[發(fā)明專利]一種帶塞塊結構的板對板連接器結構在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 202010591510.6 | 申請日: | 2020-06-24 |
| 公開(公告)號: | CN111628329A | 公開(公告)日: | 2020-09-04 |
| 發(fā)明(設計)人: | 劉浩;陳常斌 | 申請(專利權)人: | 富加宜連接器(東莞)有限公司 |
| 主分類號: | H01R13/40 | 分類號: | H01R13/40;H01R12/70 |
| 代理公司: | 東莞市永橋知識產(chǎn)權代理事務所(普通合伙) 44400 | 代理人: | 何新華 |
| 地址: | 523981 *** | 國省代碼: | 廣東;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 帶塞塊 結構 連接器 | ||
本發(fā)明提供一種帶塞塊結構的板對板連接器結構,包括母端連接器和公端連接器,母端連接器包括第一絕緣殼體、若干第一端子插槽、若干第一導電端子,公端連接器包括第二絕緣殼體、若干第二端子插槽、若干第二導電端子,第一絕緣殼體上在其兩相鄰第一端子插槽之間設置有母端塞塊結構,第二絕緣殼體上位于兩相鄰第二端子插槽之間設置有與母端塞塊結構配合的公端塞塊結構;母端塞塊結構包括母端絕緣模塊、塞塊A;公端塞塊結構包括公端絕緣模塊、塞塊B;母端絕緣模塊形狀與第一端子插槽對應,公端絕緣模塊形狀與第二端子插槽對應。本發(fā)明的有益效果是:使其能在標準的生產(chǎn)軌道中通過自動插件機進行插入,一方面提升生產(chǎn)效率。
技術領域
本發(fā)明涉及連接器加工技術領域,尤其涉及一種帶塞塊結構的板對板連接器結構。
背景技術
板對板連接器是目前所有連接器產(chǎn)品類型中傳輸能力最強的連接器產(chǎn)品,主要應用于電力系統(tǒng)、通信網(wǎng)絡、金融制造、電梯、工業(yè)自動化、醫(yī)療設備、辦公設備、家電、軍工制造等行業(yè)。實際使用中,為了能夠更好地通高電壓,一般做法是會增加端子間的爬電距離。市面上也會有在連接器上設置塞塊的做法,而這種做法存在的最大缺陷是:由于自動插件機中插件導槽的尺寸是固定的,因此,導致塞塊不能在標準的生產(chǎn)軌道中通過自動插件機進行插入,需要后期人手插入,嚴重影響生產(chǎn)效率。鑒于這種情況,亟待解決。
發(fā)明內容
基于此,本發(fā)明的目的在于提供一種帶塞塊結構的板對板連接器結構,通過改變塞塊的結構,使其能在標準的生產(chǎn)軌道中通過自動插件機進行插入,一方面提升生產(chǎn)效率,另一方面也確保了產(chǎn)品的質量。
本發(fā)明提供一種帶塞塊結構的板對板連接器結構,包括母端連接器和公端連接器,所述母端連接器包括第一絕緣殼體、若干第一端子插槽、若干裝配在所述第一端子插槽內并且適用于與一電路板連接的第一導電端子,所述公端連接器包括第二絕緣殼體、若干第二端子插槽、若干裝配在所述第二端子插槽內并且適用于與另一電路板連接的第二導電端子,所述第一絕緣殼體上在其兩相鄰第一端子插槽之間設置有母端塞塊結構,所述第二絕緣殼體上位于兩相鄰第二端子插槽之間設置有與所述母端塞塊結構配合的公端塞塊結構。
所述母端塞塊結構包括母端絕緣模塊、塞塊A;所述公端塞塊結構包括公端絕緣模塊、塞塊B;所述母端絕緣模塊形狀與所述第一端子插槽對應,所述塞塊A活動插設在所述母端絕緣模塊遠離所述公端連接器的一側;所述公端絕緣模塊形狀與所述第二端子插槽對應,所述塞塊B活動插設在所述公端絕緣模塊遠離所述母端連接器的一側;當所述母端連接器和所述公端連接器處于連接狀態(tài)時,所述公端絕緣模塊插接在所述母端絕緣模塊上。
作為優(yōu)選方案,所述母端絕緣模塊的一側形成有讓位槽A,所述母端絕緣模塊的另一側設置有供所述公端絕緣模塊插入的讓位槽B;所述塞塊A包括與所述讓位槽A對應的嵌合塊以及與所述嵌合部一體成型的延伸塊。
作為優(yōu)選方案,所述嵌合塊插設在所述讓位槽A內時,所述延伸塊露出所述第一絕緣殼體外并且露出部分的長度大于所述第一導電端子插腳露出部分的長度。
作為優(yōu)選方案,所述嵌合塊的形狀設置為梯形;所述讓位槽A的形狀設置為與所述嵌合塊對應的梯形。
作為優(yōu)選方案,所述嵌合塊靠向所述讓位槽A的一側面設置有加強筋。
作為優(yōu)選方案,所述公端絕緣模塊的一側形成有插入所述讓位槽B的插入部,所述公端絕緣模塊的另一側形成有供所述塞塊B插入的讓位槽C。
作為優(yōu)選方案,所述塞塊B設置為C形。
作為優(yōu)選方案,所述塞塊B插設在所述讓位槽C內時,所述塞塊B的上表面延伸出所述第二絕緣殼體的上表面。
作為優(yōu)選方案,所述塞塊B的上表面延伸出所述第二絕緣殼體上表面部分的高度高于所述第二導電端子插腳露出所述第二絕緣殼體部分的高度;所述塞塊B遠離所述公端絕緣模塊的一端延伸出所述第二絕緣殼體外。
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