[發明專利]一種摻雜熒光材料的背電極和光伏組件及其制備方法在審
| 申請號: | 202010593756.7 | 申請日: | 2020-06-28 |
| 公開(公告)號: | CN111477752A | 公開(公告)日: | 2020-07-31 |
| 發明(設計)人: | 不公告發明人 | 申請(專利權)人: | 杭州纖納光電科技有限公司 |
| 主分類號: | H01L51/46 | 分類號: | H01L51/46;H01L51/44;H01L51/48 |
| 代理公司: | 杭州奧創知識產權代理有限公司 33272 | 代理人: | 楊文華 |
| 地址: | 311121 浙江省杭州*** | 國省代碼: | 浙江;33 |
| 權利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 摻雜 熒光 材料 電極 組件 及其 制備 方法 | ||
1.一種摻雜熒光材料的背電極,其特征在于,背電極為碳電極,在制備碳電極的碳漿原料中摻雜有熒光材料,熒光材料占碳電極原料中含碳材料總量的0.05wt%~20wt%,熒光材料包括無機熒光材料或有機熒光材料,含碳材料包括炭黑粉、石墨粉或碳納米管中至少一種。
2.如權利要求1所述的摻雜熒光材料的背電極,其特征在于,所述無機熒光材料包括鈣鈦礦量子點材料或無機發光量子點,所述有機熒光材料包括惡二唑及其衍生物類、三唑及其衍生物類、羅丹明及其衍生物類、香豆素類衍生物、1,8-萘酰亞胺類衍生物、吡唑啉衍生物、三苯胺類衍生物、卟啉類化合物、咔唑、吡嗪、噻唑類衍生物、苝類衍生物中任意一種。
3.如權利要求2所述的摻雜熒光材料的背電極,其特征在于,所述熒光材料包括MAPbX3、FAPbX3、CsPbX3、CsSnX3、MA3Bi2X9、Cs3Sb2X9、Cs2AgSbX6、Cs3Bi2X9、CdS、CdSe、Ag2Se、CdTe、CdSeTe/ZnS、CdSe/ZnS、CdS/ZnS、CdSe/CsS、CdSe/ZnSe、CdS/CsS、CdS/ZnSe中任意一種,其中,X為Cl-、Br-或I-。
4.一種如權利要求1至3中任意一項所述的摻雜熒光材料的背電極的制備方法,其特征在于,包括如下步驟:
將質量比為3:1:6的石墨粉、炭黑粉和松油醇混合均勻,在常溫下攪拌2h,隨后將體積比為10:1的鈦酸四異丙酯和冰醋酸加入以上混合體系中,繼續攪拌24h后,再向混合體系中加入0.05wt%~20wt%的熒光材料,攪拌均勻后,得到摻雜有熒光材料的碳漿原料,將碳漿原料涂敷或印刷在基底表面,在70℃下干燥0.5h~2h后,冷卻至室溫即得到背電極。
5.一種光伏組件,其特征在于,其內部結構包括電子傳輸層、阻擋層、鈣鈦礦吸光層和背電極,在其內部結構中不含空穴傳輸層,其中,所述背電極采用如權利要求1至3中任意一項所述的摻雜熒光材料的背電極。
6.一種光伏組件,其特征在于,其內部結構包括電子傳輸層、阻擋層、背電極和吸光層,在其內部結構中不含空穴傳輸層,其中,所述背電極使用如權利要求4所述的摻雜熒光材料的背電極的制備方法制備的背電極。
7.一種如權利要求5或6所述的光伏組件的制備方法,其特征在于,包括如下步驟:
步驟一、在透明導電基底上依次制備電子傳輸層和阻擋層,在阻擋層上印刷一層摻雜熒光材料的碳漿原料,在70℃下干燥0.5h~2h后,冷卻至室溫,制成摻雜熒光材料的背電極;
步驟二、在背電極表面制備吸光層,最后得到無空穴傳輸層結構的光伏組件。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息,商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于杭州纖納光電科技有限公司,未經杭州纖納光電科技有限公司許可,擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作,請聯系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/202010593756.7/1.html,轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
- 同類專利
- 專利分類
H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L51-00 使用有機材料作有源部分或使用有機材料與其他材料的組合作有源部分的固態器件;專門適用于制造或處理這些器件或其部件的工藝方法或設備
H01L51-05 .專門適用于整流、放大、振蕩或切換且并具有至少一個電位躍變勢壘或表面勢壘的;具有至少一個電位躍變勢壘或表面勢壘的電容器或電阻器
H01L51-42 .專門適用于感應紅外線輻射、光、較短波長的電磁輻射或微粒輻射;專門適用于將這些輻射能轉換為電能,或者適用于通過這樣的輻射進行電能的控制
H01L51-50 .專門適用于光發射的,如有機發光二極管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料選擇





