[發(fā)明專利]半導(dǎo)體加工設(shè)備有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 202010591899.4 | 申請(qǐng)日: | 2020-06-24 |
| 公開(公告)號(hào): | CN111725110B | 公開(公告)日: | 2023-09-08 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 郭士選 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 北京北方華創(chuàng)微電子裝備有限公司 |
| 主分類號(hào): | H01L21/67 | 分類號(hào): | H01L21/67;H01J37/32 |
| 代理公司: | 北京國昊天誠知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11315 | 代理人: | 施敬勃 |
| 地址: | 100176 北京市*** | 國省代碼: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 半導(dǎo)體 加工 設(shè)備 | ||
本發(fā)明公開一種半導(dǎo)體加工設(shè)備,包括腔體;支架,支架設(shè)置于腔體的側(cè)壁上;密封圈,密封圈設(shè)置于支架上;介質(zhì)窗,介質(zhì)窗設(shè)置于密封圈上;傳熱部,傳熱部環(huán)繞介質(zhì)窗設(shè)置,且傳熱部通過柔性連接部與支架相連,傳熱部能夠推動(dòng)柔性連接部壓縮或拉伸,以使傳熱部可隨介質(zhì)窗移動(dòng);加熱部,加熱部環(huán)繞設(shè)置于傳熱部背離介質(zhì)窗的一側(cè)。本發(fā)明的傳熱部可隨介質(zhì)窗移動(dòng),以使傳熱部與介質(zhì)窗能夠處于相對(duì)靜止的狀態(tài),進(jìn)而能夠防止傳熱部磨損介質(zhì)窗,以提高介質(zhì)窗的使用壽命。
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及半導(dǎo)體加工設(shè)備技術(shù)領(lǐng)域,尤其涉及一種半導(dǎo)體加工設(shè)備。
背景技術(shù)
在半導(dǎo)體加工設(shè)備中,通常將射頻電源提供的射頻能量傳輸?shù)椒磻?yīng)腔室中,以此電離高真空狀態(tài)下的特殊氣體(如氬氣Ar、氦氣He、氮?dú)釴2或氫氣H2等),從而產(chǎn)生含有大量的電子、離子、激發(fā)態(tài)的原子、分子和自由基等活性粒子的等離子體,這些活性粒子與置于反應(yīng)腔室并暴露在等離子體環(huán)境下的晶圓之間發(fā)生各種物理和化學(xué)反應(yīng),從而使晶圓表面的性能產(chǎn)生變化,進(jìn)而完成晶圓的刻蝕工藝。
在反應(yīng)腔室每次刻蝕之前,反應(yīng)腔室的溫度控制對(duì)刻蝕工藝的結(jié)果起著至關(guān)重要的作用,其直接影響到刻蝕速率的均勻性和刻蝕關(guān)鍵尺寸的均勻性。在對(duì)反應(yīng)腔室的介質(zhì)窗進(jìn)行溫度控制的過程中,通常在介質(zhì)窗的周向方向上包裹有加熱裝置,從而通過加熱裝置在圓周方向?qū)橘|(zhì)窗進(jìn)行加熱,以使介質(zhì)窗的溫度達(dá)到工藝要求溫度。
目前的半導(dǎo)體加工設(shè)備中,介質(zhì)窗通常支撐于密封圈上,在進(jìn)行刻蝕工藝的過程中,反應(yīng)腔室與外界環(huán)境之間會(huì)產(chǎn)生壓力差,從而導(dǎo)致介質(zhì)窗會(huì)壓縮密封圈,以使介質(zhì)窗相對(duì)于半導(dǎo)體加工設(shè)備的支架產(chǎn)生移動(dòng),從而使得介質(zhì)窗易磨損,進(jìn)而會(huì)影響介質(zhì)窗的使用壽命。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明公開一種觀察窗組件及半導(dǎo)體加工設(shè)備,以解決現(xiàn)有的半導(dǎo)體加工設(shè)備中對(duì)介質(zhì)窗的加熱方式容易造成介質(zhì)窗磨損的問題。
