

3.根據權利要求2所述的受光元件，其還包括：

金屬膜，所述金屬膜設置在所述金屬氧化膜上方，其中，所述金屬膜設置在所述第一溝槽部以及所述第二溝槽部上方，以及

有機材料，所述有機材料設置在所述金屬氧化膜和所述金屬膜上方。

4.根據權利要求3所述的受光元件，

其中，所述有機材料包括樹脂。

5.根據權利要求4所述的受光元件，

其中，所述半導體層被配置為接收紅外光。

6.根據權利要求1所述的受光元件，還包括：

放大晶體管，所述放大晶體管連接到所述第一浮動擴散區域，以及

復位晶體管，所述復位晶體管連接到所述第一浮動擴散區域，

其中，所述第一傳輸晶體管的柵極、所述復位晶體管的柵極和所述放大晶體管的柵極在平面圖中沿一方向布置，并且

其中，所述光電二極管在所述平面圖中設置在所述放大晶體管的所述柵極和所述電荷排出晶體管的柵極之間。

7.一種受光元件，其包括：

光電二極管，所述光電二極管設置在半導體層中，所述半導體層在截面圖中設置在片上透鏡和多層配線層之間；

第一傳輸晶體管，所述第一傳輸晶體管將所述光電二極管中生成的電荷傳輸到第一存儲器；

第二傳輸晶體管，所述第二傳輸晶體管將所述第一存儲器中累積的電荷傳輸到第一浮動擴散區域；

第三傳輸晶體管，所述第三傳輸晶體管將所述光電二極管中生成的電荷傳輸到第二存儲器；以及

第四傳輸晶體管，所述第四傳輸晶體管將所述第二存儲器中累積的電荷傳輸到第二浮動擴散區域，

其中，所述光電二極管、所述第一傳輸晶體管的柵極，以及所述第一存儲器在平面圖中沿第一方向布置，

其中，所述第一存儲器、所述第二傳輸晶體管的柵極，以及所述第一浮動擴散區域在所述平面圖中沿第二方向布置，并且

其中，所述第二方向與所述第一方向不同。

8.根據權利要求7所述的受光元件，其還包括：

復位晶體管，所述復位晶體管配置為復位所述第一浮動擴散區域的電位，且

其中，所述復位晶體管的柵極在所述平面圖中沿所述第二方向布置。

9.根據權利要求8所述的受光元件，其還包括：

放大晶體管，所述放大晶體管連接到所述第一浮動擴散區域，

選擇晶體管，所述選擇晶體管連接到所述放大晶體管，且

其中，所述放大晶體管的柵極和所述選擇晶體管的柵極在所述平面圖中沿所述第二方向布置。

10.根據權利要求7所述的受光元件，

其中，所述光電二極管、所述第三傳輸晶體管的柵極，以及所述第二存儲器在所述平面圖中沿第三方向布置，并且

其中，所述第三方向與所述第一方向不同。