[發(fā)明專利]半導(dǎo)體裝置

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 202010592346.0
• 申請日: 2020-06-24
• 公開（公告）號: CN112151598A
• 公開（公告）日: 2020-12-29
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 神谷真行;川島崇功
• 申請（專利權(quán)）人: 株式會(huì)社電裝
• 主分類號: H01L29/06
• 分類號: H01L29/06;H01L29/417;H01L29/423;H01L29/16;H01L29/78
• 代理公司: 廣州華進(jìn)聯(lián)合專利商標(biāo)代理有限公司 44224
• 代理人: 王程

本發(fā)明的技術(shù)課題是讓高的電流流過在端子的外側(cè)的范圍設(shè)置有有源區(qū)的半導(dǎo)體裝置。一種半導(dǎo)體裝置，具有：半導(dǎo)體基板；上部電極，設(shè)置于所述半導(dǎo)體基板的上表面；下部電極，其設(shè)置于所述半導(dǎo)體基板的下表面；以及端子，其與所述上部電極連接。所述半導(dǎo)體基板具有形成有開關(guān)元件的有源區(qū)，所述開關(guān)元件能夠讓電流流過所述上部電極與所述下部電極之間。所述有源區(qū)具有位于所述端子的正下方的主要區(qū)域、和位于所述主要區(qū)域的外部的外部區(qū)域。所述外部區(qū)域具有低電流區(qū)域。在所述低電流區(qū)域內(nèi)的所述開關(guān)元件以及所述主要區(qū)域內(nèi)的所述開關(guān)元件接通了時(shí)，所述低電流區(qū)域內(nèi)的電流密度比所述主要區(qū)域內(nèi)的電流密度低。

技術(shù)領(lǐng)域

本說明書公開的技術(shù)涉及半導(dǎo)體裝置。

背景技術(shù)

專利文獻(xiàn)1公開的半導(dǎo)體裝置具有：半導(dǎo)體基板；上部電極，設(shè)置于所述半導(dǎo)體基板的上表面；下部電極，設(shè)置于所述半導(dǎo)體基板的下表面；以及端子(銅塊)，與所述上部電極連接。半導(dǎo)體基板具有形成有開關(guān)元件的有源區(qū)，所述開關(guān)元件能夠讓電流流過上部電極與下部電極之間。一般地，有源區(qū)僅形成于端子的正下方及其附近。因此，在電流流過開關(guān)元件而有源區(qū)發(fā)熱時(shí)，通過端子將熱從有源區(qū)散走。由此，抑制有源區(qū)的溫度上升。

專利文獻(xiàn)1：日本專利申請?zhí)亻_2018-129388號公報(bào)

為了擴(kuò)大有源區(qū)，可以在端子的外側(cè)的范圍(未被端子覆蓋的范圍)大范圍地設(shè)置有源區(qū)。然而，如果像這樣在端子的外側(cè)的范圍大范圍地設(shè)置有源區(qū)，則在該范圍產(chǎn)生的熱難以傳導(dǎo)到端子。因此，在端子的外側(cè)設(shè)置的有源區(qū)比端子的正下方的有源區(qū)的溫度高。其結(jié)果，存在雖然端子的正下方的有源區(qū)(主要區(qū)域)未變?yōu)楹芨叩臏囟龋娏鳠o法再流過半導(dǎo)體裝置的問題。在本說明書中，提出了一種半導(dǎo)體裝置，其在端子的外側(cè)的范圍設(shè)置有有源區(qū)，并能夠流過高的電流。

發(fā)明內(nèi)容

本說明書公開的半導(dǎo)體裝置具有：半導(dǎo)體基板；上部電極，設(shè)置于所述半導(dǎo)體基板的上表面；下部電極，設(shè)置于所述半導(dǎo)體基板的下表面；以及端子，與所述上部電極連接。所述半導(dǎo)體基板具有形成有開關(guān)元件的有源區(qū)，所述開關(guān)元件能夠讓電流流過所述上部電極與所述下部電極之間。所述有源區(qū)具有位于所述端子的正下方的主要區(qū)域、和位于所述主要區(qū)域的外部的外部區(qū)域。所述外部區(qū)域具有低電流區(qū)域。在所述低電流區(qū)域內(nèi)的所述開關(guān)元件以及所述主要區(qū)域內(nèi)的所述開關(guān)元件接通了時(shí)，所述低電流區(qū)域內(nèi)的電流密度比所述主要區(qū)域內(nèi)的電流密度低。

在該構(gòu)成中，在主要區(qū)域內(nèi)的開關(guān)元件以及低電流區(qū)域(端子的外側(cè)的區(qū)域)內(nèi)的開關(guān)元件同時(shí)接通了時(shí)，低電流區(qū)域內(nèi)的電流密度比主要區(qū)域內(nèi)的電流密度低。由此，抑制在低電流區(qū)域中的發(fā)熱，抑制低電流區(qū)域的溫度上升。因此，高的電流都能夠流過半導(dǎo)體裝置，直至主要區(qū)域變?yōu)楦邷亍?/p>

附圖說明

圖1是半導(dǎo)體裝置的剖視圖。

圖2是從上觀察半導(dǎo)體基板和端子70的俯視圖。

圖3是主要區(qū)域的剖視圖。

圖4是實(shí)施例1的低電流區(qū)域的剖視圖。

圖5是實(shí)施例2的低電流區(qū)域的剖視圖。

圖6是實(shí)施例3的低電流區(qū)域的剖視圖。

圖7是示出變更了低電流區(qū)域的配置的變形例的俯視圖。

圖8是示出變更了低電流區(qū)域的配置的變形例的俯視圖。

圖9是示出附加了溫度傳感器的變形例的俯視圖。

具體實(shí)施方式

[實(shí)施例1]

圖1示出了實(shí)施例1的半導(dǎo)體裝置10。如圖1所示，半導(dǎo)體裝置10具有半導(dǎo)體基板12。另外，在以下的說明中，x方向意味著與半導(dǎo)體基板12平行的一個(gè)方向，y方向意味著與半導(dǎo)體基板12平行并與x方向正交的一個(gè)方向，z方向意味著與半導(dǎo)體基板12垂直的一個(gè)方向。