為了解決上述問題,本發(fā)明采用下述技術(shù)方案:
一種半導(dǎo)體加工設(shè)備,包括:
腔體;
支架,所述支架設(shè)置于所述腔體的側(cè)壁上;
密封圈,所述密封圈設(shè)置于所述支架上;
介質(zhì)窗,所述介質(zhì)窗設(shè)置于所述密封圈上;
傳熱部,所述傳熱部環(huán)繞所述介質(zhì)窗設(shè)置,且所述傳熱部通過柔性連接部與所述支架相連,所述傳熱部能夠推動(dòng)所述柔性連接部壓縮或拉伸,以使所述傳熱部可隨所述介質(zhì)窗移動(dòng);
加熱部,所述加熱部環(huán)繞設(shè)置于所述傳熱部背離所述介質(zhì)窗的一側(cè)。
本發(fā)明采用的技術(shù)方案能夠達(dá)到以下有益效果:
本發(fā)明實(shí)施例公開的半導(dǎo)體加工設(shè)備中,傳熱部通過柔性連接部與支架相連,此種情況下,由于柔性連接部的柔性變形能力,以使傳熱部能夠移動(dòng),從而在介質(zhì)窗產(chǎn)生振動(dòng)的情況下,傳熱部可隨介質(zhì)窗移動(dòng),以使傳熱部與介質(zhì)窗能夠處于相對(duì)靜止的狀態(tài),進(jìn)而能夠防止傳熱部磨損介質(zhì)窗,以提高介質(zhì)窗的使用壽命。
附圖說明
此處所說明的附圖用來提供對(duì)本發(fā)明的進(jìn)一步理解,構(gòu)成本發(fā)明的一部分,本發(fā)明的示意性實(shí)施例及其說明用于解釋本發(fā)明,并不構(gòu)成對(duì)本發(fā)明的不當(dāng)限定。在附圖中:
圖1為本發(fā)明實(shí)施例公開的半導(dǎo)體加工設(shè)備的剖視圖;
圖2為本發(fā)明實(shí)施例公開的半導(dǎo)體加工設(shè)備在另一種視角下的剖視圖;
圖3為本發(fā)明實(shí)施例公開的半導(dǎo)體加工設(shè)備中的柔性連接部的剖視圖;
圖4為本發(fā)明實(shí)施例公開的半導(dǎo)體加工設(shè)備中的傳熱部的結(jié)構(gòu)示意圖;
圖5為本發(fā)明實(shí)施例公開的半導(dǎo)體加工設(shè)備中的傳熱部在另一視角下的結(jié)構(gòu)示意圖。
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- 同類專利
- 專利分類
H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個(gè)器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測(cè)試或測(cè)量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個(gè)固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造
- 傳感設(shè)備、檢索設(shè)備和中繼設(shè)備
- 簽名設(shè)備、檢驗(yàn)設(shè)備、驗(yàn)證設(shè)備、加密設(shè)備及解密設(shè)備
- 色彩調(diào)整設(shè)備、顯示設(shè)備、打印設(shè)備、圖像處理設(shè)備
- 驅(qū)動(dòng)設(shè)備、定影設(shè)備和成像設(shè)備
- 發(fā)送設(shè)備、中繼設(shè)備和接收設(shè)備
- 定點(diǎn)設(shè)備、接口設(shè)備和顯示設(shè)備
- 傳輸設(shè)備、DP源設(shè)備、接收設(shè)備以及DP接受設(shè)備
- 設(shè)備綁定方法、設(shè)備、終端設(shè)備以及網(wǎng)絡(luò)側(cè)設(shè)備
- 設(shè)備、主設(shè)備及從設(shè)備
- 設(shè)備向設(shè)備轉(zhuǎn)發(fā)





