[發(fā)明專利]具有溝槽柵的IGBT器件的制造方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 202010594542.1
• 申請日: 2020-06-28
• 公開（公告）號: CN111785627B
• 公開（公告）日: 2023-03-14
• 發(fā)明（設計）人: 潘嘉;楊繼業(yè);陳沖
• 申請（專利權）人: 上海華虹宏力半導體制造有限公司
• 主分類號: H01L21/331
• 分類號: H01L21/331;H01L21/28
• 代理公司: 上海浦一知識產權代理有限公司 31211
• 代理人: 羅雅文

1.一種具有溝槽柵的IGBT器件的制造方法，其特征在于，所述方法包括：

在襯底上形成溝槽；

形成氧化層，所述氧化層覆蓋所述溝槽的底部和側壁；

利用多晶硅分兩次填充所述溝槽，填充后的溝槽上層位置中間形成預定寬度的間隙；所述預定寬度等于經過氧化工藝處理后溝槽內多晶硅氧化增加的厚度；

形成IGBT器件的基極區(qū)、源區(qū)和集電區(qū)。

2.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述利用多晶硅分兩次填充所述溝槽，填充后的溝槽上層位置中間形成預定寬度的間隙，包括：

進行第一次多晶硅填充，第一次填充的多晶硅厚度小于所述溝槽的深度；

刻蝕去除所述溝槽內預定深度以上位置的多晶硅；

進行第二次多晶硅填充，所述溝槽內第二次填充的多晶硅中間形成預定寬度的間隙；

去除所述襯底表面的多晶硅。

3.根據權利要求2所述的方法，其特征在于，所述刻蝕去除所述溝槽內預定深度以上位置的多晶硅，包括：

根據具有缺陷的溝槽柵中的缺陷深度確定所述預定深度，所述預定深度大于或等于所述缺陷深度；

刻蝕去除所述溝槽內所述預定深度以上位置的多晶硅。

4.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述在襯底上形成溝槽，包括：

通過光刻和刻蝕工藝在所述襯底上形成溝槽。

5.根據權利要求1至3任一所述的方法，其特征在于，所述溝槽上層位置中間的間隙被氧化物填充。

6.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述形成IGBT器件的基極區(qū)、源區(qū)和集電區(qū)，包括：

在溝槽兩側形成所述基極區(qū)，所述基極區(qū)位于所述襯底中的漂移區(qū)內；

在所述基極區(qū)內形成所述源區(qū)；

在所述襯底的背面形成集電區(qū)。

7.根據權利要求6所述的方法，其特征在于，在所述基極區(qū)內形成所述源區(qū)之后，還包括：

在所述襯底的正面形成正面金屬層，通過所述正面金屬層引出所述IGBT器件的源區(qū)和溝槽柵。

8.根據權利要求6所述的方法，其特征在于，所述在襯底的背面形成集電區(qū)之后，還包括：

在所述襯底的背面形成背面金屬層，通過所述背面金屬層引出所述IGBT器件的集電區(qū)。