[發明專利]一種用于半導體的氣體調節柜

在審

• 申請號: 202010591894.1
• 申請日: 2020-06-24
• 公開（公告）號: CN111725109A
• 公開（公告）日: 2020-09-29
• 發明（設計）人: 王宏偉
• 申請（專利權）人: 北京北方華創微電子裝備有限公司
• 主分類號: H01L21/67
• 分類號: H01L21/67;H01J37/32
• 代理公司: 北京國昊天誠知識產權代理有限公司 11315
• 代理人: 朱文杰

1.一種用于半導體的氣體調節柜，所述氣體調節柜中設置有多條氣體分支管路以及與各條氣體分支管路相連的氣體總管路，所述氣體總管路中設置有混氣閥和腔室進氣閥，所述混氣閥用于對所述氣體總管路中的氣體進行混氣；所述腔室進氣閥用于將混氣后的氣體輸送至對晶圓進行工藝的腔室中；其特征在于，

所述氣體總管路上還設置有氣體流量控制設備，所述氣體流量控制設備位于所述混氣閥與所述腔室進氣閥之間，所述氣體流量控制設備包括殼體、設置于所述殼體內部的活塞和氣體質量流量傳感器；且所述氣體流量控制設備用于控制待輸送至所述腔室中的混合氣體的流量。

2.根據權利要求1所述的氣體調節柜，其特征在于，所述殼體具有進氣端和排氣端，所述進氣端與所述混氣閥連通，所述排氣端與所述腔室進氣閥連通；所述氣體質量流量傳感器用于檢測所述殼體內部的氣體的質量流量；

所述活塞用于在所述殼體內部朝第一方向運動，以使經過所述混氣閥混氣后的氣體經過所述進氣端進入所述殼體內部；

所述活塞還用于在所述氣體質量流量傳感器檢測到的質量流量不變后，在所述殼體內部朝第二方向運動，以使所述殼體內部的氣體經過所述排氣端和所述腔室進氣閥進入對晶圓進行工藝的腔室中。

3.根據權利要求1所述的氣體調節柜，其特征在于，所述氣體調節柜還包括數據處理裝置，且所述氣體流量控制設備還包括與所述數據處理裝置連接的溫度傳感器，所述溫度傳感器位于所述殼體內部，用于檢測所述殼體內的氣體的溫度，并將檢測結果傳輸至所述數據處理裝置；

所述數據處理裝置用于將所述溫度傳感器檢測到的氣體的溫度數據與所述氣體質量流量傳感器檢測到的氣體的質量流量數據相結合，以判斷進入所述殼體內部的氣體的等效體積與經過所述混氣閥混氣后的氣體的等效體積是否相等。

4.根據權利要求1所述的氣體調節柜，其特征在于，所述氣體流量控制設備還包括加熱層，所述加熱層設置于所述殼體的外表面，用于加熱所述殼體內部的氣體。

5.根據權利要求2所述的氣體調節柜，其特征在于，所述氣體調節柜還包括數據處理裝置，且所述氣體流量控制設備還包括與所述數據處理裝置連接的活塞驅動器，所述活塞驅動器用于在所述數據處理裝置的調控下，驅動所述活塞自初始位置朝所述第一方向或所述第二方向運動。

6.根據權利要求1-5任一項所述的氣體調節柜，其特征在于，所述氣體流量控制設備還包括吸氣閥，所述吸氣閥設置于所述殼體的進氣端，所述吸氣閥用于將經過所述混氣閥混氣后的氣體吸收至所述殼體中。

7.根據權利要求6所述的氣體調節柜，其特征在于，所述氣體流量控制設備還包括第一單向閥，所述第一單向閥設置于所述混氣閥與所述吸氣閥之間；

所述第一單向閥用于防止經過所述混氣閥混氣后的氣體通過所述吸氣閥進入所述殼體的過程中發生回流倒灌。

8.根據權利要求1-5任一項所述的氣體調節柜，其特征在于，所述氣體流量控制設備還包括排氣閥，所述排氣閥設置于所述殼體的排氣端，所述排氣閥用于將所述殼體中的氣體通過所述腔室進氣閥排放至對晶圓進行工藝的腔室中。

9.根據權利要求8所述的氣體調節柜，其特征在于，所述氣體流量控制設備還包括第二單向閥；所述第二單向閥設置于所述排氣閥與所述腔室進氣閥之間；

所述第二單向閥用于防止所述殼體中的氣體通過所述排氣閥和所述腔室進氣閥進入對晶圓進行工藝的腔室的過程中發生回流倒灌。

10.根據權利要求1-5任一項所述的氣體調節柜，其特征在于，所述氣體分支管路中分別設置有質量流量控制閥，所述質量流量控制閥用于調控所述氣體分支管路中的氣體的質量流量。