[發(fā)明專利]屏下攝像頭的OLED顯示面板及其制備方法及顯示裝置

有效

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• 申請日: 2020-06-28
• 公開（公告）號: CN111755493B
• 公開（公告）日: 2022-08-23
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 唐芮
• 申請（專利權(quán)）人: 武漢華星光電半導(dǎo)體顯示技術(shù)有限公司
• 主分類號: H01L27/32
• 分類號: H01L27/32;H01L51/52;H01L51/56
• 代理公司: 深圳紫藤知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 44570
• 代理人: 李新干

本申請公開了屏下攝像頭的OLED顯示面板及其制備方法及顯示裝置，所述OLED顯示面板包括攝像區(qū)、圍繞所述攝像區(qū)的過渡區(qū)以及圍繞所述過渡區(qū)的顯示區(qū)，所述OLED顯示面板還包括：疊層基板，從所述攝像區(qū)延伸至所述顯示區(qū)，其中，在所述攝像區(qū)和所述過渡區(qū)，所述疊層基板具有多個(gè)凹槽；以及浸潤層，從所述疊層基板表面延伸至所述凹槽，在所述凹槽內(nèi)，所述浸潤層貼附于所述凹槽的側(cè)壁和底壁形成一吸附槽。本申請所述凹槽的整體結(jié)構(gòu)為所述浸潤層的結(jié)構(gòu)提供了良好的附著環(huán)境的前提下，從而使得所述浸潤層的吸附槽結(jié)構(gòu)也為所述封裝層提供良好的成膜性能，進(jìn)而解決了OLED顯示面板在攝像區(qū)處封裝不良的問題。

技術(shù)領(lǐng)域

本申請涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種屏下攝像頭的OLED顯示面板及其制備方法及顯示裝置。

背景技術(shù)

有機(jī)發(fā)光二極管顯示器件(Organic Light Emitting Diode，OLED)具有自發(fā)光、驅(qū)動(dòng)電壓低、發(fā)光效率高、響應(yīng)時(shí)間短、清晰度與對比度高、近180°視角、使用溫度范圍寬、可實(shí)現(xiàn)柔性顯示與大面積全色顯示等諸多優(yōu)點(diǎn)，被業(yè)界公認(rèn)為是下一代的平面顯示器新興應(yīng)用技術(shù)。

隨著全面屏技術(shù)的發(fā)展，屏下攝像頭技術(shù)即把攝像頭放置在顯示屏的下方，同時(shí)攝像頭區(qū)域的顯示屏仍然可以顯示，此為真正意義上的全面屏顯示技術(shù)。但目前存在技術(shù)壁壘，即外界光線穿過顯示屏疊層結(jié)構(gòu)以及模組材料的疊構(gòu)之后能量衰減超過90％，導(dǎo)致攝像頭較難正常成像，因此出現(xiàn)了一種過渡技術(shù)—OCUT型屏下攝像頭，即攝像頭投影上方的顯示屏用激光鐳射等方式切割后再進(jìn)行攝像頭安裝，保證攝像頭可直接獲取外界光線，然而現(xiàn)有的O cut設(shè)計(jì)結(jié)構(gòu)如圖1，存在封裝不良水氧易入侵等問題，在圓孔邊緣的發(fā)光區(qū)易產(chǎn)生小黑點(diǎn)以及內(nèi)縮現(xiàn)象。

如圖1所示，現(xiàn)有的O cut技術(shù)主要在panel(OLED顯示屏)面內(nèi)設(shè)計(jì)了攝像區(qū)701，為保證攝像頭直接獲取外界光線，此區(qū)域在顯示屏器件結(jié)束后會(huì)進(jìn)行鐳射切割除去OLED器件擋光膜層，以及正常顯示區(qū)703即AA區(qū)和圍繞在AA區(qū)邊界的過渡區(qū)702。過渡區(qū)域702設(shè)計(jì)目的就是保證攝像區(qū)701被切割后AA區(qū)不會(huì)因?yàn)殍D射切割截面導(dǎo)致的側(cè)向水氧入侵失效。

如圖2所示，圖2為現(xiàn)有O CUT顯示面板的截面圖，首先AA區(qū)，從下至上一次包括疊層基板100、第二緩沖層201、有源層400、第一柵極絕緣層202、第一柵極層421、第二柵極絕緣層203、第二柵極層422、介電層204、源漏極層411、平坦層301、OLED器件412、像素定義層302、陰極303以及封裝層304(TFE)，此處不做詳細(xì)介紹。

在實(shí)際量產(chǎn)狀況下，現(xiàn)有顯示面板難以保證有效封裝，主要原因在于底切結(jié)構(gòu)(under cut)在實(shí)際曝光制程難以做到理想的形貌，導(dǎo)致TFE層無機(jī)膜在覆蓋under cut結(jié)構(gòu)時(shí)成膜較差易發(fā)生斷裂，從而形成水氧入侵路徑，TFE無機(jī)膜在量產(chǎn)實(shí)際一般采取CVD化學(xué)氣相沉積的方法，為保護(hù)EL有機(jī)材料不受高溫變性影響，一般TFE CVD制程溫度需要控制在85°左右，因此TFE化學(xué)氣相沉積(CVD)屬于低溫抑制性沉積成膜方式，此成膜方式由于制程溫度較低導(dǎo)致原子遷移擴(kuò)散能力較差，自上而下的沉積方式?jīng)Q定了原子遷移擴(kuò)散具有一定方向也就決定了CVD成膜具有一定方向性，此外在under cut拐角區(qū)域CVD沉積襯底由無機(jī)CVD過渡到有機(jī)PI材料兩個(gè)相面，在兩個(gè)相面的交界處表面勢壘較大，阻礙晶核生長和核島的延伸吞并過程，最終導(dǎo)致CVD難以跨界面連續(xù)成膜。所以在undercut結(jié)構(gòu)的屋檐區(qū)CVD成膜的膜質(zhì)疏松內(nèi)應(yīng)力較大，易發(fā)生斷裂，導(dǎo)致封裝失效。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明的目的在于，提供一種屏下攝像頭的OLED顯示面板及其制備方法及顯示裝置，以解決現(xiàn)有顯示面板攝像頭區(qū)域處的封裝膜層容易斷裂、封裝效果較差的技術(shù)問題。

為實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明提供一種屏下攝像頭的OLED顯示面板，包括攝像區(qū)、圍繞所述攝像區(qū)的過渡區(qū)以及圍繞所述過渡區(qū)的顯示區(qū)，所述OLED顯示面板還包括：